13. Ştiinţe fizice
Permanent URI for this communityhttps://msuir.usm.md/handle/123456789/11290
Browse
28 results
Search Results
Item Исследование физических процессов в фоточувствительных гетероструктурах на основе тонких слоев CdTe [Rezumat](2025) Аль-Кассем, Амджад; Гашин, П. А (научный руководитель); Акимова, Е. А (научный руководитель)Цель работы: разработка методики получения и исследование тонкопленочных СЭ на основе гетероперехода (ГП) CdS/CdTe с диэлектрическим слоем CdO, нанометрической толщины. На основании исследований электрических и фотоэлектрических измерений, определить оптимальные технологические условия для изготовления тонкопленочной гетероструктуры CdS/CdO/CdTe методом квазизамкнутого объѐма. Задачи исследования: изучить особенности эпитаксии методом CSS полупроводниковых соединений группы А2В6 и разработать способы оптимизации режимов получения тонких пленок CdS, CdTe; разработать технологию создания изолирующего нанослоя CdO на границе разделаCdS/CdTe; исследовать электрическиe свойства ГП CdS/CdTe и CdS/CdO/CdTe, используя комплексный подход, включающий анализ ВФХ, ВАХ и адмиттанс-спектроскопию при различных температурах и частотах переменного сигнала; изучить влиянии изолирующего нанослоя CdO на фотоэлектрические параметры СЭ CdS/CdTe. Научная новизна и оригинальность работы состоит в систематическом исследовании влияния нанометрического слоя CdO на фотоэлектрические параметры, профили концентрации носителей заряда и энергии ионизации примесных уровней полученных гетероструктур методами ВФХ, ВАХ и адмиттансной спектроскопии. Решенная важная научная проблема заключается в том, что впервые проведен широкий комплекс электрическиx исследований ГП CdS/CdTe и продемонстрированo, что одним из методов увеличения концентрации свободных дырок для ионизации дефектов (увеличения концентрации собственных акцепторных дефектов вакансии кадмия, VCd), является внедрение изолирующего нанослоя CdO на границе раздела CdS/CdTe ГП фотопреобразователей. Внедрение изолирующего нанослоя CdO, толщиной 8-10 нм, методом магнетронного распыления между фронтальным CdS и поглощаемым CdTe слоями повышает ток короткого замыкания с 15,7 мА/см2 до 26,5 мА/см2 и напряжение холостого хода с 0,66 В до 0,77 В, увеличивая коэффициент полезного действия с 3,8 % до 8,9 %. Теоретическая значимость работы состоит в установлении механизма токопрохождения в ГП CdS/CdTe, контролируемого двумя типами примесных уровней (~ 0.45 эВ и ~ 0.27 эВ), а в ГП CdS/CdO/CdTe одним уровнем (~ 0.25 эВ).Item Исследование физических процессов в фоточувствительных гетероструктурах на основе тонких слоев CdTe [Teză](2025) Аль-Кассем, Амджад; Гашин, П. А (научный руководитель); Акимова, Е. А (научный руководитель)Цель работы: разработка методики получения и исследование тонкопленочных СЭ на основе гетероперехода (ГП) CdS/CdTe с диэлектрическим слоем CdO, нанометрической толщины. На основании исследований электрических и фотоэлектрических измерений, определить оптимальные технологические условия для изготовления тонкопленочной гетероструктуры CdS/CdO/CdTe методом квазизамкнутого объёма. Задачи исследования: изучить особенности эпитаксии методом CSS полупроводниковых соединений группы А2В6 и разработать способы оптимизации режимов получения тонких пленок CdS, CdTe; разработать технологию создания изолирующего нанослоя CdO на границе разделаCdS/CdTe; исследовать электрическиe свойства ГП CdS/CdTe и CdS/CdO/CdTe, используя комплексный подход, включающий анализ ВФХ, ВАХ и адмиттанс-спектроскопию при различных температурах и частотах переменного сигнала; изучить влиянии изолирующего нанослоя CdO на фотоэлектрические параметры СЭ CdS/CdTe. Научная новизна и оригинальность работы состоит в систематическом исследовании влияния нанометрического слоя CdO на фотоэлектрические параметры, профили концентрации носителей заряда и энергии ионизации примесных уровней полученных гетероструктур методами ВФХ, ВАХ и адмиттансной спектроскопии. Решенная важная научная проблема заключается в том, что впервые проведен широкий комплекс электрическиx исследований ГП CdS/CdTe и