Repozitoriul Instituțional al Universității de Stat din Moldova (RI USM)

Institutional Repository of Moldova State University (IR MSU)

Repozitoriul Instituțional al Universității de Stat din Moldova reprezintă arhiva digitală cu acces deschis a rezultatelor cercetărilor științifice și științifico-didactice efectuate în cadrul universității. Conținutul arhivei este multidisciplinar și include lucrări din domeniile științelor exacte și socio-umanistice.
The Institutional Repository of the State University of Moldova is an open access digital archive of the results of scientific and scientific-didactic research carried out within the university. The archive's content is multidisciplinary and includes works from the fields of exact sciences, social sciences and humanities.

Communities in DSpace

Select a community to browse its collections.

Now showing 1 - 5 of 17

Recent Submissions

Item

Исследование физических процессов в фоточувствительных гетероструктурах на основе тонких слоев CdTe [Rezumat]

(2025) Аль-Кассем, Амджад; Гашин, П. А (научный руководитель); Акимова, Е. А (научный руководитель)

Цель работы: разработка методики получения и исследование тонкопленочных СЭ на основе гетероперехода (ГП) CdS/CdTe с диэлектрическим слоем CdO, нанометрической толщины. На основании исследований электрических и фотоэлектрических измерений, определить оптимальные технологические условия для изготовления тонкопленочной гетероструктуры CdS/CdO/CdTe методом квазизамкнутого объѐма. Задачи исследования: изучить особенности эпитаксии методом CSS полупроводниковых соединений группы А2В6 и разработать способы оптимизации режимов получения тонких пленок CdS, CdTe; разработать технологию создания изолирующего нанослоя CdO на границе разделаCdS/CdTe; исследовать электрическиe свойства ГП CdS/CdTe и CdS/CdO/CdTe, используя комплексный подход, включающий анализ ВФХ, ВАХ и адмиттанс-спектроскопию при различных температурах и частотах переменного сигнала; изучить влиянии изолирующего нанослоя CdO на фотоэлектрические параметры СЭ CdS/CdTe. Научная новизна и оригинальность работы состоит в систематическом исследовании влияния нанометрического слоя CdO на фотоэлектрические параметры, профили концентрации носителей заряда и энергии ионизации примесных уровней полученных гетероструктур методами ВФХ, ВАХ и адмиттансной спектроскопии. Решенная важная научная проблема заключается в том, что впервые проведен широкий комплекс электрическиx исследований ГП CdS/CdTe и продемонстрированo, что одним из методов увеличения концентрации свободных дырок для ионизации дефектов (увеличения концентрации собственных акцепторных дефектов вакансии кадмия, VCd), является внедрение изолирующего нанослоя CdO на границе раздела CdS/CdTe ГП фотопреобразователей. Внедрение изолирующего нанослоя CdO, толщиной 8-10 нм, методом магнетронного распыления между фронтальным CdS и поглощаемым CdTe слоями повышает ток короткого замыкания с 15,7 мА/см2 до 26,5 мА/см2 и напряжение холостого хода с 0,66 В до 0,77 В, увеличивая коэффициент полезного действия с 3,8 % до 8,9 %. Теоретическая значимость работы состоит в установлении механизма токопрохождения в ГП CdS/CdTe, контролируемого двумя типами примесных уровней (~ 0.45 эВ и ~ 0.27 эВ), а в ГП CdS/CdO/CdTe одним уровнем (~ 0.25 эВ).

Item

Исследование физических процессов в фоточувствительных гетероструктурах на основе тонких слоев CdTe [Teză]

(2025) Аль-Кассем, Амджад; Гашин, П. А (научный руководитель); Акимова, Е. А (научный руководитель)

Цель работы: разработка методики получения и исследование тонкопленочных СЭ на основе гетероперехода (ГП) CdS/CdTe с диэлектрическим слоем CdO, нанометрической толщины. На основании исследований электрических и фотоэлектрических измерений, определить оптимальные технологические условия для изготовления тонкопленочной гетероструктуры CdS/CdO/CdTe методом квазизамкнутого объёма. Задачи исследования: изучить особенности эпитаксии методом CSS полупроводниковых соединений группы А2В6 и разработать способы оптимизации режимов получения тонких пленок CdS, CdTe; разработать технологию создания изолирующего нанослоя CdO на границе разделаCdS/CdTe; исследовать электрическиe свойства ГП CdS/CdTe и CdS/CdO/CdTe, используя комплексный подход, включающий анализ ВФХ, ВАХ и адмиттанс-спектроскопию при различных температурах и частотах переменного сигнала; изучить влиянии изолирующего нанослоя CdO на фотоэлектрические параметры СЭ CdS/CdTe. Научная новизна и оригинальность работы состоит в систематическом исследовании влияния нанометрического слоя CdO на фотоэлектрические параметры, профили концентрации носителей заряда и энергии ионизации примесных уровней полученных гетероструктур методами ВФХ, ВАХ и адмиттансной спектроскопии. Решенная важная научная проблема заключается в том, что впервые проведен широкий комплекс электрическиx исследований ГП CdS/CdTe и продемонстрированo, что одним из методов увеличения концентрации свободных дырок для ионизации дефектов (увеличения концентрации собственных акцепторных дефектов вакансии кадмия, VCd), является внедрение изолирующего нанослоя CdO на границе раздела CdS/CdTe ГП фотопреобразователей. Внедрение изолирующего нанослоя CdO, толщиной 8-10 нм, методом магнетронного распыления между фронтальным CdS и поглощаемым CdTe слоями повышает ток короткого замыкания с 15,7 мА/см2 до 26,5 мА/см2 и напряжение холостого хода с 0,66 В до 0,77 В, увеличивая коэффициент полезного действия с 3,8 % до 8,9 %. Теоретическая значимость работы состоит в установлении механизма токопрохождения в ГП CdS/CdTe, контролируемого двумя типами примесных уровней (~ 0.45 эВ и ~ 0.27 эВ), а в ГП CdS/CdO/CdTe одним уровнем (~ 0.25 эВ).

Item

On Singular Operators along a Contour with Corner Points [Articol]

(2024) Neagu, Vasile

In this paper, a method for constructing the symbol for singular integral operators in the case of a piecewise Lyapunov contour is proposed. In the definition of the symbol function, there are involved numbers characterizing the space in which the research is carried out, as well as the values of the corner points of the contour, which makes it possible to obtain formulas for calculating the essential norms of singular operators and conditions for the solvability of singular equations with a shift.

Item

The Stability Conditions of Unperturbed Motion Governed by Differential System with Nonlinearities of Fifth Degree [Articol]

(2024) Neagu, Natalia; Popa, Mihail

According to Lyapunov’s first method of stability of unperturbed motion, there were determined the stability conditions for the differential system with nonlinearities of fifth degree.

Item

Weakly Hyperbolic IFS’s with Condensation of Special Type [Articol]

(2024) Glavan, Vasile; Guţu, Valeriu

We show that for any weakly hyperbolic Iterated Function System with condensation in Rn, whose condensation set is a union of a finite collection of convex compact sets, there exists a standard weakly hyperbolic IFS with the same attractor.