2. Articole
Permanent URI for this collectionhttps://msuir.usm.md/handle/123456789/47
Browse
5 results
Search Results
Item MECANISMUL DE TRANSPORT AL CURENTULUI ŞI LUMINESCENŢA STRUCTURILOR Pd-ZnSe(UTM, 2009-10-01) Scurtu, Roman; Gașin, Petru; Covali, AndreiAu fost analizate proprietăţile electrice şi de luminescenţă ale structurilor Schottky ZnSe-Pd obţinute pe baza monocristalelor de ZnSe cu rezistivitatea de 0.78 Ω•cm şi concentraţia electronilor 1.82 10 16 cm-3 . S-a determinat mecanismul de transport al purtătorilor de sarcină prin structură. La polarizări directe curentul depinde exponenţial de tensiunea aplicată şi este determinat de emisia electronilor. La polarizări inverse dependenţa curentului de tensiune este descrisă de o funcţie de putere, cu factorul m=3÷6. Cu mărirea temperaturii curentul invers creşte exponenţial, ceea ce indică faptul că în mecanismul de transport predomină procesele de tunelare. La polarizări directe şi temperaturi ~80 K structurile Pd-ZnSe iradiază lumină în regiunea albastră a spectrului cu maximul de luminescenţă la 2.7 eV.Item CELULE FOTOVOLTAICE CU HETEROJONCȚIUNEA n+CdS-p o -p + InP: APLICĂRI TEHNOLOGICE, METODE ŞI REZULTATE ALE CERCETĂRILOR(CEP USM, 2018) Botnariuc, Vasile; Gagara, Ludmila; Gorceac, Leonid; Cinic, Boris; Covali, Andrei; Raevschi, Simion; Rotaru, CornelAu fost obținute celule fotovoltaice (CF) cu heterojoncțiunea nCdS-pInP și strat intermediar epitaxial po InP, fiind cercetate proprietățile lor electrice și fotoelectrice. Grosimile straturilor pInP și al celui frontal nCdS au variat respectiv în intervalul 2,7...6,2 – 0,9...3,6 µm în dependență de durata de depunere. S-a constatat că parametrii fotoelectrici au valorile maximale pentru grosimile de 4,5...5 µm pentru stratul po InP și de 0,9 µm pentru stratul nCdS, eficiența maximală a CF cu structura n+CdS-p o -p + InP fiind de 14,6% (100 mWcm-2).Item CERCETAREA CAPACITĂȚII ȘI CONDUCTIBILITĂȚII ELECTRICE ALE JONCȚIUNILOR DIN P-INP(CEP USM, 2017) Botnariuc, Vasile; Gagara, Ludmila; Gorceac, Leonid; Cinic, Boris; Covali, Andrei; Raevschi, Simion; Rotaru, CornelAu fost studiate caracteristicile capacitate-tensiune-conductabilitate-frecvenţă ale homojoncţiunilor n+-p-p+InP cu şi fără strat frontal n+CdS obţinute cu aplicarea tehnologiilor din faza gazoasă în sistemul In-PCl3-H2 şi în volum cvasiînchis. S-a stabilit că distribuirea impurităţilor în regiunea sarcinii de baraj în astfel de joncţiuni este cu gradient liniar, iar la frecvenţele de 7…10 MHz impendanţa structurii este determinată de rezistenţa inductivă. Concentraţia stărilor superficiale pentru structurile n+-p-p+InP cu strat frontal de n+CdS este cu un ordin mai mică decât fără acest strat, ceea ceva spori eficienţa CF obţinute în baza lor.Item CELULE FOTOVOLTAICE CU HETEROJONCŢIUNEA nCdS-pInP(CEP USM, 2015) Botnariuc, Vasile; Gașin, Petru; Gorceac, Leonid; Inculeț, Ion; Cinic, Boris; Covali, Andrei; Raevschi, SimionAu fost studiate proprietăţile electrice şi fotoelectrice ale heterojoncţiunilor nCdS-pInP cu şi fărăstrat epitaxial intermediar poInP. S-a stabilit că la polarizări directe în mecanismul de transport al curentului predominăprocesele de recombinare în regiunea de sarcină spaţială. La polarizări inverse predominăprocesele de tunelare. Prezenţa stratului epitaxial poInP depus repetat măreşte ISCpânăla 28,2 mA•cm-2, UCDpânăla 0,780 V, iar eficienţa conversiei energiei pânăla 15% la 300 K şi iluminare 100 mW/cm2. Fotosensibilitatea CF nCdS-poInP-pInP corespunde intervalului λ=550...950 nm cu un maximum plat localizat în intervalul λ=700...850 nm.Item STRATURI NANOMETRICE DE STANAT DE CADMIU PENTRU CELULE FOTOVOLTAICE(CEP USM, 2014) Botnariuc, Vasile; Gorceac, Leonid; Covali, Andrei; Cinic, Boris; Chetruș, Petru; Inculeț, IonObiectivele acestei lucrări rezidă în stabilirea condiţiilor tehnologice optime de depunere a straturilor de stanat de cadmiu (Cd2SnO4) prin metoda pulverizării pe substraturi de sticlă şi de fosfură de indiu (InP) şi în studierea proprietăţilor elecrtofizice şi optice ale acestora. Straturile de stanat de cadmiu au fost depuse într-un flux de oxigen, din clorurăde cadmiu (CdCl2·2,5H2O)şi clorură de staniu (SnCl4·5H2O), dizolvate în alcool etilic cu molaritatea de (0,1-0,3)M, în intervalul de temperaturi (250...450)°C. Au fost cercetate proprietăţile electrofizice ale straturilor în dependentă de raportul componentelor CdCl2·2.5H2O şi SnCl 4·5H2O în soluţiile folosite la pulverizare şi de temperaturile de depunere. Studiul propriet ăţilor optice ale acestor materiale demonstrează că ele sunt transparente înintervalul 250....1300) nm. A fost demonstrată posibilitatea de creştere a oxizilor Cd2SnO4 prin etoda pulverizării şi de folosire a acestora ca straturi intermediare la structurile fotovoltaice pInP-nCdS.