2. Articole

Permanent URI for this collectionhttps://msuir.usm.md/handle/123456789/47

Browse

End date: 2019Subject: search.filters.subject.fotoluminescenţă

Search Results

Now showing 1 - 6 of 6
  • Thumbnail Image
    Item
    FOTOLUMINESCENŢA STRATURILOR NANOLAMELARE DE GaSe OBŢINUTE PRIN INTERCALAREA CU Cd
    (2012) Dmitroglo, Liliana; Evtodiev, Igor; Caraman, Iuliana; Nedeff, Valentin; Dafinei, Adrian
    S-au analizat spectrele de emisie fotoluminescentă a lamelor monocristaline p-GaSe cu concentraţia golurilor3•1014 cm-3 şi a lamelor intercalate cu Cd în fază de vapori la temperatura 500 °C. Durata tratamentului termic a fost de 20 şi 24 ore. Spectrul de emisie al cristalelor de GaSe conţine liniile excitonilor direcţi localizaţi cu energia de legătură ~6 meV, prima repetare fononică a acestora (ħωf =20 meV) şi banda de emisie a excitonilor indirecţi cu emisia fononilor cu energia 15 meV. Spectrul de emisie a compozitelor obţinute prin intercalarea lamelor de GaSe cu Cd se obţine în rezultatul suprapunerii benzilor de emisie a compusului CdSe şi banda impuritară a monoseleniurii de galiu. Structura spectrului FL depinde de durata tratamentului termic. La majorarea timpului de tratament se amplifică subbanda corespunzătoare compusului CdSe.
  • Thumbnail Image
    Item
    ABSORBŢIA LUMINII ŞI FOTOLUMINESCENŢA IONILOR Eu3+ ÎN CRISTALE DE CaF2
    (CEP USM, 2012) Untila, Dumitru; Racoveț, Oxana; Evtodiev, Silvia; Caraman, Mihail
    From optical transmittance and photoluminescence measurements of natural crystals of CaF2:Eu was established the correlation between energy states diagram of Eu3+ ion and the structure of these bands. Photon absorption in this material occurs at electronic transitions from the 7F0 level on the G, D, L configuration levels of Eu3+ ion. Because 7F1 level population is much smaller than the 7F0 fundamental level population, the photon absorption intensity which involving 7F1 level is not evident in absorption spectra at room temperature. CaF2:Eu3+ crystal photoluminescence is determined by electron radiative transitions from 5 D0 level to the low energy levels 7F0, 7F2 and, perhaps, 7F3.
  • Thumbnail Image
    Item
    STRUCTURA CRISTALINĂ ŞI PROPRIETĂŢILE OPTICE ALE MATERIALELOR COMPOZITE OBŢINUTE PRIN INTERCALARE CU Cd A MONOCRISTALELOR DE GaSe ŞI GaTe
    (CEP USM, 2019) Vatavu, Elmira; Dmitroglo, Liliana; Untilă, Dumitru; Sprincean, Veaceslav; Caraman, Mihail
    Formarea prin tratament termic a monocristalelor de GaSe şi GaTe în vapori de Cd a materialului compus din cristalite de GaSe şi CdSe şi, respectiv, de GaTe şi CdTe cu dimensiuni nanometrice a fost confirmată prin analiza diagramelor XRD, imaginilor SEM şi a difuziei combinate Raman. Nanocompozitele GaSe-CdSe şi GaTe-CdTe sunt materiale fotoluminescente (FL) în regiunea oranj-roşu a spectrului. Benzile de FL a compozitelor sunt formate prin suprapunerea benzilor de FL impuritară a cristalitelor componente ale nanocompozitelor GaSe-CdSe şi GaTe-CdTe.
  • Thumbnail Image
    Item
    INFLUIENŢA TRATĂRII TERMICE ÎN AZOT SAU ÎN VID ASUPRA PROPRIETĂŢILOR STRATURILOR DE GaN CRESCUTE PE Si(111) PRIN METODA HVPE
    (CEP USM, 2015) Botnariuc, Vasile; Cinic, Boris; Coval, Andrei; Gașin, Petru; Gorceac, Leonid; Raevschi, Simion
    A fost studiată influenţa tratării termice la temperaturi ridicate în azot sau în vid asupra proprietăţilor straturilor de GaN depuse pe siliciu prin metoda reacţiilor chimice de transport în sistemul (H2-NH3-HCl-Ga-Al), (HVPE). În spectrele de fotoluminescenţă(FL), la 300 K, ale straturilor netratate se evidenţiază două fâşii de recombinare radiantă, cu maximele la 370 şi 555 nm. La tratarea în azot intensitatea fâşiei 370 nm creşte, iar la tratarea în vid – descre şte. Intensitatea benzii galbene (555 nm), la tratare în ambele medii, scade neesenţial. Se demonstrează că parametrii electrici ai straturilor pot fi, de asemenea, modificaţi prin metoda tratării termice în azot sau în vid, precum şi prin durata de tratare.
  • Thumbnail Image
    Item
    OPTICAL PROPERTIES OF COMPOUNDS WITH SUBMICRON POINTS OBTAINED THROUGH Ga2S3 INTERCALATION WITH Cd
    (Universitatea de Stat „Alecu Russo“ din Bălţi, 2012) Racoveț, O.; Evtodiev, I.; Caraman, Iu.; Rotaru, I.; Lazăr, G.
    Luminescence and optical absorption spectra of Ga2S3 single crystals were investigated at temperatures of 78 K and 293 K. Optical band gap is equal to 3.27 eV and 3.457 eV at 293 K and 78 K respectively. Luminescence spectrum of single crystal lamellas at temperature of 78K consists of three bands with peaks at 2.04 eV, 1.84 eV and 1.66 eV.Native structural defects form deep recombination and electronic capture levels localized within the Ga2S3 band gap.
  • Thumbnail Image
    Item
    FOTOLUMINESCENŢA STRUCTURILOR NANOLAMELARE CU PUNCTE METALICE OBŢINUTE PRIN INTERCALAREA MONOCRISTALULUI DE GaS
    (Universitatea de Stat „Alecu Russo“ din Bălţi, 2015) Rotaru, I.
    În lucrare sunt studiate spectrele de fotoluminescenţă (FL) a cristalelor de GaS şi GaS intercalat cu atomi de Cd. Intercalarea cu Cd, a lamelor de GaS s-a efectuat prin tratament termic la temperatura 750K, timp de 6 ore, în atmosferă de vapori ai metalului. Pe suprafaţa exterioară şi în spaţiul dintre împachetările S-Ga-Ga-S se formează puncte de Ga, aranjate preponderent sub formă de hexagoane deformate. Spectrul de FL a cristalelor GaS intercalate cu Cd conţine o bandă cu contur simplu la temperatura T=293K; şi două benzi la T=78K. Banda cu maxim la 2,424 eV are structura compusă din repetări fononice ale emisiei excitonilor indirecţi.