Browsing by Author "Покатилов, Евгений"

Now showing 1 - 9 of 9

Акустические фононы в Si/Ge supra-кристалле [Articol]
(CEP USM, 2008) Ника, Денис; Покатилов, Евгений; Зинченко, Надежда
În prezenta lucrare au fost investigate, din punct de vedere teoretic, proprietăţile fononilor acustici în tridimensionale ordonate Si/Ge suprareţele formate din puncte cuantice (supra-crystals). Calculele spectrelor şi ale dispersiilor fononilor acustici au fost realizate în cadrul modelului dinamic-molecular FCC (face-centered cubic cell). Au fost cercetate dependenţele densităţii de stări ale fononilor şi ale vitezelor de grup de energia fononilor. A fost stabilit că viteza mediede grup a fononilor acustici este aproape de zero în intervalul larg al energiilor fononilor hω >10 meV. Rezultateleobţinute ne permit să prezicem valoarea mică a conductibilităţii termice a reţelei în supra-crystals şi, respectiv, valoareamare a coeficientului termoelectric ZT.
Вычисление кулоновского поля в дипольной решётке методом эвальда в дополнение к модели VFF для расчёта колебаний ионного кристалла GaP [Articol]
(CEP USM, 2010) Крышмарь, Дмитрий; Покатилов, Евгений
În lucrare au fost calculate dispersiile în cristalul volumetric GaP în scopul utilizării ulterioare în practică a metodelor de calculare a spectrelor de oscilaţii pentru compuşii ionici nanodimensionali ai fosfurii de galiu şi ai altor materiale polare. La soluţionarea problemei de convergenţă a sumei interacţiunilor Coulombiene a fost utilizată metoda Ewald. Sunt prezentaţi parametrii interacţiunilor interatomare, obţinute prin minimalizarea discordanţei dintre rezultatele teoretice şi datele experimentale. Drept urmare, a fost stabilit câmpul forţelor de valenţă caracterizat de doisprezece parametri, în care energia potenţială de deformaţie este compusă din şase tipuri de interacţiuni covalente (modelul VFF). De asemenea, au fost calculate dispersiile fononice de-a lungul axelor principale de simetrie a structurii cristaline cercetate (direcţiile Γ → X , Γ → K şi Γ → L ale zonei Brillouin). Aplicarea modelului VFF şi a metodei Ewald a permis reproducerea cu precizie înaltă a dependenţelor dispersionale experimentale şi stabilirea setului de parametri ai interacţiunilor interatomare, care vor fi utilizate în continuare pentru determinarea spectrului energetic al diferitelor structuri nanodimensionale din materialul ionic ales (heterostraturi, heterofiruri etc.).
Газочувствительные свойства структуры слой халькогенидного стекла – металл [Articol]
(CEP USM, 2007) Покатилов, Евгений; Ника, Денис; Зинченко, Надежда; Аскеров, Артур; Дементьев, Игорь; Дмитриев, Сергей; Гоглидзе, Татьяна
În articolul de faţă este elaborată teoria sensibilităţii gazoase a straturilor subţiri din sticlă halcogenidă. Au fost obţinute şi detaliat cercetate dependenţele sensibilităţii gazoase de grosimea şi parametrii straturilor halcogenide. S-a demonstrat că sensibilitatea gazoasă creşte cu micşorarea concentraţiei purtătorilor de sarcină, a permeabilităţii dielectrice şi, de asemenea, a grosimii stratului.
Динамическая модель колебаний решётки в квантовых прямоугольных нитях [Articol]
(CEP USM, 2007) Зинченко, Надежда; Ника, Денис; Покатилов, Евгений
În articol sunt prezentate rezultatele investigării proprietăţilor acustice ale heterofirelor şi ale firelor omogene dreptunghiulare cuantice pe baza Si în cadrul modelului dinamic al reţelei cristaline. Au fost cercetate spectrele energetice şi vitezele de grup în heterofirul Si/Ge. S-a făcut comparaţia cu firul omogen din Si. A fost realizată comparaţia cu rezultatele obţinute în cadrul modelelor dinamic al reţelei cristalinei şi continual. S-a stabilit că abordarea continuală este aplicabilă la fononii acustici cu energie mică (valorile mici ale numărului de undă şi ale numărului cuantic al fononului).
