Rezumate teze de doctorat
Permanent URI for this collectionhttps://msuir.usm.md/handle/123456789/11315
Browse
12 results
Search Results
Item Исследование физических процессов в фоточувствительных гетероструктурах на основе тонких слоев CdTe [Rezumat](2025) Аль-Кассем, Амджад; Гашин, П. А (научный руководитель); Акимова, Е. А (научный руководитель)Цель работы: разработка методики получения и исследование тонкопленочных СЭ на основе гетероперехода (ГП) CdS/CdTe с диэлектрическим слоем CdO, нанометрической толщины. На основании исследований электрических и фотоэлектрических измерений, определить оптимальные технологические условия для изготовления тонкопленочной гетероструктуры CdS/CdO/CdTe методом квазизамкнутого объѐма. Задачи исследования: изучить особенности эпитаксии методом CSS полупроводниковых соединений группы А2В6 и разработать способы оптимизации режимов получения тонких пленок CdS, CdTe; разработать технологию создания изолирующего нанослоя CdO на границе разделаCdS/CdTe; исследовать электрическиe свойства ГП CdS/CdTe и CdS/CdO/CdTe, используя комплексный подход, включающий анализ ВФХ, ВАХ и адмиттанс-спектроскопию при различных температурах и частотах переменного сигнала; изучить влиянии изолирующего нанослоя CdO на фотоэлектрические параметры СЭ CdS/CdTe. Научная новизна и оригинальность работы состоит в систематическом исследовании влияния нанометрического слоя CdO на фотоэлектрические параметры, профили концентрации носителей заряда и энергии ионизации примесных уровней полученных гетероструктур методами ВФХ, ВАХ и адмиттансной спектроскопии. Решенная важная научная проблема заключается в том, что впервые проведен широкий комплекс электрическиx исследований ГП CdS/CdTe и продемонстрированo, что одним из методов увеличения концентрации свободных дырок для ионизации дефектов (увеличения концентрации собственных акцепторных дефектов вакансии кадмия, VCd), является внедрение изолирующего нанослоя CdO на границе раздела CdS/CdTe ГП фотопреобразователей. Внедрение изолирующего нанослоя CdO, толщиной 8-10 нм, методом магнетронного распыления между фронтальным CdS и поглощаемым CdTe слоями повышает ток короткого замыкания с 15,7 мА/см2 до 26,5 мА/см2 и напряжение холостого хода с 0,66 В до 0,77 В, увеличивая коэффициент полезного действия с 3,8 % до 8,9 %. Теоретическая значимость работы состоит в установлении механизма токопрохождения в ГП CdS/CdTe, контролируемого двумя типами примесных уровней (~ 0.45 эВ и ~ 0.27 эВ), а в ГП CdS/CdO/CdTe одним уровнем (~ 0.25 эВ).Item Диаграммный анализ систем сильно коррелированных электронов, взаимодействующих между собой и с оптическими фононами [Rezumat](2024) Чеботарь, Светлана; Москаленко, Всеволод ( научный руководитель); Дохотару, Леонид (научный консультант)Актуальность и важность исследования. Теории твердого тела, такие как зонная теория проводимости Уилсона-Блоха или теория сверхпроводимости Бардина-Купера-Шиффера (БКШ) адекватно описывают свойства лишь ограниченного числа материалов. Существует большая категория материалов, представленная переходными (редкоземельными) металлами и их химическими соединениями, а так же фуллеридами (AnC60, где A – щелочной металл), которая проявляет нехарактерные с точки зрения этих концепций физические свойства или в них реализуются необычайные явления. Речь идет о переходе металл-диэлектрик Мотта-Хаббарда, гигантском магнетосопротивлении с отрицательным знаком, высокотемпературной сверхпроводимости (ВТСП), сосуществовании магнетизма и сверхпроводимости и других. Эти явления вызывают множество вопросов фундаментального характера. Например, до конца не понятен механизм образования сверхпроводящих электронных пар в высокотемпературных сверхпроводниках. Многие исследователи полагают, что эти явления возникают за счет эффекта сильных корреляций. Этот эффект ассоциирован с сильным кулоновским взаимодействием электронов между собой, а также с сильной электрон-фононной