PROPRIETĂŢI ELECTROFIZICE ALE STRATURILOR DE CdS OBŢINUTE PRIN METODA PULVERIZĂRII CU TRATARE TERMICĂ ÎN HIDROGEN

Abstract

Prin metoda pulverizării chimice au fost crescute straturi de CdS din soluţii apoase de CdCl2/(NH2)2 CS cu molaritatea de 0,1 M în intervalul de temperaturi (250...450)°C. Straturile au fost tratate termic în flux de hidrogen timp de 20 min la temperaturile de 350 şi 450°C. Au fost cercetate proprietăţile electrofizice şi fotoluminescenţa acestor straturi. În straturile depuse la 450°C cu mărirea temperaturii de tratare până la 450°C se observă o uşoară micşorare a concentraţiei purtătorilor de sarcină. Spectrul fotoluminescenţei prezintă o fâşie largă în intervalul de energii 1,6...2,6 eV. Se observă un vârf al fotoluminescenţei cu energia de 1,95 eV, care se deplasează cu mărirea temperaturii de creştere a straturilor de CdS şi atinge valoarea de 2,5 eV pentru straturile crescute la temperatura de 450°C.CdS layers were grown from the aqueous solution of CdCl2/(NH2)2 CS having a molarity of 0,1M by pulverization method in the temperature range of (250...450)°C. The layers were heat treated in a hydrogen flow during 20 min at the temperatures of 350°C and 450°C. Electro- physical properties and photoluminescence of these layers were studied. For the layers deposited at 450°C a slight decrease of charge carriers concentration is observed with the increase of treatment temperature up to 450°C. The photoluminescence spectrum consists of a large band in the energy interval from 1,6 eV to 2,6 eV. A photoluminescence peak with the energy of 1,95 eV is observed, which is shifting with CdS layer growth temperature increase and if reaches the value of 2,5 eV for the layers grown at the temperature of 450°C.