2. Articole
Permanent URI for this collectionhttps://msuir.usm.md/handle/123456789/47
Browse
7 results
Search Results
Item Celule solare bazate pe filme subțiri CDTE:MN [Articol](Editura USM, 2024) Suman, Victor; Potlog, Tamara; Morari, Vadim; Ghimpu, Lidia; Enăchescu, MariusHeterostructures based on CdS/CdMnTe are being studied due to their semiconducting properties evidenced with a potential use in photovoltaics and their indispensability. Thin film solar cells generate the development of new practical and cost-effective alternative energy sources. The CdMnTe material is used together with CdTe as an absorber top layer in photovoltaic cells. Thus, HJ based on CdS/Cd MnTe as an alternative of cadmium telluride has been studied. In this study, the physical properties were studied, which demonstrate a cubic zinc blende structure and polycrystalline nature of CdMnTe layers. SEM micrographs of CdMnTe thin films demonstrate a homogeneity of the grains with a size between 3-5 μm, the thickness of the layers ranging between 5-6 μm. Examination of the physical properties of the CdS/CdMnTe solar cells revealed a conversion efficiency of 10.29 % with a filling factor of 61.63.Item Caracterizarea structurală a nanoformațiunilor de Ga2O3 obținute prin tratament termic al monocristalelor Ga2O3 [Articol](Universitatea Tehnică din Moldova, 2018-05-24) Untilă, Dumitru; Sprincean, Veaceslav; Caraman, Mihail; Cojocaru, Ala; Lupan, Oleg; Tighineanu, Ion; Palachi, Leonid; Caraman, IulianaPrin tratament termic (TT), în atmosferă normală, al monocristalelor β-Ga2S3, cu rețea cristalină monoclinică, la temperaturi din intervalul 970-1170 K, timp de 3-6 ore, suprafața acestora se acoperă cu un strat omogen de β-Ga2O3, cu rețea cristalină monoclinică. La interfața monocristal-oxid se formează nanocristalite de Ga2O3 și Ga2S3. Structura cristalină și dimensiunile medii ale cristalitelor sunt analizate prin măsurări XRD, SEM și Raman.Item Efectul dopării straturilor de ZnTe cu cupru asupra parametrilor fotovoltaici ai heterostructurilor ZnTe:Cu/CdTe [Articol](CEP USM, 2021) Lungu, IonÎn lucrare sunt investigate proprietățile fizice ale straturilor subțiri de ZnTe obținute prin metoda volumului cvasiînchis și apoi dopate cu cupru asupra caracteristicilor J-U ale heterostructurilor ZnTe:Cu/CdTe. Doparea straturilor de ZnTe cu cupru a fost efectuată în soluție chimică prin dizolvarea nitratului de Cu(II) în metanol. Pentru studiul proprietăților structurale a fost utilizată metoda difracției de raze X (XRD). Rezultatele analizei XRD relevă că straturile subțiri de ZnTe nedopate, precum și dopate cu Cu prezintă structură cristalină de tip zincblend cu orientarea preferențială (101). De asemenea, au fost studiate caracteristicile J-U ale heterostructurilor ZnTe:Cu/CdTe în dependență de concentrația molară a Cu(NO3)2 și de grosimea stratului de ZnTe:Cu.Item Structura cristalină şi proprietăţile optice ale materialelor compozite obţinute prin intercalare cu Cd a monocristalelor de GaSe și GaTe [Articol](CEP USM, 2019) Vatavu, Elmira; Dmitroglo, Liliana; Untilă, Dumitru; Sprincean, Veaceslav; Caraman, MihailFormarea prin tratament termic a monocristalelor de GaSe şi GaTe în vapori de Cd a materialului compus din cristalite de GaSe şi CdSe şi, respectiv, de GaTe şi CdTe cu dimensiuni nanometrice a fost confirmată prin analiza diagramelor XRD, imaginilor SEM şi a difuziei combinate Raman. Nanocompozitele GaSe-CdSe şi GaTe-CdTe sunt materiale fotoluminescente (FL) în regiunea oranj-roşu a spectrului. Benzile de FL a compozitelor sunt formate prin suprapunerea benzilor de