Browsing by Author "Coval, Andrei"

Now showing 1 - 17 of 17

About the edge luminescence of cadmium sulphide thin layers grown on molybdenum [Articol]
(Institute of Electrical and Electronics Engineers, 1995-11-11) Raevschi, Simion; Gorceac, Leonid; Coval, Andrei; Chetruș, Petru
CdS layers on to molybdenum were synthesized from separate elements in an open flowing hydrogen set. The surface micromorphology and some electrical and photoluminescent properties were investigated. The nature of layers edge photoluminescence peaks are discussed in the frames of the excitated exciton model.
CdS nanometric layers grown on SnO2 coated glass substrates for photovoltaic devices [Articol]
(2012) Botnariuc, Vasile; Gorceac, Leonid; Coval, Andrei; Chetruș, Petru; Cinic, Boris; Raevschii, Simion; Micli, Valdec
CdS layer thickness decreases at high substrate temperatures due to the fact that a part of CdCl2/(NH2)2 CS aqueous solution evaporates without reaching the substrate surface. CdS layers deposited at the substrate temperature from 250oC to 450oC are growing with a deficit of sulfur. CdS layers with better stoichiometry were grown in the conditions when in the solutions, used for CdS layers growing, there is an excess of thiourea (CdCl2/ TU =1:2). The high charge carrier concentration of 1020cm-3 in CdS layers grown on glass substrates coated with SnO2 layer is related to Sn doping of the layers from SnO2 layer.
CELULE FOTOVOLTAICE CU HOMOJONCŢIU.NE DIN InP: REZULTATE ŞI COMPARĂRI
(CEP USM, 2016) Botnariuc, Vasile; Gașin, Petru; Gorceac, Leonid; Cinic, Boris; Coval, Andrei; Raevschi, Simion
Au fost obţinute homojoncţiuni n-pInP cu strat intermediar p-InP crescut repetat prin metoda HVPE cu sau fără strat frontal nCdS şi au fost cercetate proprietăţile electrice şi fotoelectrice ale acestora. S-a constatat că depunerea stratului intermediar măreşte fotosensibilitatea homostructurilor cu 15...20%. Eficienţa energetică a CF cu structura n+ CdS-n+InP-p-InP-p+InP constituie 13,5% pentru fluxul luminos incident de 100 mWcm-2. Eficienţa CF cu heterostructura nCdS-pInPşi cu strat intermediar similar creşte cu 27%, în comparaţie cu CFcu homostructura n-p--pInP şi cu strat frontal nCdS, având valoarea de 17,3%. Se conturează posibilitatea reală de mărire a eficienţei CF de acest tip.
CELULE SOLARE CU HOMOJONCIUNE DIN FOSFURĂ DE INDIU
(CEP USM, 2013) Botnariuc, Vasile; Gorceac, Leonid; Cinic, Boris; Coval, Andrei; Inculeț, Ion; Raevschi, Simion
Homojoncţiunea p+-p--n+InPcu şi fără strat frontal nCdS a fost obţinută aplicând metoda de epitaxie din faza gazoasă în sistemul In -PCl3-H2(p-InP, n+InP) şi metoda de volum cvasiînchis (nCdS). La studierea proprietăţilor electrice şi fotoelectrice ale acestor structuri s-a constatat că fotosensibilitatea a crescutcu două ordine,iar eficienţa CS este de 12% pentru homo structura cu strat frontal nCdS. Aceasta se datorează micşorării recombinării purtătorilor de sarcină minoritari la suprafaţă şi particularităţilor proprietăţilor electrice şi fotoelectrice ale acestor structuri.
