2. Articole

Permanent URI for this collectionhttps://msuir.usm.md/handle/123456789/47

Browse

Search Results

Now showing 1 - 5 of 5
  • Thumbnail Image
    Item
    Fotoluminescenţa straturilor nanolamelare de GaSe obţinute prin intercalarea cu Cd [Articol]
    (2012) Dmitroglo, Liliana; Evtodiev, Igor; Caraman, Iuliana; Nedeff, Valentin; Dafinei, Adrian
    S-au analizat spectrele de emisie fotoluminescentă a lamelor monocristaline p-GaSe cu concentraţia golurilor3•1014 cm-3 şi a lamelor intercalate cu Cd în fază de vapori la temperatura 500 °C. Durata tratamentului termic a fost de 20 şi 24 ore. Spectrul de emisie al cristalelor de GaSe conţine liniile excitonilor direcţi localizaţi cu energia de legătură ~6 meV, prima repetare fononică a acestora (ħωf =20 meV) şi banda de emisie a excitonilor indirecţi cu emisia fononilor cu energia 15 meV. Spectrul de emisie a compozitelor obţinute prin intercalarea lamelor de GaSe cu Cd se obţine în rezultatul suprapunerii benzilor de emisie a compusului CdSe şi banda impuritară a monoseleniurii de galiu. Structura spectrului FL depinde de durata tratamentului termic. La majorarea timpului de tratament se amplifică subbanda corespunzătoare compusului CdSe.
  • Thumbnail Image
    Item
    Photoluminescence properties of lamellar nano-composites obtained by Cd intercalation of GaSe and GaSe: Eu single crystals [Articol]
    (2015) Untila, Dumitru; Cantser, Valeriu; Caraman, Mihail; Evtodiev, Igor; Leontie, Liviu; Dmitroglo, Liliana
    In this work surface morphology, composition and photo- luminescence at 293 K and 78 K, of composite obtained by intercalation of GaSe and GaSe:Eu (0.49 at.% and 1.00 at.%) single crystal lamellas with Cd from vapor phase at 753 K and 830 K are investigated. As-obtained composite consists of CdSe and microstructured GaSe single crystallites. Photoluminescence spectrum of GaSe:Eu single crystal lamellas is composed of Eu3+ emission band 5 7 5 7 0 1 0 2( ,D F D FÆ Æ , and 5 7 1 3D FÆ transitions) and indirect exciton line in GaSe crystallites. Emission spectrum of single crystalline GaSe−CdSe composite, at 78 K and 293 K, consists of donor-acceptor band in GaSe microcrystallites and emission band of CdSe crystallites. Composite derived from the intercala- tion of GaSe:Eu (0.49 at.%) single crystals with Cd ex- hibits strong visible luminescence. Its quasi-continuous photoluminescence spectrum is produced by superposi- tion of luminescent emissions of CdSe nano- and mi- croparticles, and microstructured GaSe.
  • Thumbnail Image
    Item
    Электрическая нестабильность в нано - слоистых структурах GaSe, интеркалированных из раствора CdCl 2 [Articol]
    (Universitatea de Stat „Alecu Russo“ din Bălţi, 2015) Споялэ, Дорин
    In lucrarea de faţă sunt prezentate rezultatele cercetărilor a proprietăţilor electrice a le monocristalelor laminare GaSe intercalate din soluţia CdCl2. În procesul de intercalare au fost observate schimbări radicale ale rezistivităţii electrice şi a caracteristicilor curent-tensiune. În primul rând remarcăm faptul apariţiei în dependenţile curent-tensiune a domeniilor cu conductibilitate diferenţială negativă de tip N şi S, care se manifestă la ambele polarităţi ale tensiunii aplicate. În al doilea rând, se evidenţiază o histereză largă a curentului în prosesul de ridicare şi micşorare a tensiunii externe. În al treilea rând, la toate caracteristicile curent-tensiune ridicate se observă instabilitaţi ale curentului electric, care semanifestă printr-o schimbare bruscă şi haotică a curentului odată cu schimbări neesenţiale a tensiunii aplicate. In sfârşit, au fost detectate caracteristicile curent-tensiune cu efect de memristor. Dispozitivele în baza memristorului sunt componente de perspectivă cu aplicaţii în nanoelectronică, pentru crearea memoriei şi circuitelor logicenevolatile superdense, inclusiv pentru computerele neuromorphice.
  • Thumbnail Image
    Item
    Optical properties of compounds with submicron points obtained through Ga2S3 intercalation with Cd [Articol]
    (Universitatea de Stat „Alecu Russo“ din Bălţi, 2012) Racoveț, O.; Evtodiev, I.; Caraman, Iu.; Rotaru, I.; Lazăr, G.
    Luminescence and optical absorption spectra of Ga2S3 single crystals were investigated at temperatures of 78 K and 293 K. Optical band gap is equal to 3.27 eV and 3.457 eV at 293 K and 78 K respectively. Luminescence spectrum of single crystal lamellas at temperature of 78K consists of three bands with peaks at 2.04 eV, 1.84 eV and 1.66 eV.Native structural defects form deep recombination and electronic capture levels localized within the Ga2S3 band gap.
  • Thumbnail Image
    Item
    Fotoluminescenţa structurilor nanolamelare cu puncte metalice obţinute prin intercalarea monocristalului de GaS [Articol]
    (Universitatea de Stat „Alecu Russo“ din Bălţi, 2015) Rotaru, I.
    În lucrare sunt studiate spectrele de fotoluminescenţă (FL) a cristalelor de GaS şi GaS intercalat cu atomi de Cd. Intercalarea cu Cd, a lamelor de GaS s-a efectuat prin tratament termic la temperatura 750K, timp de 6 ore, în atmosferă de vapori ai metalului. Pe suprafaţa exterioară şi în spaţiul dintre împachetările S-Ga-Ga-S se formează puncte de Ga, aranjate preponderent sub formă de hexagoane deformate. Spectrul de FL a cristalelor GaS intercalate cu Cd conţine o bandă cu contur simplu la temperatura T=293K; şi două benzi la T=78K. Banda cu maxim la 2,424 eV are structura compusă din repetări fononice ale emisiei excitonilor indirecţi.