2. Articole

Permanent URI for this collectionhttps://msuir.usm.md/handle/123456789/47

Browse

Subject: search.filters.subject.heterojunction

Search Results

Now showing 1 - 6 of 6
  • Thumbnail Image
    Item
    ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ ITO/SiOх/n-Si ПОВЫШЕННОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ
    (2016) Симашкевич, Алексей; Шербан, Дормидонт; Караман, Михаил; Русу, Марин; Брук, Леонид; Курмей, Николай
    Изготовлены структуры ITO/SiOх/n-Si пульверизацией растворов хлоридов индия и олова на поверхность (100) пластин кремния с удельным сопротивлением 4,5 Ом·см. Изучено влияние состояния поверхности Si на эффективность структур как фотоэлектрических преобразовате- лей. Показано, что наиболее эффективными являются структуры с непротравленной поверхно- стью пластин кремния. Солнечные элементы на основе исследованных структур ITO/SiOх/n-Si c инверсным слоем демонстрируют в условиях АМ 1,5 эффективность, близкую к 16%.
  • Thumbnail Image
    Item
    CELULE FOTOVOLTAICE CU HETEROJONCȚIUNEA n+CdS-p o -p + InP: APLICĂRI TEHNOLOGICE, METODE ŞI REZULTATE ALE CERCETĂRILOR
    (CEP USM, 2018) Botnariuc, Vasile; Gagara, Ludmila; Gorceac, Leonid; Cinic, Boris; Covali, Andrei; Raevschi, Simion; Rotaru, Cornel
    Au fost obținute celule fotovoltaice (CF) cu heterojoncțiunea nCdS-pInP și strat intermediar epitaxial po InP, fiind cercetate proprietățile lor electrice și fotoelectrice. Grosimile straturilor pInP și al celui frontal nCdS au variat respectiv în intervalul 2,7...6,2 – 0,9...3,6 µm în dependență de durata de depunere. S-a constatat că parametrii fotoelectrici au valorile maximale pentru grosimile de 4,5...5 µm pentru stratul po InP și de 0,9 µm pentru stratul nCdS, eficiența maximală a CF cu structura n+CdS-p o -p + InP fiind de 14,6% (100 mWcm-2).
  • Thumbnail Image
    Item
    INFLUENȚA GROSIMII STRATULUI DE Cd1-xMnxTe ASUPRA PARAMETRILOR FOTOVOLTAICI AI HETEROJONCŢIUNII CdS/Cd1-xMnxTe
    (CEP USM, 2017) Suman, Victor; Fedorov, Vladimir; Rusnac, Dumitru
    Heterojoncțiunile CdS/Cd1-xMnxTe au fost obținute aplicând metoda de volum cvasiînchis. La studierea proprietăților electrice și fotoelectrice ale acestor structuri s-a constatat că fotosensibilitatea a crescut esențial datorită tratării termice în clorură de cadmiu, iar eficiența celulei solare (CS) este de 10,29%. Aceasta se datorează micșorării recombinării purtătorilor de sarcină la suprafață și particularităților proprietăților electrice și fotoelectrce ale acestor structuri.
  • Thumbnail Image
    Item
    CELULE FOTOVOLTAICE CU HOMOJONCŢIU.NE DIN InP: REZULTATE ŞI COMPARĂRI
    (CEP USM, 2016) Botnariuc, Vasile; Gașin, Petru; Gorceac, Leonid; Cinic, Boris; Coval, Andrei; Raevschi, Simion
    Au fost obţinute homojoncţiuni n-pInP cu strat intermediar p-InP crescut repetat prin metoda HVPE cu sau fără strat frontal nCdS şi au fost cercetate proprietăţile electrice şi fotoelectrice ale acestora. S-a constatat că depunerea stratului intermediar măreşte fotosensibilitatea homostructurilor cu 15...20%. Eficienţa energetică a CF cu structura n+ CdS-n+InP-p-InP-p+InP constituie 13,5% pentru fluxul luminos incident de 100 mWcm-2. Eficienţa CF cu heterostructura nCdS-pInPşi cu strat intermediar similar creşte cu 27%, în comparaţie cu CFcu homostructura n-p--pInP şi cu strat frontal nCdS, având valoarea de 17,3%. Se conturează posibilitatea reală de mărire a eficienţei CF de acest tip.
  • Thumbnail Image
    Item
    ELECTRICAL AND PHOTOELECTRICAL PROPERTIES OF CdS/Cd 1-x Mn x Te HETEROJUNCTIONS
    (CEP USM, 2015) Gashin, Petru; Nicorich, Valentin; Cuznetsova, Snejana; Ketrush, Petru; Sumn, Victor
    Electrical and photoelectrical properties of CdS/Cd1-xMnxTe heterojunction at different temperatures from 293 K to 393 K were studied. The potential barrier at 293 K makes 0,78 V and is linearly decreasing with temperature increase with a temperature coefficient of 5,5·10-3 V·K-1. From lnIinv= f(1/T) dependence at U=1V the activation energy of 0,61 eV was determined. CdS/Cd0,6Mn0,4Te heterojunction spectral sensitivity at 300 K covers the wavelength region.
  • Thumbnail Image
    Item
    CELULE FOTOVOLTAICE CU HETEROJONCŢIUNEA nCdS-pInP
    (CEP USM, 2015) Botnariuc, Vasile; Gașin, Petru; Gorceac, Leonid; Inculeț, Ion; Cinic, Boris; Covali, Andrei; Raevschi, Simion
    Au fost studiate proprietăţile electrice şi fotoelectrice ale heterojoncţiunilor nCdS-pInP cu şi fărăstrat epitaxial intermediar poInP. S-a stabilit că la polarizări directe în mecanismul de transport al curentului predominăprocesele de recombinare în regiunea de sarcină spaţială. La polarizări inverse predominăprocesele de tunelare. Prezenţa stratului epitaxial poInP depus repetat măreşte ISCpânăla 28,2 mA•cm-2, UCDpânăla 0,780 V, iar eficienţa conversiei energiei pânăla 15% la 300 K şi iluminare 100 mW/cm2. Fotosensibilitatea CF nCdS-poInP-pInP corespunde intervalului λ=550...950 nm cu un maximum plat localizat în intervalul λ=700...850 nm.