2. Articole

Permanent URI for this collectionhttps://msuir.usm.md/handle/123456789/47

Browse

Subject: search.filters.subject.Ga2S3

Search Results

Now showing 1 - 4 of 4
  • Thumbnail Image
    Item
    Micro and nanocomposites of gallium oxides and chalcogens as radiation receivers and gas sensors [Articol]
    (Editura USM, 2024) Sprincean, Veaceslav; Caraman, Mihail
    By thermal treatment (TT) in water vapor atmosphere at 750 ℃ and 900 ℃ of β-GaS and εGaSe single-crystalline wafers, Ga2S3/Ga2Se3 - GaS/GaSe and β-Ga2O3 - GaSe/GaSe layers formed by nanowires and nanopangles photosensitive in the far Ultra-Violet (UVC) region were obtained. The electrical conductivity of β-Ga2O3 layer on GaS/GaSe substrate increases under the influence of water vapor. The link between the relative humidity of water vapor in the atmosphere and the electrical conductivity of the β-Ga2O3 layer was established.
  • Thumbnail Image
    Item
    Caracterizarea structurală a nanoformațiunilor de Ga2O3 obținute prin tratament termic al monocristalelor Ga2O3 [Articol]
    (Universitatea Tehnică din Moldova, 2018-05-24) Untilă, Dumitru; Sprincean, Veaceslav; Caraman, Mihail; Cojocaru, Ala; Lupan, Oleg; Tighineanu, Ion; Palachi, Leonid; Caraman, Iuliana
    Prin tratament termic (TT), în atmosferă normală, al monocristalelor β-Ga2S3, cu rețea cristalină monoclinică, la temperaturi din intervalul 970-1170 K, timp de 3-6 ore, suprafața acestora se acoperă cu un strat omogen de β-Ga2O3, cu rețea cristalină monoclinică. La interfața monocristal-oxid se formează nanocristalite de Ga2O3 și Ga2S3. Structura cristalină și dimensiunile medii ale cristalitelor sunt analizate prin măsurări XRD, SEM și Raman.
  • Thumbnail Image
    Item
    Absorbția optică și fotoluminescența compozitului Ga2S3-Ga2O3 [Articol]
    (Universitatea Tehnică din Moldova, 2018-05-24) Сaraman, Iuliana; Evtodiev, Igor; Untilă, Dumitru; Dmitroglo, Liliana; Caraman, Mihail; Evtodiev, Silvia; Palachi, Leonid
    În această lucrare sunt studiate absorbția optică și fotoluminescența cristalelor de Ga2S3, obținute prin metoda CVT în atmosferă de I2, și a compozitului Ga2S3–Ga2O3, obținut prin tratament termic al monocristalelor de Ga2S3 în atmosferă normală, la temperatura 1073K. S-a determinat că în rezultatul tratamentului termic de lungă durată (12 ore) suprafața cristalelor de Ga2S3 se acoperă cu un strat granular de Ga2O3. Din măsurări ale reflexiei difuze, lățimea benzii interzise a stratului de Ga2O3 de pe suprafața monocristalului Ga2S3 a fost aproximată ca fiind egală cu 4,47 eV. La 300K, marginea benzii de absorbție a cristalelor de Ga2S3 este formată din trei sectoare în care au loc tranziții optice directe cu lățimea benzii interzise egală cu 3,020 eV, 3,178 eV și 3,312 eV, iar la 80K - cu 3,196 eV, 3,302 eV și 3,422 eV. Spectrul de FL a cristalelor de Ga2S3 conține doar o singură bandă în regiunea roșu a spectrului, ce se interpretează ca emisie radiativă a stratului de Ga2S3, iar spectrul de FL al compozitului Ga2S3–Ga2O3 pe lângă banda roșie conține și o bandă în regiunea violet–albastru a spectrului, ce se identifică ca emisie radiativă în cristalele de oxid din compozitul Ga2O3-Ga2S3.
  • Thumbnail Image
    Item
    Optical properties of compounds with submicron points obtained through Ga2S3 intercalation with Cd [Articol]
    (Universitatea de Stat „Alecu Russo“ din Bălţi, 2012) Racoveț, O.; Evtodiev, I.; Caraman, Iu.; Rotaru, I.; Lazăr, G.
    Luminescence and optical absorption spectra of Ga2S3 single crystals were investigated at temperatures of 78 K and 293 K. Optical band gap is equal to 3.27 eV and 3.457 eV at 293 K and 78 K respectively. Luminescence spectrum of single crystal lamellas at temperature of 78K consists of three bands with peaks at 2.04 eV, 1.84 eV and 1.66 eV.Native structural defects form deep recombination and electronic capture levels localized within the Ga2S3 band gap.