13. Ştiinţe fizice

Permanent URI for this communityhttps://msuir.usm.md/handle/123456789/11290

Browse

Search Results

Now showing 1 - 10 of 27
  • Thumbnail Image
    Item
    ДИАГРАММНЫЙ АНАЛИЗ СИСТЕМ СИЛЬНО КОРРЕЛИРОВАННЫХ ЭЛЕКТРОНОВ, ВЗАИМОДЕЙСТВУЮЩИХ МЕЖДУ СОБОЙ И С ОПТИЧЕСКИМИ ФОНОНАМИ
    (2024) Чеботарь, Светлана; Москаленко, Всеволод ( научный руководитель); Дохотару, Леонид (научный консультант)
    Актуальность и важность исследования. Теории твердого тела, такие как зонная теория проводимости Уилсона-Блоха или теория сверхпроводимости Бардина-Купера-Шиффера (БКШ) адекватно описывают свойства лишь ограниченного числа материалов. Существует большая категория материалов, представленная переходными (редкоземельными) металлами и их химическими соединениями, а так же фуллеридами (AnC60, где A – щелочной металл), которая проявляет нехарактерные с точки зрения этих концепций физические свойства или в них реализуются необычайные явления. Речь идет о переходе металл-диэлектрик Мотта-Хаббарда, гигантском магнетосопротивлении с отрицательным знаком, высокотемпературной сверхпроводимости (ВТСП), сосуществовании магнетизма и сверхпроводимости и других. Эти явления вызывают множество вопросов фундаментального характера. Например, до конца не понятен механизм образования сверхпроводящих электронных пар в высокотемпературных сверхпроводниках. Многие исследователи полагают, что эти явления возникают за счет эффекта сильных корреляций. Этот эффект ассоциирован с сильным кулоновским взаимодействием электронов между собой, а также с сильной электрон-фононной связью в кристаллах (в том числе молекулярных) и их взаимовлиянием [1]. Системы, в которых проявляется эффект сильной корреляции электронов друг с другом, электронов с фононами или оба эффекта вместе, называются сильно коррелированными. Современная теория сильно коррелированных систем (СКС) основывается на гамильтоновом формализме, сформулированном на языке вторичного квантования. Модельные гамильтонианы, описывающие поведение электронов в таких системах, включают в себя параметр кулоновского взаимодействия электронов. К упомянутым относятся следующие модели: полярная модель Шубина-Вонсовского [2-4], модель Боголюбова-Тябликова [5-6], модель Хаббарда [7-12] и примесная модель Андерсона [13] (а также ее обобщение, такая как периодическая модель Андерсона) и другие.
  • Thumbnail Image
    Item
    ДИАГРАММНЫЙ АНАЛИЗ СИСТЕМ СИЛЬНО КОРРЕЛИРОВАННЫХ ЭЛЕКТРОНОВ, ВЗАИМОДЕЙСТВУЮЩИХ МЕЖДУ СОБОЙ И С ОПТИЧЕСКИМИ ФОНОНАМИ
    (2024) Чеботарь, Ирина; Мрскаленко, Всеволод ( научный руководитель); Дохотару, Леонид (научный консультант)
    Цели диссертации: доказать свойство стационарности термодинамического потенциала модели Хаббарда; исследовать влияние как внутриорбитального, так и межорбитального корреляционного эффекта на электронные процессы орбитально вырожденных систем, а также роли сильного взаимодействия оптических фононов с электронами на свойства сильно коррелированных электронных систем. Задачи диссертации: развить диаграммную технику для модели Хаббарда, двукратно вырожденных моделей Хаббарда и Андерсона, а так же Андерсона-Холстейна, с помощью которой получить соответствующие уравнения и динамические величины. Научная новизна и оригинальность результатов. Было доказано свойство стационарности термодинамического потенциала модели Хабббарда. В рамках двукратно вырожденной модели показано, что в приближении Хаббарда-I случай половинного заполнения зоны, соответствует только диэлектрическому состоянию, а орбитально- вырожденная теория оказывается аналогичной орбитально невырожденной, если в последней заменить числовые функции Грина двухрядными матрицами, в которых диагональные элементы соответствуют межорбитальным переходам, а недиагональные – внутриорбитальным переходам. В рамках двукратно вырожденной модели Андерсона было показано, что при низких температурах, состояние системы может быть только металлическим, а межорбитальный корреляционный эффект дает положительный вклад в это металлическое состояние; были получены и проанализировали линейные уравнения для сверхпроводящих параметров порядка и сформулировано условие для реализации синглетной сверхпроводимости и определения критической температуры. С помощью диаграммной техники была проанализирована модель Андерсона-Холстейна, в рамках которой была исследована динамика фононных облаков. Показано, что коллективная мода фононных облаков в случае затухает по мере усиления гибридизации.