FL impuritară a cristalitelor componente ale nanocompozitelor GaSe-CdSe şi GaTe-CdTe.Item Cercetări XRD și XPS ale straturilor de AIN, AlGaN, GaN depuse pe siliciu prin metoda HVPE [Articol](CEP USM, 2018) Raevschi, Simion; Spalatu, Nicolae; Botnariuc, Vasile; Gorceac, Leonid; Potlog, Tamara; Dobromir, MariusPrin metoda reacțiilor chimice de transport HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy) in sistemul (H2-NH3-HCl-Al-GaSi) au fost sintetizate straturi subțiri de AlN, AlGaN, GaN pe substraturi de siliciu, Si(111). Morfologia suprafeței, precum și a secțiunilor transversale ale structurilor a fost cercetată prin metoda SEM (Scanning Electron Microscopy) de rezoluție înaltă. Compoziția în secțiune transversală a structurilor a fost studiată prin metoda XRD (X-Ray Diffraction method), iar de suprafață – prin metoda XPS (X-Ray Photoelectronic Spectroscopy). Afară de aluminiu, galiu și azot în straturi au fost depistate oxigen și carbon. S-a stabilit că concentrația oxigenului pe suprafața straturilor de GaN, depuse la temperaturi relativ mai joase, este mai mică. Se presupune că concentrația ridicată a oxigenului în straturi are loc în urma descompunerii cuarțului, din care este confecționat reactorul, la temperaturi ridicate. S-a constatat că încorporarea galiului în straturile de AlGaN este diminuată de fluxul precursorilor aluminiului. Prin aceasta se demonstrează că viteza reacțiilor chimice ale precursorilor azotului cu ale aluminiului este semnificativ mai mare decât cu ale galiului, ultimele fiind înlăturate din zona de depunere de fluxul gazului de transport.Item Temperature-dependent growth and XPS of Ag-doped ZnTe thin films deposited by close space sublimation method [Articol](Elsevier, 2015) Potlog, Tamara; Dobromir, Marius; Duca, DumitruZinc telluride (ZnTe) thin films were sublimated on a glass substrate using closed space sublimation (CSS) technique. The influence of the substrate temperature on the physical properties is studied. The deposited films were immersed in AgNO 3 solution with different concentrations, and then annealed in air. The structure and composition are studied using X-ray diffraction (XRD) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). X-ray diffraction patterns of as-deposited ZnTe thin films exhibited polycrystalline behavior. The preferred orientation of (1 1 1) having cubic phase irrespective of the substrate temperature was observed. The XPS analysis confirmed the presence of Ag in the ZnTe thin films after doping by immersion in the AgNO 3 solution of different concentrations. [ABSTRACT FROM AUTHOR]Item Growth and characterization of eu doped GaSe single crystals by X-ray diffraction and raman spectroscopy [Articol](CEP USM, 2017) Untila, Dumitru; Evtodiev, Igor; Caraman, Iuliana; Kantser, Valeriu; Spalatu, Nicolae; Dmitroglo, Liliana; Evtodiev, Silvia; Spoială, Dorin; Rotaru, Irina; Gașin, PetruGaSe single crystals doped with Eu (0.025, 0.05, 0.5, 1.0 and 3.0 at%) were grown by Bridgman method using Ga, Se and Eu elementary components. The crystalline structure and vibration modes of the GaSe: Eu crystals lattice were studied by X-ray diffraction and Raman spectroscopy. Eu atoms arranged in the van der Waals space of GaSe: Eu crystals form Eu-Se valence bonds and restructure hexagonal lattice of GaSe leading to EuGa2Se4 crystallites formation. Defects generated by EuGa2Se4 crystallites lead to broadening and shifting of single phonon peaks present in Raman spectra towards shorter wavenumbers, and at the same time, activate the longitudinal optical vibrations of EuSe sublattice.