Prin tratament termic (TT), în atmosferă normală,
al monocristalelor β-Ga2S3, cu rețea cristalină monoclinică, la
temperaturi din intervalul 970-1170 K, timp de 3-6 ore, suprafața
acestora se acoperă cu un strat omogen de β-Ga2O3, cu rețea
cristalină monoclinică. La interfața monocristal-oxid se formează
nanocristalite de Ga2O3 și Ga2S3. Structura cristalină și
dimensiunile medii ale cristalitelor sunt analizate prin măsurări
XRD, SEM și Raman.
