În cadrul modelului molecular-dinamic Valence Force Field au fost cercetate proprietăţile fononice ale suprareţelelor formate din punctele cuantice Si/Ge. Se arată, că vitezele de grup medii ale fononilor în suprareţea sunt practic nule într-un diapazon larg al energiei fononilor ħω >10 meV. Rezultatele obţinute permit a prognoza valori mici ale conductibilităţi itermice de reţea a suprareţelelor comparativ cu firele cuantice.
