2. Articole
Permanent URI for this collectionhttps://msuir.usm.md/handle/123456789/47
Browse
3 results
Search Results
Item DISPOZITIVE DIN FOSFURĂ DE INDIU BAZATE PE EFECTUL FOTOVOLTAIC(CEP USM, 2021) Botnariuc, Vasile; Gorceac, Leonid; Coval, Andrei; Vatavu, Sergiu; Cinic, Boris; Rotaru, Corneliu; Raevschi, SimionHomo- și heterojoncțiunile din p - InP și n - CdS au fost confecționate aplicând metoda epitaxiei din faza gazoasă în volum deschis, în sistem de cloruri, metoda HVPE (Hydride Vapour Phase Epitaxy) și tehnologia în volum cvasiînchis, în hidrogen. S-a stabilit că eficiența celulelor fotovoltaice pe bază de heterojoncțiuni n+CdS-p-p+InP cu suprafața fotoactivă de 3 cm2 și pe homojoncțiuni n+- p- p+InP (1 cm2) constituie 12% și,respectiv, 7,3% în condiții de iluminare standard, AM1 (1000 Wm-2). Eficiența cuantică externă maximală constituie 75-80% pentru heterojoncțiunea n+CdS - p- p+ InP și 70% pentru homojoncțiunea n+-p-p+InP în intervalul (600-900) nm al spectrului electromagnetic. Fotosensibilitatea absolută maximă de 0,51 A/W este caracteristică pentru heterojoncțiunea n+CdS - p- p+InP cu strat epitaxial intermediar(p = 6,51016 cm-3). Astfel de heterojoncțiuni pot fi utilizate pentru elaborarea fotodetectorilor în intervalul VIS.Item CERCETĂRI XRD ȘI XPS ALE STRATURILOR DE AlN, AlGaN, GaN DEPUSE PE SILICIU PRIN METODA HVPE(CEP USM, 2018) Raevschi, Simion; Spalatu, Nicolae; Botnariuc, Vasile; Gorceac, Leonid; Potlog, Tamara; Dobromir, MariusPrin metoda reacțiilor chimice de transport HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy) in sistemul (H2-NH3-HCl-Al-GaSi) au fost sintetizate straturi subțiri de AlN, AlGaN, GaN pe substraturi de siliciu, Si(111). Morfologia suprafeței, precum și a secțiunilor transversale ale structurilor a fost cercetată prin metoda SEM (Scanning Electron Microscopy) de rezoluție înaltă. Compoziția în secțiune transversală a structurilor a fost studiată prin metoda XRD (X-Ray Diffraction method), iar de suprafață – prin metoda XPS (X-Ray Photoelectronic Spectroscopy). Afară de aluminiu, galiu și azot în straturi au fost depistate oxigen și carbon. S-a stabilit că concentrația oxigenului pe suprafața straturilor de GaN, depuse la temperaturi relativ mai joase, este mai mică. Se presupune că concentrația ridicată a oxigenului în straturi are loc în urma descompunerii cuarțului, din care este confecționat reactorul, la temperaturi ridicate. S-a constatat că încorporarea galiului în straturile de AlGaN este diminuată de fluxul precursorilor aluminiului. Prin aceasta se demonstrează că viteza reacțiilor chimice ale precursorilor azotului cu ale aluminiului este semnificativ mai mare decât cu ale galiului, ultimele fiind înlăturate din zona de depunere de fluxul gazului de transport.Item INFLUIENŢA TRATĂRII TERMICE ÎN AZOT SAU ÎN VID ASUPRA PROPRIETĂŢILOR STRATURILOR DE GaN CRESCUTE PE Si(111) PRIN METODA HVPE(CEP USM, 2015) Botnariuc, Vasile; Cinic, Boris; Coval, Andrei; Gașin, Petru; Gorceac, Leonid; Raevschi, SimionA fost studiată influenţa tratării termice la temperaturi ridicate în azot sau în vid asupra proprietăţilor straturilor de GaN depuse pe siliciu prin metoda reacţiilor chimice de transport în sistemul (H2-NH3-HCl-Ga-Al), (HVPE). În spectrele de fotoluminescenţă(FL), la 300 K, ale straturilor netratate se evidenţiază două fâşii de recombinare radiantă, cu maximele la 370 şi 555 nm. La tratarea în azot intensitatea fâşiei 370 nm creşte, iar la tratarea în vid – descre şte. Intensitatea benzii galbene (555 nm), la tratare în ambele medii, scade neesenţial. Se demonstrează că parametrii electrici ai straturilor pot fi, de asemenea, modificaţi prin metoda tratării termice în azot sau în vid, precum şi prin durata de tratare.