Cercetarea celulelor solare cu heterojoncţiunea nCdS-pInP [Articol]
(CEP USM, 2009) Gorceac, Leonid; Botnariuc, Vasile; Raevschi, Simion; Coval, Andrei; Chitoroagă, Andrei
Photoelectrical dependencies of nCdS-pInP solar cells, as a function of electro physical parameters, crystallographic orientation of InP substrate and of the deposition duration of the nCdS epitaxial for layer are presented. It was established that the maximum value of the efficiency of solar energy into electrical one is obtained for the holes concentration in the substrate of 2·1016 cm-3, crystallographic orientation (100) and layer growth duration of 25 min. The hetero structure parameters influencing the named dependencies are determined.
Dispozitive din fosfură de indiu bazate pe efectul fotovoltaic [Articol]
(CEP USM, 2021) Botnariuc, Vasile; Gorceac, Leonid; Coval, Andrei; Vatavu, Sergiu; Cinic, Boris; Rotaru, Corneliu; Raevschi, Simion
Homo- și heterojoncțiunile din p - InP și n - CdS au fost confecționate aplicând metoda epitaxiei din faza gazoasă în volum deschis, în sistem de cloruri, metoda HVPE (Hydride Vapour Phase Epitaxy) și tehnologia în volum cvasiînchis, în hidrogen. S-a stabilit că eficiența celulelor fotovoltaice pe bază de heterojoncțiuni n+CdS-p-p+InP cu suprafața fotoactivă de 3 cm2 și pe homojoncțiuni n+- p- p+InP (1 cm2) constituie 12% și,respectiv, 7,3% în condiții de iluminare standard, AM1 (1000 Wm-2). Eficiența cuantică externă maximală constituie 75-80% pentru heterojoncțiunea n+CdS - p- p+ InP și 70% pentru homojoncțiunea n+-p-p+InP în intervalul (600-900) nm al spectrului electromagnetic. Fotosensibilitatea absolută maximă de 0,51 A/W este caracteristică pentru heterojoncțiunea n+CdS - p- p+InP cu strat epitaxial intermediar(p = 6,51016 cm-3). Astfel de heterojoncțiuni pot fi utilizate pentru elaborarea fotodetectorilor în intervalul VIS.
Fotodetector pe heterojoncțiune din fosfură de indiu [Articol]
(CEP USM, 2020) Gorceac, Leonid; Botnariuc, Vasile; Coval, Andrei; Vatavu, Sergiu; Cinic, Boris; Raevschi, Simion; Rotaru, Corneliu
INFLUIENŢA TRATĂRII TERMICE ÎN AZOT SAU ÎN VID ASUPRA PROPRIETĂŢILOR STRATURILOR DE GaN CRESCUTE PE Si(111) PRIN METODA HVPE
(CEP USM, 2015) Botnariuc, Vasile; Cinic, Boris; Coval, Andrei; Gașin, Petru; Gorceac, Leonid; Raevschi, Simion
A fost studiată influenţa tratării termice la temperaturi ridicate în azot sau în vid asupra proprietăţilor straturilor de GaN depuse pe siliciu prin metoda reacţiilor chimice de transport în sistemul (H2-NH3-HCl-Ga-Al), (HVPE). În spectrele de fotoluminescenţă(FL), la 300 K, ale straturilor netratate se evidenţiază două fâşii de recombinare radiantă, cu maximele la 370 şi 555 nm. La tratarea în azot intensitatea fâşiei 370 nm creşte, iar la tratarea în vid – descre şte. Intensitatea benzii galbene (555 nm), la tratare în ambele medii, scade neesenţial. Se demonstrează că parametrii electrici ai straturilor pot fi, de asemenea, modificaţi prin metoda tratării termice în azot sau în vid, precum şi prin durata de tratare.
Obţinerea structurilor n+SnO2/nSi şi cercetarea proprietăţilor acestora [Articol]
(CEP USM, 2007) Bobeico, Eugenia; Bruc, Leonid; Caraman, Mihail; Coval, Andrei; Fedorov, Vladimir; Simaşchevici, Alexei; Şerban, Dormidont; Usatîi, Iurie
By the method of pyrolitic spraying spirit solutions of chlorides of tin and antimony transparent (transmission ~ 85%) and conductive (σ ~ 102 Ohm-1cm-1) layers of SnO2:Sb were obtained. By using these layers izotype SIS structures In/n+SnO2 :Sb/SiO2/nSi/Cu are produced. Their electrophysical properties are studied. The energy diagram of heterostructure n+SnO2:Sb/nSi is constructed and the mechanism of current transition is determined.
