МОЛЕКУЛЯРНО-ДИНАМИЧЕСКАЯ ТЕОРИЯ “VALENCE FORCE FIELD” ДЛЯ АЛМАЗОПОДОБНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР И ГРАФЕНОВЫХ СЛОЁВ: ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ СПЕКТРЫ ФОНОНОВ И ТЕПЛОПРОВОДНОСТЬ

Abstract

Цели и задачи: развитие модели колебаний кристаллической решётки “valence-force-field” для теоретического изучения фононных состояний в плоских гетероструктурах (ГС) Si/Ge/Si и Ge/Si/Ge, квантовоточечных сверхрешётках Si/Ge, графеновых слоях и графеновых нанолентах; а также решёточной теплопроводности в гетероструктурах Si/Ge/Si, Ge/Si/Ge и графене.Scopul și obiectivele: dezvoltarea modelului “valence-force-field” al oscilațiilor rețelei cristaline pentru studiul teoretic al stărilor fononice în heterostructurile (HS) Si/Ge/Si și Ge/Si/Ge, în superrețelele formate din punctele cuantice Si/Ge, în straturile și nanopanglicile de grafen, cât și a conductibilității termice de rețea în HS Si/Ge/Si, Ge/Si/Ge și în grafen.Goals and objectives: development of the “valence force field” theory of crystal lattice vibrations for the theoretical study of phonon states in planar Si/Ge/Si and Ge/Si/Ge heterostructures, Si/Ge quantum dot superlattices, graphene layers and graphene nanoribbons as well as lattice thermal conductivity in Si/Ge/Si, Ge/Si/Ge heterostructures and graphene.