Выполнены теоретические исследования фононного теплового потока в Si/Ge сегментированных нанонитях .Энергетический спектр фононов был рассчитан в рамках модели молекулярной динамики колебаний решетки “face-centered cubic cell”. Решеточная теплопроводность была рассчитана с помощью транспортного уравнения Больмана . Рост локализации фононов , обусловленный перестройкой энергетического спектра , приводит к существенному падению решеточной теплопроводности в сегментированных нанонитях по сравнению с обычными
нанонитями Этот эффект связан с исключением из теплового транспорта захваченных фононных мод.Как следствие ,прогнозируется падение фононного теплового потока в широком диапазоне температур для сегментированных
нанонитей . Полученные результаты показывают , что сегментированные нанонити являются перспективными для термоэлектрических применений.