связью в кристаллах (в том числе молекулярных) и их взаимовлиянием [1]. Системы, в которых проявляется эффект сильной корреляции электронов друг с другом, электронов с фононами или оба эффекта вместе, называются сильно коррелированными. Современная теория сильно коррелированных систем (СКС) основывается на гамильтоновом формализме, сформулированном на языке вторичного квантования. Модельные гамильтонианы, описывающие поведение электронов в таких системах, включают в себя параметр кулоновского взаимодействия электронов. К упомянутым относятся следующие модели: полярная модель Шубина-Вонсовского [2-4], модель Боголюбова-Тябликова [5-6], модель Хаббарда [7-12] и примесная модель Андерсона [13] (а также ее обобщение, такая как периодическая модель Андерсона) и другие.Item Supraconductibilitatea tripletă ca bază a spintronicii supraconductoare [Rezumat](2024) Boian, VladimirRealizarea unei supape de spin ca element de bază nedisipativ pentru calculatorul supraconductibil, și ajustarea parametrilor de depunere magnetron a nanostructurilor de Nb/Co, într – un singur ciclu de vid cu interfețele adiacente atomar netede.Item Fizica heterostructurilor Cds/Znte în aplicații fotovoltaice [Rezumat](2024) Lungu, IonAnaliza potențialului utilizării HJ CdS/ZnTe în aplicații fotovoltaice, cu accent pe elaborarea tehnologiei de obținere a benzii intermediare în stratul absorbant prin încorporarea oxigenului în rețeaua de ZnTe.Item Procese foto- şi electron-induse în structuri subţiri din polimeri carbazolici şi sticle calcogenice [Rezumat](2025) Meșalchin, Alexei; Achimova, Elena (conducător științific)Item TEORIA MOLECULAR-DINAMICĂ “VALENCE FORCE FIELD” A HETEROSTRUCTURILOR DE TIPUL DIAMANT ȘI A STRATURILOR DE GRAFEN: SPECTRELE ENERGETICE ALE FONONILOR ȘI CONDUCTIBILITATEA TERMICĂ(2023) Ascherov, ArturScopul și obiectivele cercetării: Dezvoltarea modelului câmpului forțelor de valență pentru studierea stărilor fononice în heterostructurile de tip diamant (heterostructuri pe bază de Si/Ge), în grafenul monostrat și multistrat și în nanoribonii de grafen; Dezvoltarea modelului de transport a căldurii și studiul teoretic al conductibilității termice de rețea în grafen și în heterostructurile planare Si/Ge/Si și Ge/Si/Ge.Item PROPRIETĂȚILE EXCITONICE ȘI FONONICE ALE NANOSTRUCTURILOR FORMATE DIN PUNCTE CUANTICE(2023) Isacova, CalinaScopul și obiectivele: cercetarea influenței parametrilor materiali și geometrici ai suprarețelelor unidimensionale din puncte cuantice (1D-SRPC) Si/SiO2 și Si/SiC asupra proprietăților electronice, de gol și excitonice; dezvoltarea modelului „face-centred cubic cell” al oscilațiilor rețelei cristaline pentru studierea proprietăților fononice și termoconductibile ale 1D-SRPC Si/Ge și Si/SiO2, cât și a nanotuburilor multistrat (NTM) Si/SiO2.Item DEVELOPMENT OF DIGITAL HOLOGRAPHIC MICROSCOPE FOR THE INVESTIGATION OF DIFFRACTIVE OPTICAL ELEMENTS RECORDED ON CHALCOGENIDE GLASSES AND AZOPOLYMER THIN FILMS(2023) Cazac, VeronicaThe aim of the thesis The main goal of this work is to improve the design and performance of DHM, including its hardware and software components, for an accurate quantitative description of key parameters of different types of DOEs, patterned on ChGs nanomultilayers (NMLs) and AP thin films by polarization holographic recording.Item TEHNOLOGII DE OBȚINERE ȘI PROPRIETĂȚILE OPTICE ȘI FOTOELECTRICE ÎN SISTEMUL ZNO - MGXZN1-XO PENTRU APLICAȚII OPTOELECTRONICE(2023) Morari, VadimScopul lucrării constă în elaborarea și dezvoltarea tehnologiilor de obținere a oxizilor cu banda energetică largă prin metode cost-efective, inclusiv a filmelor oxidice ZnO, MgxZn1-xO, (GaxIn1-x)2O3 cu compoziție și morfologie dirijată și explorarea proprietăților lor optice, luminescente și fotoelectrice pentru aplicații în dispozitive optoelectronice, precum fotoreceptoare de radiație UV.Item QUANTUM DYNAMICS IN MOLECULAR DIPOLAR SYSTEMS(2022) Mîrzac, Alexandra