2. Articole

Permanent URI for this collectionhttps://msuir.usm.md/handle/123456789/47

Browse

Author: search.filters.author.Potlog, TamaraSubject: search.filters.subject.XRD

Search Results

Now showing 1 - 3 of 3
  • Thumbnail Image
    Item
    Celule solare bazate pe filme subțiri CDTE:MN [Articol]
    (Editura USM, 2024) Suman, Victor; Potlog, Tamara; Morari, Vadim; Ghimpu, Lidia; Enăchescu, Marius
    Heterostructures based on CdS/CdMnTe are being studied due to their semiconducting properties evidenced with a potential use in photovoltaics and their indispensability. Thin film solar cells generate the development of new practical and cost-effective alternative energy sources. The CdMnTe material is used together with CdTe as an absorber top layer in photovoltaic cells. Thus, HJ based on CdS/Cd MnTe as an alternative of cadmium telluride has been studied. In this study, the physical properties were studied, which demonstrate a cubic zinc blende structure and polycrystalline nature of CdMnTe layers. SEM micrographs of CdMnTe thin films demonstrate a homogeneity of the grains with a size between 3-5 μm, the thickness of the layers ranging between 5-6 μm. Examination of the physical properties of the CdS/CdMnTe solar cells revealed a conversion efficiency of 10.29 % with a filling factor of 61.63.
  • Thumbnail Image
    Item
    Cercetări XRD și XPS ale straturilor de AIN, AlGaN, GaN depuse pe siliciu prin metoda HVPE [Articol]
    (CEP USM, 2018) Raevschi, Simion; Spalatu, Nicolae; Botnariuc, Vasile; Gorceac, Leonid; Potlog, Tamara; Dobromir, Marius
    Prin metoda reacțiilor chimice de transport HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy) in sistemul (H2-NH3-HCl-Al-GaSi) au fost sintetizate straturi subțiri de AlN, AlGaN, GaN pe substraturi de siliciu, Si(111). Morfologia suprafeței, precum și a secțiunilor transversale ale structurilor a fost cercetată prin metoda SEM (Scanning Electron Microscopy) de rezoluție înaltă. Compoziția în secțiune transversală a structurilor a fost studiată prin metoda XRD (X-Ray Diffraction method), iar de suprafață – prin metoda XPS (X-Ray Photoelectronic Spectroscopy). Afară de aluminiu, galiu și azot în straturi au fost depistate oxigen și carbon. S-a stabilit că concentrația oxigenului pe suprafața straturilor de GaN, depuse la temperaturi relativ mai joase, este mai mică. Se presupune că concentrația ridicată a oxigenului în straturi are loc în urma descompunerii cuarțului, din care este confecționat reactorul, la temperaturi ridicate. S-a constatat că încorporarea galiului în straturile de AlGaN este diminuată de fluxul precursorilor aluminiului. Prin aceasta se demonstrează că viteza reacțiilor chimice ale precursorilor azotului cu ale aluminiului este semnificativ mai mare decât cu ale galiului, ultimele fiind înlăturate din zona de depunere de fluxul gazului de transport.
  • Thumbnail Image
    Item
    Temperature-dependent growth and XPS of Ag-doped ZnTe thin films deposited by close space sublimation method [Articol]
    (Elsevier, 2015) Potlog, Tamara; Dobromir, Marius; Duca, Dumitru
    Zinc telluride (ZnTe) thin films were sublimated on a glass substrate using closed space sublimation (CSS) technique. The influence of the substrate temperature on the physical properties is studied. The deposited films were immersed in AgNO 3 solution with different concentrations, and then annealed in air. The structure and composition are studied using X-ray diffraction (XRD) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). X-ray diffraction patterns of as-deposited ZnTe thin films exhibited polycrystalline behavior. The preferred orientation of (1 1 1) having cubic phase irrespective of the substrate temperature was observed. The XPS analysis confirmed the presence of Ag in the ZnTe thin films after doping by immersion in the AgNO 3 solution of different concentrations. [ABSTRACT FROM AUTHOR]