Parametrii celulelor solare nITO/pInP obţinute prin metoda pulverizării pirolitice în dependenţă de tratarea lor termică în hidrogen [Articol]
(CEP USM, 2007) Simaşchevici, Alexei; Şerban, Dormidont; Gorceac, Leonid; Bruk, Leonid; Coval, Andrei; Usatîi, Iurie; Fedorov, Vladimir
The main objective of this communication is the investigation of the influence of thermal treatment in H2on the parameters of In/nITO/P2O5/pInP/Ag:Zn solar cells obtained by ITO layers pyrolithic pulverization. The ITO/pInP heterostructures obtaining take place at the temperature of 450ºC. The photoelectric parameters of the solar cell received on InP wafers with concentration p = 3·1017cm-3after the thermal treatment are Voc=0.626 V, Isc = 22.72 mA/cm2, FF = 71%, Eff =10.09%. As a result of these investigations it was shown that the thermal treatment of In/nITO/pInP/Ag:ZnSC in H2at 350oC during 10 min. leads to considerable improvement of their photoelectric parameters.
Proprietăţi electrofizice ale straturilor de CdS obţinute prin metoda pulverizării cu tratare termică în hidrogen [Articol]
(CEP USM, 2012) Botnariuc, Vasile; Gorceac, Leonid; Coval, Andrei; Cinic, Boris; Chetruș, Petru; Raevschi, Semion; Banu, Simion
Prin metoda pulverizării chimice au fost crescute straturi de CdS din soluţii apoase de CdCl2/(NH2)2 CS cu molaritatea de 0,1 M în intervalul de temperaturi (250...450)°C. Straturile au fost tratate termic în flux de hidrogen timp de 20 min la temperaturile de 350 şi 450°C. Au fost cercetate proprietăţile electrofizice şi fotoluminescenţa acestor straturi. În straturile depuse la 450°C cu mărirea temperaturii de tratare până la 450°C se observă o uşoară micşorare a concentraţiei purtătorilor de sarcină. Spectrul fotoluminescenţei prezintă o fâşie largă în intervalul de energii 1,6...2,6 eV. Se observă un vârf al fotoluminescenţei cu energia de 1,95 eV, care se deplasează cu mărirea temperaturii de creştere a straturilor de CdS şi atinge valoarea de 2,5 eV pentru straturile crescute la temperatura de 450°C.
Stanat de cadmiu obţinut prin metoda pulverizării [Articol]
(CEP USM, 2013-09-26) Botnariuc, Vasile; Gorceac, Leonid; Coval, Andrei; Inculeţ, Ion; Chetruş, Petru; Raevschi, Simion
Straturi CdS crescute pe suporturi de sticlă prin metoda pulverizării [Articol]
(CEP USM, 2012) Botnariuc, Vasile; Gorceac, Leonid; Coval, Andrei; Chetruș, Petru; Cinic, Boris; Raevschi, Simion; Micli, Valdec
CdS layers were grown from aqueous solutions of cadmium chlorine (CdCl2) and thyourine (NH2)2 CS with the molarity of 0,1 M by pulverization method in the temperature range of (250...450)°C. CdS layers were grown on glass substrates covered with a previously deposited SnO2 layer. The deposited CdS layers morphology, atomic weight and composition were studied biasing a sunning electron microscope (SEM). The morphology, atomic weight and composition of the deposited CdS layers considerably changes with the increase of the deposition temperature. The charge carriers’ concentration and their mobility in CdS layers deposited at different temperatures were measured and estimated.
