2. Articole

Permanent URI for this collectionhttps://msuir.usm.md/handle/123456789/47

Browse

Subject: search.filters.subject.SEM

Search Results

Now showing 1 - 3 of 3
  • Thumbnail Image
    Item
    Celule solare bazate pe filme subțiri CDTE:MN [Articol]
    (Editura USM, 2024) Suman, Victor; Potlog, Tamara; Morari, Vadim; Ghimpu, Lidia; Enăchescu, Marius
    Heterostructures based on CdS/CdMnTe are being studied due to their semiconducting properties evidenced with a potential use in photovoltaics and their indispensability. Thin film solar cells generate the development of new practical and cost-effective alternative energy sources. The CdMnTe material is used together with CdTe as an absorber top layer in photovoltaic cells. Thus, HJ based on CdS/Cd MnTe as an alternative of cadmium telluride has been studied. In this study, the physical properties were studied, which demonstrate a cubic zinc blende structure and polycrystalline nature of CdMnTe layers. SEM micrographs of CdMnTe thin films demonstrate a homogeneity of the grains with a size between 3-5 μm, the thickness of the layers ranging between 5-6 μm. Examination of the physical properties of the CdS/CdMnTe solar cells revealed a conversion efficiency of 10.29 % with a filling factor of 61.63.
  • Thumbnail Image
    Item
    Caracterizarea structurală a nanoformațiunilor de Ga2O3 obținute prin tratament termic al monocristalelor Ga2O3 [Articol]
    (Universitatea Tehnică din Moldova, 2018-05-24) Untilă, Dumitru; Sprincean, Veaceslav; Caraman, Mihail; Cojocaru, Ala; Lupan, Oleg; Tighineanu, Ion; Palachi, Leonid; Caraman, Iuliana
    Prin tratament termic (TT), în atmosferă normală, al monocristalelor β-Ga2S3, cu rețea cristalină monoclinică, la temperaturi din intervalul 970-1170 K, timp de 3-6 ore, suprafața acestora se acoperă cu un strat omogen de β-Ga2O3, cu rețea cristalină monoclinică. La interfața monocristal-oxid se formează nanocristalite de Ga2O3 și Ga2S3. Structura cristalină și dimensiunile medii ale cristalitelor sunt analizate prin măsurări XRD, SEM și Raman.
  • Thumbnail Image
    Item
    Cercetări XRD și XPS ale straturilor de AIN, AlGaN, GaN depuse pe siliciu prin metoda HVPE [Articol]
    (CEP USM, 2018) Raevschi, Simion; Spalatu, Nicolae; Botnariuc, Vasile; Gorceac, Leonid; Potlog, Tamara; Dobromir, Marius
    Prin metoda reacțiilor chimice de transport HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy) in sistemul (H2-NH3-HCl-Al-GaSi) au fost sintetizate straturi subțiri de AlN, AlGaN, GaN pe substraturi de siliciu, Si(111). Morfologia suprafeței, precum și a secțiunilor transversale ale structurilor a fost cercetată prin metoda SEM (Scanning Electron Microscopy) de rezoluție înaltă. Compoziția în secțiune transversală a structurilor a fost studiată prin metoda XRD (X-Ray Diffraction method), iar de suprafață – prin metoda XPS (X-Ray Photoelectronic Spectroscopy). Afară de aluminiu, galiu și azot în straturi au fost depistate oxigen și carbon. S-a stabilit că concentrația oxigenului pe suprafața straturilor de GaN, depuse la temperaturi relativ mai joase, este mai mică. Se presupune că concentrația ridicată a oxigenului în straturi are loc în urma descompunerii cuarțului, din care este confecționat reactorul, la temperaturi ridicate. S-a constatat că încorporarea galiului în straturile de AlGaN este diminuată de fluxul precursorilor aluminiului. Prin aceasta se demonstrează că viteza reacțiilor chimice ale precursorilor azotului cu ale aluminiului este semnificativ mai mare decât cu ale galiului, ultimele fiind înlăturate din zona de depunere de fluxul gazului de transport.