Facultatea de Fizică şi Inginerie / Faculty of Physics and Engineering
Permanent URI for this communityhttps://msuir.usm.md/handle/123456789/7
Browse
2 results
Search Results
Item Micro and nanocomposites of gallium oxides and chalcogens as radiation receivers and gas sensors [Articol](Editura USM, 2024) Sprincean, Veaceslav; Caraman, MihailBy thermal treatment (TT) in water vapor atmosphere at 750 ℃ and 900 ℃ of β-GaS and εGaSe single-crystalline wafers, Ga2S3/Ga2Se3 - GaS/GaSe and β-Ga2O3 - GaSe/GaSe layers formed by nanowires and nanopangles photosensitive in the far Ultra-Violet (UVC) region were obtained. The electrical conductivity of β-Ga2O3 layer on GaS/GaSe substrate increases under the influence of water vapor. The link between the relative humidity of water vapor in the atmosphere and the electrical conductivity of the β-Ga2O3 layer was established.Item Structura și compoziția elementară a stratului de Ga2O3 pe substrat de Ga2O3 [Articol](CEP USM, 2019) Sprincean, VeaceslavNanoformațiunile din cristalite monofazice cu rețea cristalină monoclinică de oxid Ga2O3 au fost cercetate folosind imaginile suprafeței SEM, diagramele XRD, spectrele de difuzie combinată Raman și spectrele EDS. Oxidul Ga2O3 a fost sintezat prin călire în atmosfera normală a monocristalelor Ga2S3. La temperaturi de călire de 1070 K și 1170 K se obține un strat omogen compus din nanocristalite de Ga2O3 cu rețea cristalină monoclinică. Stratul de oxid de la suprafața eșantionului conține un surplus de oxigen și de sulf. Concentrația sulfului în unitate de arie de Ga2O3 se micșorează de la 0,13% at. până la 0,05% at. odată cu majorarea temperaturii de călire de la 970 K la 1170 K