Инженерия тепловых потоков в плоских наноструктурах [Articol]
(CEP USM, 2009) Ника, Денис; Зинченко, Надежда; Покатилов, Евгений
În lucrare se arată, că la amplasarea nanostratului conductibil de căldură în armă turi confecţionate din materiale cu coeficient de rigiditate mai mic, este posibil de a realiza efectul paradoxal de micşorare a valorii fl uxului termic care circulă prin întreaga heterostructură în comparaţie cu fluxul termic prin stratul singular. În calitate de exemplu este cercetată heterostructura Pl/Si/Pl. Dependenţele dispersionale pentru fononii acustici sunt obţinute în cadrul modelului molecular-dinamic Face-centered cubic cell. Se arată că în heterostructura 3-stratificat ă existătrei tipuri de mode de oscilaţie: (1) „comune” (distribuite dupătoată grosimea heterostructurii), (2) „interioare” şi (3) „exterioare”, concentrate în stratul interior şi în arm ăturile heterostructurii, corespunzător. Micşorarea fluxului termic poate fi obţinută la amplificarea difuziei fononilor modelor „comune” pe suprafeţele exterioare ale heterostructurii.
Исследование кулоновского взаимодействия в квантовой точке Si/SiO2 [Articol]
(CEP USM, 2007) Исакова, Калина; Ника, Денис; Аскеров, Артур; Зинченко, Надежда; Покатилов, Евгений
În lucrare sunt prezentate cercetările distribuţiei potenţialului în punctul cuantic din Si plasat în mediu dielectric SiO2. Au fost cercetate dependenţele distribuţiei potenţialului de mărimea razei sferei din Si. Au fost comparate distribuţiile potenţialului pentru diferite permitivităţi electrice ale sferei.
МОЛЕКУЛЯРНО-ДИНАМИЧЕСКАЯ ТЕОРИЯ “VALENCE FORCE FIELD” ДЛЯ АЛМАЗОПОДОБНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР И ГРАФЕНОВЫХ СЛОЁВ: ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ СПЕКТРЫ ФОНОНОВ И ТЕПЛОПРОВОДНОСТЬ
(2023) Аскеров, Артур; Покатилов, Евгений
Цели и задачи: развитие модели колебаний кристаллической решётки “valence-force-field” для теоретического изучения фононных состояний в плоских гетероструктурах (ГС) Si/Ge/Si и Ge/Si/Ge, квантовоточечных сверхрешётках Si/Ge, графеновых слоях и графеновых нанолентах; а также решёточной теплопроводности в гетероструктурах Si/Ge/Si, Ge/Si/Ge и графене.
Размерно квантованные осцилляции подвижности электронов, обусловленные взаимодействием с полярным и оптическими фонами [Articol]
(CEP USM, 2007) Аскеров, Артур; Покатилов, Евгений; Ника, Денис
În articol este cercetată dependenţa mobilităţii electronice de dimensiunile canalului conductiv în heterostructura planară AlN/GaN/AlN. Se demonstrează teoretic că dependenţa mobilităţii electronice de dimensiunile canalului conductiv are un caracter oscilatoriu. Acest caracter oscilatoriu este explicat de interacţiunea tranziţiilor electronilor între subbenzi şi în cadrul subbenzilor.
Экситонные состояния в квантовых точках Si/SiO2 [Articol]
(CEP USM, 2008) Исакова, Калина; Ника, Денис; Покатилов, Евгений
În lucrare este dezvoltată teoria stărilor electronice, de gol şi excitonice pentru punctul cuantic din Si, plasat în mediuldielectric. A fost cercetată dependenţa pătrunderii în mediul dielectric de înălţimea barierei potenţiale şi a fost demonstratcă nanostructurile de acest tip pot fi utilizate cu succes în optoelectronică şi biomedicină. De asemenea, a fost studiatădependenţa energiei de legătură a excitonului de înălţimea barierei potenţiale.