2. Articole

Permanent URI for this collectionhttps://msuir.usm.md/handle/123456789/47

Browse

Search Results

Now showing 1 - 3 of 3
  • Thumbnail Image
    Item
    Fotoluminescenţa straturilor nanolamelare de GaSe obţinute prin intercalarea cu Cd [Articol]
    (2012) Dmitroglo, Liliana; Evtodiev, Igor; Caraman, Iuliana; Nedeff, Valentin; Dafinei, Adrian
    S-au analizat spectrele de emisie fotoluminescentă a lamelor monocristaline p-GaSe cu concentraţia golurilor3•1014 cm-3 şi a lamelor intercalate cu Cd în fază de vapori la temperatura 500 °C. Durata tratamentului termic a fost de 20 şi 24 ore. Spectrul de emisie al cristalelor de GaSe conţine liniile excitonilor direcţi localizaţi cu energia de legătură ~6 meV, prima repetare fononică a acestora (ħωf =20 meV) şi banda de emisie a excitonilor indirecţi cu emisia fononilor cu energia 15 meV. Spectrul de emisie a compozitelor obţinute prin intercalarea lamelor de GaSe cu Cd se obţine în rezultatul suprapunerii benzilor de emisie a compusului CdSe şi banda impuritară a monoseleniurii de galiu. Structura spectrului FL depinde de durata tratamentului termic. La majorarea timpului de tratament se amplifică subbanda corespunzătoare compusului CdSe.
  • Thumbnail Image
    Item
    Optical properties of compounds with submicron points obtained through Ga2S3 intercalation with Cd [Articol]
    (Universitatea de Stat „Alecu Russo“ din Bălţi, 2012) Racoveț, O.; Evtodiev, I.; Caraman, Iu.; Rotaru, I.; Lazăr, G.
    Luminescence and optical absorption spectra of Ga2S3 single crystals were investigated at temperatures of 78 K and 293 K. Optical band gap is equal to 3.27 eV and 3.457 eV at 293 K and 78 K respectively. Luminescence spectrum of single crystal lamellas at temperature of 78K consists of three bands with peaks at 2.04 eV, 1.84 eV and 1.66 eV.Native structural defects form deep recombination and electronic capture levels localized within the Ga2S3 band gap.
  • Thumbnail Image
    Item
    Fotoluminescenţa structurilor nanolamelare cu puncte metalice obţinute prin intercalarea monocristalului de GaS [Articol]
    (Universitatea de Stat „Alecu Russo“ din Bălţi, 2015) Rotaru, I.
    În lucrare sunt studiate spectrele de fotoluminescenţă (FL) a cristalelor de GaS şi GaS intercalat cu atomi de Cd. Intercalarea cu Cd, a lamelor de GaS s-a efectuat prin tratament termic la temperatura 750K, timp de 6 ore, în atmosferă de vapori ai metalului. Pe suprafaţa exterioară şi în spaţiul dintre împachetările S-Ga-Ga-S se formează puncte de Ga, aranjate preponderent sub formă de hexagoane deformate. Spectrul de FL a cristalelor GaS intercalate cu Cd conţine o bandă cu contur simplu la temperatura T=293K; şi două benzi la T=78K. Banda cu maxim la 2,424 eV are structura compusă din repetări fononice ale emisiei excitonilor indirecţi.