продемонстрированo, что одним из методов увеличения концентрации свободных дырок для ионизации дефектов (увеличения концентрации собственных акцепторных дефектов вакансии кадмия, VCd), является внедрение изолирующего нанослоя CdO на границе раздела CdS/CdTe ГП фотопреобразователей. Внедрение изолирующего нанослоя CdO, толщиной 8-10 нм, методом магнетронного распыления между фронтальным CdS и поглощаемым CdTe слоями повышает ток короткого замыкания с 15,7 мА/см2 до 26,5 мА/см2 и напряжение холостого хода с 0,66 В до 0,77 В, увеличивая коэффициент полезного действия с 3,8 % до 8,9 %. Теоретическая значимость работы состоит в установлении механизма токопрохождения в ГП CdS/CdTe, контролируемого двумя типами примесных уровней (~ 0.45 эВ и ~ 0.27 эВ), а в ГП CdS/CdO/CdTe одним уровнем (~ 0.25 эВ).Item Диаграммный анализ систем сильно коррелированных электронов, взаимодействующих между собой и с оптическими фононами [Rezumat](2024) Чеботарь, Светлана; Москаленко, Всеволод ( научный руководитель); Дохотару, Леонид (научный консультант)Актуальность и важность исследования. Теории твердого тела, такие как зонная теория проводимости Уилсона-Блоха или теория сверхпроводимости Бардина-Купера-Шиффера (БКШ) адекватно описывают свойства лишь ограниченного числа материалов. Существует большая категория материалов, представленная переходными (редкоземельными) металлами и их химическими соединениями, а так же фуллеридами (AnC60, где A – щелочной металл), которая проявляет нехарактерные с точки зрения этих концепций физические свойства или в них реализуются необычайные явления. Речь идет о переходе металл-диэлектрик Мотта-Хаббарда, гигантском магнетосопротивлении с отрицательным знаком, высокотемпературной сверхпроводимости (ВТСП), сосуществовании магнетизма и сверхпроводимости и других. Эти явления вызывают множество вопросов фундаментального характера. Например, до конца не понятен механизм образования сверхпроводящих электронных пар в высокотемпературных сверхпроводниках. Многие исследователи полагают, что эти явления возникают за счет эффекта сильных корреляций. Этот эффект ассоциирован с сильным кулоновским взаимодействием электронов между собой, а также с сильной электрон-фононной связью в кристаллах (в том числе молекулярных) и их взаимовлиянием [1]. Системы, в которых проявляется эффект сильной корреляции электронов друг с другом, электронов с фононами или оба эффекта вместе, называются сильно коррелированными. Современная теория сильно коррелированных систем (СКС) основывается на гамильтоновом формализме, сформулированном на языке вторичного квантования. Модельные гамильтонианы, описывающие поведение электронов в таких системах, включают в себя параметр кулоновского взаимодействия электронов. К упомянутым относятся следующие модели: полярная модель Шубина-Вонсовского [2-4], модель Боголюбова-Тябликова [5-6], модель Хаббарда [7-12] и примесная модель Андерсона [13] (а также ее обобщение, такая как периодическая модель Андерсона) и другие.Item Диаграммный анализ систем сильно коррелированных электронов, взаимодействующих между собой и с оптическими фононами [Teză](2024) Чеботарь, Ирина; Мoскаленко, Всеволод (научный руководитель); Дохотару, Леонид (научный консультант)Цели диссертации: доказать свойство стационарности термодинамического потенциала модели Хаббарда; исследовать влияние как внутриорбитального, так и межорбитального корреляционного эффекта на электронные процессы орбитально вырожденных систем, а также роли сильного взаимодействия оптических фононов с электронами на свойства сильно коррелированных электронных систем. Задачи диссертации: развить диаграммную технику для модели Хаббарда, двукратно вырожденных моделей Хаббарда и Андерсона, а так же Андерсона-Холстейна, с помощью которой получить соответствующие уравнения и динамические величины. Научная новизна и оригинальность результатов. Было доказано свойство стационарности термодинамического потенциала модели Хабббарда. В рамках двукратно вырожденной модели показано, что в приближении Хаббарда-I случай половинного заполнения зоны, соответствует только диэлектрическому состоянию, а