CdS NANOMETRIC LAYERS GROWN ON SnO2 COATED GLASS SUBSTRATES FOR PHOTOVOLTAIC DEVICES

Abstract

CdS layer thickness decreases at high substrate temperatures due to the fact that a part of CdCl2/(NH2)2 CS aqueous solution evaporates without reaching the substrate surface. CdS layers deposited at the substrate temperature from 250oC to 450oC are growing with a deficit of sulfur. CdS layers with better stoichiometry were grown in the conditions when in the solutions, used for CdS layers growing, there is an excess of thiourea (CdCl2/ TU =1:2). The high charge carrier concentration of 1020cm-3 in CdS layers grown on glass substrates coated with SnO2 layer is related to Sn doping of the layers from SnO2 layer.

Grosimea stratului de CdS se diminuiază la temperaturi ridicate ale substratului, datorită faptului că o parte din soluţia apoasă CdCl2/(NH2)2CS se evaporă fără a atinge suprafaţa substratului. Straturile CdS depuse la temperatura substratului de la 250°C la 450°C sînt în creştere cu un deficit de sulf. Straturi CdS cu o stoichiometrie mai bună au fost obţinute în condiţiile în care în soluţiile, utilizate pentru depunerea straturilor CdS, există exces de tiouree (CdCl2/ TU =1:2). Concentraţia înaltă de transport de 1020 cm-3 în straturile CdS depuse pe substraturi de sticlă, acoperite cu un strat de SnO2, este legată de dopajul straturilor cu Sn din stratul SnO2.