2. Articole

Permanent URI for this collectionhttps://msuir.usm.md/handle/123456789/47

Browse

Subject: search.filters.subject.indium phosphide

Search Results

Now showing 1 - 3 of 3
  • Thumbnail Image
    Item
    FABRICATION AND CHARACTERIZATION OF FLEXIBLE COMPOSITE MATERIAL BASED ON AEROGRAPHITE/INP MICRO-ANOSTRUCTURES
    (UTM, 2017) Gorceac, Leonid
    The goal of this work is to extend the class of flexible hybrid nanomaterials based on aerographite scaffolds. For this purpose,we developed the technological conditions for the deposition of InP:Zn micro-and nanostructures on both as-grown samples and specimens preliminarily decorated by Au dots. InP·Zn deposition was realized by using Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE), while the gold dots were deposited by sputtering with subsequent annealing of the samples. For the characterization of morphology and chemical composition of the specimens, we used transmission electron microscopy (TEM) and energy dispersive X-ray analysis (EDX).
  • Thumbnail Image
    Item
    CELULE SOLARE CU HOMOJONCIUNE DIN FOSFURĂ DE INDIU
    (CEP USM, 2013) Botnariuc, Vasile; Gorceac, Leonid; Cinic, Boris; Coval, Andrei; Inculeț, Ion; Raevschi, Simion
    Homojoncţiunea p+-p--n+InPcu şi fără strat frontal nCdS a fost obţinută aplicând metoda de epitaxie din faza gazoasă în sistemul In -PCl3-H2(p-InP, n+InP) şi metoda de volum cvasiînchis (nCdS). La studierea proprietăţilor electrice şi fotoelectrice ale acestor structuri s-a constatat că fotosensibilitatea a crescutcu două ordine,iar eficienţa CS este de 12% pentru homo structura cu strat frontal nCdS. Aceasta se datorează micşorării recombinării purtătorilor de sarcină minoritari la suprafaţă şi particularităţilor proprietăţilor electrice şi fotoelectrice ale acestor structuri.
  • Thumbnail Image
    Item
    CELULE FOTOVOLTAICE CU HOMOJONCŢIU.NE DIN InP: REZULTATE ŞI COMPARĂRI
    (CEP USM, 2016) Botnariuc, Vasile; Gașin, Petru; Gorceac, Leonid; Cinic, Boris; Coval, Andrei; Raevschi, Simion
    Au fost obţinute homojoncţiuni n-pInP cu strat intermediar p-InP crescut repetat prin metoda HVPE cu sau fără strat frontal nCdS şi au fost cercetate proprietăţile electrice şi fotoelectrice ale acestora. S-a constatat că depunerea stratului intermediar măreşte fotosensibilitatea homostructurilor cu 15...20%. Eficienţa energetică a CF cu structura n+ CdS-n+InP-p-InP-p+InP constituie 13,5% pentru fluxul luminos incident de 100 mWcm-2. Eficienţa CF cu heterostructura nCdS-pInPşi cu strat intermediar similar creşte cu 27%, în comparaţie cu CFcu homostructura n-p--pInP şi cu strat frontal nCdS, având valoarea de 17,3%. Se conturează posibilitatea reală de mărire a eficienţei CF de acest tip.