2. Articole

Permanent URI for this collectionhttps://msuir.usm.md/handle/123456789/47

Browse

Subject: search.filters.subject.heterojoncțiune

Search Results

Now showing 1 - 3 of 3
  • Thumbnail Image
    Item
    Celule fotovoltaice cu heterojoncțiunea n+CdS-p o -p + InP: aplicări tehnologice, metode şi rezultate ale cercetărilor [Articol]
    (CEP USM, 2018) Botnariuc, Vasile; Gagara, Ludmila; Gorceac, Leonid; Cinic, Boris; Covali, Andrei; Raevschi, Simion; Rotaru, Cornel
    Au fost obținute celule fotovoltaice (CF) cu heterojoncțiunea nCdS-pInP și strat intermediar epitaxial po InP, fiind cercetate proprietățile lor electrice și fotoelectrice. Grosimile straturilor pInP și al celui frontal nCdS au variat respectiv în intervalul 2,7...6,2 – 0,9...3,6 µm în dependență de durata de depunere. S-a constatat că parametrii fotoelectrici au valorile maximale pentru grosimile de 4,5...5 µm pentru stratul po InP și de 0,9 µm pentru stratul nCdS, eficiența maximală a CF cu structura n+CdS-p o -p + InP fiind de 14,6% (100 mWcm-2).
  • Thumbnail Image
    Item
    Influența grosimii stratului de Cd1-xMnxTe asupra parametrilor fotovoltaici ai heterojoncţiunii CdS/Cd1-xMnxTe [Articol]
    (CEP USM, 2017) Suman, Victor; Fedorov, Vladimir; Rusnac, Dumitru
    Heterojoncțiunile CdS/Cd1-xMnxTe au fost obținute aplicând metoda de volum cvasiînchis. La studierea proprietăților electrice și fotoelectrice ale acestor structuri s-a constatat că fotosensibilitatea a crescut esențial datorită tratării termice în clorură de cadmiu, iar eficiența celulei solare (CS) este de 10,29%. Aceasta se datorează micșorării recombinării purtătorilor de sarcină la suprafață și particularităților proprietăților electrice și fotoelectrce ale acestor structuri.
  • Thumbnail Image
    Item
    Electrical and photoelectrical properties of CdS/Cd 1-x MN x Te heterojunctions [Articol]
    (CEP USM, 2015) Gashin, Petru; Nicorich, Valentin; Cuznetsova, Snejana; Ketrush, Petru; Sumn, Victor
    Electrical and photoelectrical properties of CdS/Cd1-xMnxTe heterojunction at different temperatures from 293 K to 393 K were studied. The potential barrier at 293 K makes 0,78 V and is linearly decreasing with temperature increase with a temperature coefficient of 5,5·10-3 V·K-1. From lnIinv= f(1/T) dependence at U=1V the activation energy of 0,61 eV was determined. CdS/Cd0,6Mn0,4Te heterojunction spectral sensitivity at 300 K covers the wavelength region.