(CEP USM, 2008) Исакова, Калина; Ника, Денис; Покатилов, Евгений
În lucrare este dezvoltată teoria stărilor electronice, de gol şi excitonice pentru punctul cuantic din Si, plasat în mediuldielectric. A fost cercetată dependenţa pătrunderii în mediul dielectric de înălţimea barierei potenţiale şi a fost demonstratcă nanostructurile de acest tip pot fi utilizate cu succes în optoelectronică şi biomedicină. De asemenea, a fost studiatădependenţa energiei de legătură a excitonului de înălţimea barierei potenţiale.
În lucrare sunt prezentate cercetările distribuţiei potenţialului în punctul cuantic din Si plasat în mediu dielectric SiO2. Au fost cercetate dependenţele distribuţiei potenţialului de mărimea razei sferei din Si. Au fost comparate distribuţiile potenţialului pentru diferite permitivităţi electrice ale sferei.