орбитально- вырожденная теория оказывается аналогичной орбитально невырожденной, если в последней заменить числовые функции Грина двухрядными матрицами, в которых диагональные элементы соответствуют межорбитальным переходам, а недиагональные – внутриорбитальным переходам. В рамках двукратно вырожденной модели Андерсона было показано, что при низких температурах, состояние системы может быть только металлическим, а межорбитальный корреляционный эффект дает положительный вклад в это металлическое состояние; были получены и проанализировали линейные уравнения для сверхпроводящих параметров порядка и сформулировано условие для реализации синглетной сверхпроводимости и определения критической температуры. С помощью диаграммной техники была проанализирована модель Андерсона-Холстейна, в рамках которой была исследована динамика фононных облаков. Показано, что коллективная мода фононных облаков в случае затухает по мере усиления гибридизации.Item Supraconductibilitatea tripletă ca bază a spintronicii supraconductoare [Teza](2024) Boian, Vladimir; Sidorenko, Anatolie (conducător științific)Realizarea unei supape de spin ca element de bază nedisipativ pentru calculatorul supraconductibil, și ajustarea parametrilor de depunere magnetron a nanostructurilor de Nb/Co, într – un singur ciclu de vid cu interfețele adiacente atomar netede. Optimizarea parametrilor tehnologici de depunere a naostraturilor supraconductor/feromagnetic, cu parametri dirijați și strict reproductibili într – un singur ciclu de vid, modelarea matematică a parametrilor tehnologici de depunere magnetron cu ajutorul pachetului LAMMPS, în scopul ajustării lor, studiul proprietăților supraconductoare a structurilor stratificate nanometrice, cu efecte valvă de spin și elemente de memorie.Item Supraconductibilitatea tripletă ca bază a spintronicii supraconductoare [Rezumat](2024) Boian, VladimirRealizarea unei supape de spin ca element de bază nedisipativ pentru calculatorul supraconductibil, și ajustarea parametrilor de depunere magnetron a nanostructurilor de Nb/Co, într – un singur ciclu de vid cu interfețele adiacente atomar netede.Item Fizica heterostructurilor CdS/ZnTe în aplicații fotovoltaice [Teza](2024) Lungu, Ion; Potlog, Tamara (conducător științific)Analiza potențialului utilizării HJ CdS/ZnTe în aplicații fotovoltaice, cu accent pe elaborarea tehnologiei de obținere a benzii intermediare în stratul absorbant prin încorporarea oxigenului în rețeaua de ZnTe. Conceperea designului optimal al dispozitivului fotovoltaic în baza heterojoncțiunii CdS/ZnTe din punct de vedere al eficienței de conversie a energiei solare în energie electrică prin simularea numerică cu softul SCAPS-1D. Elaborarea tehnologiei de obținere a straturilor subțiri ZnO, CdS, ZnTe prin: dirijarea condițiilor tehnologice, dopare, modificarea controlată a morfologiei, proprietăților cristaline, electrice si optice. Realizarea dispozitivelor fotovoltaice în baza compușilor studiați, cercetarea proprietăților fotoelectrice și stabilirea mecanismului de transport al purtătorilor de sarcină electrică.Item Fizica heterostructurilor Cds/Znte în aplicații fotovoltaice [Rezumat](2024) Lungu, IonAnaliza potențialului utilizării HJ CdS/ZnTe în aplicații fotovoltaice, cu accent pe elaborarea tehnologiei de obținere a benzii intermediare în stratul absorbant prin încorporarea oxigenului în rețeaua de ZnTe.Item Фото- и электронно-стимулированные процессы в тонкопленочных структурах карбазол-содержащих полимеров и халькогенидных стекол [Teză](2025) Мешалкин, Алексей; Акимова, Елена (научный руководитель)Исследование роли скалярных и векторных процессов, возникающих в многослойных наноструктурах на основе халькогенидных стекол и в тонких пленках на основе карбазольных полимеров под воздействием фото- и электронного облучения, в создании многофункциональных дифракционных оптических элементов.Item Procese foto- şi electron-induse în structuri subţiri din polimeri carbazolici şi sticle calcogenice [Rezumat](2025) Meșalchin, Alexei; Achimova, Elena (conducător științific)
- «
- 1 (current)
- 2
- 3
- »