  • Thumbnail Image
    Item
    SUPRACONDUCTIBILITATEA TRIPLETĂ CA BAZĂ A SPINTRONICII SUPRACONDUCTOARE
    (2024) Boian, Vladimir; Sidorenko, Anatolie
    Realizarea unei supape de spin ca element de bază nedisipativ pentru calculatorul supraconductibil, și ajustarea parametrilor de depunere magnetron a nanostructurilor de Nb/Co, într – un singur ciclu de vid cu interfețele adiacente atomar netede. Optimizarea parametrilor tehnologici de depunere a naostraturilor supraconductor/feromagnetic, cu parametri dirijați și strict reproductibili într – un singur ciclu de vid, modelarea matematică a parametrilor tehnologici de depunere magnetron cu ajutorul pachetului LAMMPS, în scopul ajustării lor, studiul proprietăților supraconductoare a structurilor stratificate nanometrice, cu efecte valvă de spin și elemente de memorie.
  • Thumbnail Image
    Item
    SUPRACONDUCTIBILITATEA TRIPLETĂ CA BAZĂ A SPINTRONICII SUPRACONDUCTOARE
    (2024) Boian, Vladimir
    Realizarea unei supape de spin ca element de bază nedisipativ pentru calculatorul supraconductibil, și ajustarea parametrilor de depunere magnetron a nanostructurilor de Nb/Co, într – un singur ciclu de vid cu interfețele adiacente atomar netede.
  • Thumbnail Image
    Item
    FIZICA HETEROSTRUCTURILOR CdS/ZnTe ÎN APLICAȚII FOTOVOLTAICE
    (2024) Lungu, Ion; Potlog, Tamara
    Analiza potențialului utilizării HJ CdS/ZnTe în aplicații fotovoltaice, cu accent pe elaborarea tehnologiei de obținere a benzii intermediare în stratul absorbant prin încorporarea oxigenului în rețeaua de ZnTe. Conceperea designului optimal al dispozitivului fotovoltaic în baza heterojoncțiunii CdS/ZnTe din punct de vedere al eficienței de conversie a energiei solare în energie electrică prin simularea numerică cu softul SCAPS-1D. Elaborarea tehnologiei de obținere a straturilor subțiri ZnO, CdS, ZnTe prin: dirijarea condițiilor tehnologice, dopare, modificarea controlată a morfologiei, proprietăților cristaline, electrice si optice. Realizarea dispozitivelor fotovoltaice în baza compușilor studiați, cercetarea proprietăților fotoelectrice și stabilirea mecanismului de transport al purtătorilor de sarcină electrică.
  • Thumbnail Image
    Item
    FIZICA HETEROSTRUCTURILOR CdS/ZnTe ÎN APLICAȚII FOTOVOLTAICE
    (2024) Lungu, Ion
    Analiza potențialului utilizării HJ CdS/ZnTe în aplicații fotovoltaice, cu accent pe elaborarea tehnologiei de obținere a benzii intermediare în stratul absorbant prin încorporarea oxigenului în rețeaua de ZnTe.
  • Thumbnail Image
    Item
    ФОТО- И ЭЛЕКТРОННО-СТИМУЛИРОВАННЫЕ ПРОЦЕССЫ В ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ СТРУКТУРАХ КАРБАЗОЛ-СОДЕРЖАЩИХ ПОЛИМЕРОВ И ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКОЛ
    (2024) Мешалкин, Алексей; Акимова, Елена
    Исследование роли скалярных и векторных процессов, возникающих в многослойных наноструктурах на основе халькогенидных стекол и в тонких пленках на основе карбазольных полимеров под воздействием фото- и электронного облучения, в создании многофункциональных дифракционных оптических элементов.
  • Thumbnail Image
    Item
  • Thumbnail Image
    Item
  • Thumbnail Image
    Item
    МОЛЕКУЛЯРНО-ДИНАМИЧЕСКАЯ ТЕОРИЯ “VALENCE FORCE FIELD” ДЛЯ АЛМАЗОПОДОБНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР И ГРАФЕНОВЫХ СЛОЁВ: ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ СПЕКТРЫ ФОНОНОВ И ТЕПЛОПРОВОДНОСТЬ
    (2023) Аскеров, Артур; Покатилов, Евгений
    Цели и задачи: развитие модели колебаний кристаллической решётки “valence-force-field” для теоретического изучения фононных состояний в плоских гетероструктурах (ГС) Si/Ge/Si и Ge/Si/Ge, квантовоточечных сверхрешётках Si/Ge, графеновых слоях и графеновых нанолентах; а также решёточной теплопроводности в гетероструктурах Si/Ge/Si, Ge/Si/Ge и графене.