Facultatea de Fizică şi Inginerie / Faculty of Physics and Engineering
Permanent URI for this communityhttps://msuir.usm.md/handle/123456789/7
Browse
6 results
Search Results
Item Фототермопластические структуры на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников для регистрации рельефно-фазовых голограмм в реальном масштабе времени [Articol](CEP USM, 2012) Кирица, Аркади; Коршак, Олег; Прилепов, Владимир; Жидков, Юрий; Наседкина, Надежда; Робу, Штефан; Чорный, АлексейA fost investigată posibilitatea înregistrării informaţiei optice pe purtători fototermoplastici pe bază de semiconductori calcogenici sticloşi prin metoda rastrării interferenţiale. A fost demonstrată posibilitatea înregistrării simultane a reţelelor interferenţiale şi a hologramelor.Item Определение размеров непрозрачных микрообъектов голографическими методами [Articol](CEP USM, 2012) Кирица, Аркади; Коршак, Олег; Прилепов, Владимир; Жидков, Юрий; Андриеш, Ион; Наседкина, Надежда; Чорный, АлексейPe baza semiconductorilor calcogenici sticloşi au fost obţinuţi purtători fototermoplastici cu o sensibilitate holografică de până la 7·106 cm2/J. Au fost studiate procesele de înregistrare a reţelelor holografice pe purtători în timp real. Se demonstrează posibilitatea utilizării acestora pentru măsurarea dimensiunilor microobiectelor netransparente prin metoda rastrării interferenţiale. Este dat un calcul detaliat al parametrilor instalaţiei optice.Item Исследование фототермопластических носителей на основе аморфных стеклообразных полупроводников системы As4Se3S3 и диэлектрика BaF2 в процессах регистрации импульсных голограмм [Articol](CEP USM, 2009) Кирица, АркадийÎn prezenta lucrare sunt studiate proprietăţile purtătorilor fototermoplastici cu strat halogenic în bază de semiconductori din sistemul As4Se3S3 la înregistrarea pe aceştia a hologramelor. Au fost studiate, de asemenea, caracteristicile holografi ce ale purtătorilor ce conţin suplimentar un strat de dielectric în baza substanţei BaF2.Item Поляризационные свойства рельефно-фазовых голограмм, зарегистрированных на фототермопластическом носителе [Articol](CEP USM, 2007) Кирица, Аркадий; Коршак, Олег; Ротару, ВасилеÎn lucrare sunt cercetate proprietăţile de polarizare ale purtătorului fototermoplastic în bază flexibilă tereflalat etilenic, cu un strat sensibil la lumină din semiconductor halcogenic sticlos As2Se3(0.5)-As2S3(0.5)şi termoplastic în bază de poliexopropilcarbazol. Sunt studiate proprietăţile de polarizare ale reţelelor interferometrice şi ale hologramelor de fază-relief înregistrate pe purtătorii fototermoplastici.Item Интерференционное растрирование носителей для регистрации оптической информации на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников [Articol](CEP USM, 2009) Жидков, Юрий; Коршак, Олег; Припелов, Владимир; Нямцу, Севастьян; Кирица, Аркадий; ;În prezenta lucrare este studiată posibilitatea înregistrării informaţiei optice pe purtători fototermoplastici în baza de semiconductori halogenici sticloşi prin metoda rastării interferenţiale. Este demonstrată posibilitatea înregistrării reţelelor interferenţiale şi a hologramelor la interferenţă în procesul înregistrării concomitente a acestora.Item Применение фототермопластических носителей на основе аморфных стеклообразных полупроводников в импульсной голографии [Articol](CEP USM, 2009) Кирица, АркадийÎn prezenta lucrare sunt studiate posibilităţile de aplicare a purtătorului fototermoplastic ce conţine un start fotosensibil din semiconductor halogenic sticlos în bază de As-Se-S şi termoplastic din poliepoxipropilcarbazol la înregistrarea prin impulsuri a hologramelor mobile ale obiectelor de dimensiuni microscopice. Sunt studiate procesele de înregistrare a hologramelor reliefo-fazice ale microobiectelor care difuzează lumina şi mărirea ulterioară a imaginilor holografi ce restabilite.