Straturi subţiri de CdS depuse din soluţii lichide (baie chimică) [Articol]
(CEP USM, 2011) Botnariuc, Vasilii; Gorceac, Leonid; Coval, Andrei; Raevschi, Simion; Micli, Valdec; Cinic, Boris
Thin layers of CdS were deposited on InP (100) substrates with a (3...5) arc degrees misorientation relative to (110) using water solutions of CdSO4, (NH4)2SO4, NH4OH, NH4Cl and CS(NH2)2 for synthesis. The morphology, atomic composition, photoluminescence and electrical properties of the deposited layers were investigated. The morphology of the CdS layers is characterized by a granular structure that is not changing under thermic treatment. A band in the energy interval (1,55 – 3,1) eV at 77 K with the maximum at 2,282 eV is observed in the photoluminescence spectra of the thin layers. Under thermic treatment from 200°C to 500°C in hydrogen the concentration of charge carriers is increasing from 2⋅1017 cm-3 to 2⋅1018 cm-3.
Straturi subţiri de oxid de zinc crescute prin metoda pulverizării în flux de argon [Articol]
(CEP USM, 2018) Botnariuc, Vasile; Gorceac, Leonid; Coval, Andrei; Cinic, Boris; Gaugaș, Petru; Chetruș, Petru M.; Moldovanu, Sergiu; Raevschi, Simion
Straturile subţiri de ZnO au fost crescute din acetat de zinc dizolvat în apă-acid acetic-metanol cu o molaritate de 0,2 M folosind metoda pulverizării în intervalul de temperaturi (250-450)°C în flux de argon. Au fost cercetate proprietăţile optice şi electrice ale acestor straturi în dependenţă de temperatura de creștere. Transmitanţa în diapazonul de lungimi de undă (300-1000) nm are valori de 80-85%. Rezistenţa specifică a straturilor subțiri de ZnO crescute la 450°C după tratarea termică în vid şi hidrogen la 450°C timp de o oră se micșorează de la 33 •cm până la 0,028 •cm. Recombinarea radiantă în straturile de ZnO este însoțită de tranziții pe niveluri adânci și de tranziții bandă-bandă la interacțiunea purtătorilor de sarcină cu fononii de tip LO.
Studiul proprietăţilor electrice şi fotovoltaice ale structurilor ITO-SI în baza siliciului multicristalin [Articol]
(CEP USM, 2009) Simaşchevici, Alexei; Şerban, Dormidont; Bruc, Leonid; Gorceac, Leonid; Coval, Andrei; Fedorov, Vladimir; Usatîi, Iurie
ITO-polycrystalline p-type silicon structures with surface barriers are obtained by pyrolytical spraying of indium andtin chloride solutions and their electrical and photoelectrical properties are studied. The spectral sensibility range, current transport mechanisms and the parameters of the heterostructure under forward and reverse bias are determined. It isshown the possibility of using these heterojunctions in solar radiation conversion.
ZnO nanometric layers used in photovoltaic cells [Articol]
(Springer Nature, 2020) Botnariuc, Vasile; Gorceac, Leonid; Coval, Andrei; Cinic, Boris; Gaugas, Petru; Chetrus, Petru; Lungu, Ion; Raevschi, Simion
The ZnO thin layers were grown on glass, InP and pInP-nCdS substrates from zinc acetate dissolved in water-acetic acid-methanol solution having a molarity of 0.2 M by using the spray method in the argon flow in the temperature range of (250–450) °C. The dependence of optical properties of ZnO layers on growth temperature have been investigated. The optical transmittance has values of 80–85% in the wavelength range of (200–1000) nm. The using of ZnO of the thickness of (60–80) nm as antireflective layers in nCdS-pInP structures allowed to increase the photovoltaic cell efficiency by 3%. The photosensitivity of the fabricated nZnO-pInP structures covers the wavelength region from 450 nm up to 1100 nm and allows the more efficient utilization of the incident light.