ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ НЕСТАБИЛЬНОСТЬ В НАНО - СЛОИСТЫХ СТРУКТУРАХ GaSe, ИНТЕРКАЛИРОВАННЫХ ИЗ РАСТВОРА CdCl 2

Abstract

In lucrarea de faţă sunt prezentate rezultatele cercetărilor a proprietăţilor electrice a le monocristalelor laminare GaSe intercalate din soluţia CdCl2. În procesul de intercalare au fost observate schimbări radicale ale rezistivităţii electrice şi a caracteristicilor curent-tensiune. În primul rând remarcăm faptul apariţiei în dependenţile curent-tensiune a domeniilor cu conductibilitate diferenţială negativă de tip N şi S, care se manifestă la ambele polarităţi ale tensiunii aplicate. În al doilea rând, se evidenţiază o histereză largă a curentului în prosesul de ridicare şi micşorare a tensiunii externe. În al treilea rând, la toate caracteristicile curent-tensiune ridicate se observă instabilitaţi ale curentului electric, care semanifestă printr-o schimbare bruscă şi haotică a curentului odată cu schimbări neesenţiale a tensiunii aplicate. In sfârşit, au fost detectate caracteristicile curent-tensiune cu efect de memristor. Dispozitivele în baza memristorului sunt componente de perspectivă cu aplicaţii în nanoelectronică, pentru crearea memoriei şi circuitelor logicenevolatile superdense, inclusiv pentru computerele neuromorphice.In this work, we report the results of our researches concerning the electrical properties of GaSe single crystals intercalated from CdCl 2 solution. In the process of intercal ation a radical change of the resistance and I - U characteristics were observed. First, we note the appearance of regions with N - and S - types negative differential conductivity which was manifested at both polarities of the external bias voltage. Secondly, attention is drawn to existence on I - U curves of the broad current hysteresis at increasing and decreasing of applied voltage. Thirdly, on all I - U curves were observed current instabilities, which appear as sharp chaotic current changes at a slight change of applied voltage. And finally, the memristor effect in this study was detected. Memristive devices are promising components for nanoelectronics with applications in nonvolatile memory and storage, defect - tolerant circuitry, and neuromorphic computing.