Homojoncţiunea p+-p--n+InPcu şi fără strat frontal nCdS a fost obţinută aplicând metoda
de epitaxie din faza gazoasă în sistemul In -PCl3-H2(p-InP, n+InP) şi metoda de volum cvasiînchis (nCdS). La studierea proprietăţilor electrice şi fotoelectrice ale acestor structuri s-a constatat că fotosensibilitatea a crescutcu două ordine,iar eficienţa
CS este de 12% pentru homo structura cu strat frontal nCdS. Aceasta se datorează
micşorării recombinării purtătorilor de sarcină minoritari la suprafaţă şi particularităţilor proprietăţilor electrice şi fotoelectrice ale acestor structuri.
