2. Articole
Permanent URI for this collectionhttps://msuir.usm.md/handle/123456789/13434
Browse
9 results
Search Results
Item Фотоэлементы на основе кремния с бинарными соединениями GexSi1-x(2024) Зикриллаев, Н.Ф.; Зикриллаев, Х.Ф.; Уракова, Ф.Э.; Кушиев, Г.А.; Саитов, Э.Б.; Шукурова, Д.М.; Ибрагимова, Б.Х.Приведены результаты исследования фотоэлектрических свойств кремния с бинарными соединениями GexSi1-x. Определены термодинамические условия (Т = 1100÷1250 °С и t = 5÷20 ч) и технологические режимы низкотемпературной двухэтапной диффузии примесных атомов германия, которые позволили получить материал с бинарными соединениями GexSi1-x на поверхности и в приповерхностном слое кремния с заданными электрофизическими параметрами. Из результатов исследования концентрационного распределения образованных бинарных соединений GexSi1-x в кремнии установлено, что на поверхности формируются соединения с максимальной концентрацией и с углублением в объем кремния их концентрация уменьшается. Установлено, что образованные соединения GexSi1-x в кремнии приводят к изменению ширины запрещенной зоны исходного материала. Показано, что изменение ширины запрещенной зоны исходного кремния за счет образования бинарных соединений GexSi1-x изменяет один из фундаментальных параметров материала, который, в свою очередь, приводит к расширению спектральной области чувствительности, что характерно при разработке эффективных фотоэлементов с широким диапазоном поглощения солнечного излучения.Item Радиационно-индуцированные процессы в облученных электронами пленках негативного фенолформальдегидного фоторезиста на кремнии(2024) Бринкевич, Д.И.; Гринюк, Е.В.; Бринкевич, С.Д.; Просолович, В.С.; Янковский, Ю.Н.; Колос, В.В.; Зубова, О.А.; Ластовский, С.Б.Установлено, что радиационно-индуцированные процессы в пленках негативного фоторезиста NFR 016D при дозах до 2×1015 см-2 протекают в основном при участии молекул остаточного растворителя либо на побочных продуктах синтеза фоторезистивной пленки. После облучения в спектрах нарушенного полного внутреннего отражения фоторезиста исчезают полосы поглощения с максимумами при 1717 (валентные колебания C=O связей), 1068 и 1009 см-1 (колебания C-O-C связи в растворителе метил-3-метоксипропилате). При дозах облучения свыше 1×1016 см-2 наблюдались существенные изменения в интенсивности полос, связанных с основным компонентом фоторезиста (фенолформальдегидной смолой). Заметная трансформация спектра происходит в области 1550–1700 см-1, в которой наблюдаются валентные колебания С=О связей. При дозах облучения свыше 2×1016 см-2 снижаются интенсивности полос, обусловленных валентными колебаниями СН2 и СН групп (полосы с максимумами при 2925 и 3012 см-1, соответственно). Экспериментальные результаты указывают на изменение состава заместителей у углеродного кольца и образование сопряженных двойных С=О связей при облучении фоторезистивной пленки дозами электронов свыше 2×1016 см-2.Item Ферромагнитные свойства кремния, легированного атомами марганца(2024) Зикриллаев, Н.Ф.; Ковешников, С.В.; Трабзон, Левент; Мавлонов, Г.Х.; Исмайлов, Б.К.; Исмаилов, Т.Б.; Уракова, Ф.Э.Исследование ферромагнитных свойства кремния, диффузионно-легированного примесными атомами марганца, дает возможность определения магнитных свойств этого материала. В зависимости от технологии получения таких образцов марганец может находиться преимущественно в узлах или междоузлиях кристаллической решетки кремния. Установлено, что наблюдaeмые ферромагнитные свойства кремния в основном связаны с концентрацией дырок и обменным взаимодействием дырок в кремнии. Показано, что d-оболочка атомов марганца заполняется электронами, которые приводят к появлению магнитного свойства кремния, легированного атомами марганца. Из анализа результатов исследования установлено, что можно получить магнитный материал с ферромагнитными свойствами на основе кремния, легированного примесными атомами марганца, который можно широко применять при создании спинтронных устройств в магнитоэлектронике.Item Исследование элементного состава кремния, легированного атомами галлия и сурьмы(2024) Илиев, Х.М.; Ковешников, С.В.; Исаков, Б.О.; Косбергенов, Э.Ж.; Кушиев, Г.А.; Худойназаров, З.Б.Разработана диффузионная технология получения комплексов типа GaSb в кристаллической решетке кремния, а также исследованы электрические свойства полученных слоев. На основании изучения результатов рентгеноспектрального анализа микрокристаллов, образовавшихся на поверхности образца кремния, одновременно легированного атомами галлия и сурьмы, показано, что в поверхностном слое образца формируются микрокристаллы, состоящие из атомов кремния, галлия и сурьмы, и сделан вывод о возможности ориентированного роста кристаллов состава (GaSb)0,8(Si)0,2 на поверхности кремния. Показано существенное влияние на профиль распределения носителей заряда процессов комплексообразования, происходящих при высоких концентрациях ионов диффундирующих примесей. В качестве технологии создания материалов, содержащих комплексы типа GaSb в объеме решетки кремния, можно предложить ионное легирование, одновременную диффузию или процессы эпитаксии.Item Образование бинарных соединений примесных атомов серы и цинка в кремнии(2024) Хаккулов, М.К.; Мавлянов, А.Ш.; Саттаров, О.Э.; Акбарова, Н.А.; Камалова, Х.К.Приведены сведения о термодинамических условиях и технологических этапах формирования бинарных элементарных ячеек типа цинк-и-сера (ZnS) в монокристаллическом кремнии с примесными атомами элементов II и VI групп – цинка и серы. Установлены термодинамические условия формирования таких элементарных ячеек в кремнии. Показано, что до образования нанокластеров бинарных соединений атомов цинка и серы эти элементы находятся обособленно или в виде различных соединений. Раскрыты возможности получения на основе кремния новых материалов с уникальными фундаментальными свойствами посредством формирования ячеек и бинарных соединений типа ZnS с управляемой концентрацией. На сканирующем туннельном микроскопе определен элементарный состав бинарных соединений, сформированных в объеме и на поверхности кремния. Анализ результатов показал, что в кристалле кремния формируются бинарные соединения типа ZnS с новыми электро-физическими параметрами.Item Кремний с бинарными соединениями GexSi1-x(2024) Зикриллаев, Н.Ф.; Аюпов, К.С.; Наркулов, Н.; Уракова, Ф.Э.; Кушиев, Г.А.; Неъматов, О.С.Приводятся результаты исследований электрофизических, фотоэлектрических и магнитных свойств образцов кремния, диффузионно-легированного примесными атомами германия. Показано, что примесные атомы германия в кремнии образуют бинарные соединения типа GexSi1-x, концентрация которых меняется с глубиной исходного кремния. Разработанная диффузионная технология легирования кремния примесными атомами германия позволила получить материал с различными концентрациями примесных атомов германия с удельным сопротивлением и типом проводимости. Определены оптимальные электрофизические параметры и магнитные свойства полученных образцов, что позволило показать возможности создания новых видов датчиков и приборов в полупроводниковой электронике, Проведенные исследования позволяют развивать соответствующее направление в области материаловедения с магнитными свойствами и создавать эффективные фотоэлементы в фотоэнергетике.Item Влияние магнитного поля, электрического поля и интенсивности освещения на параметры рекомбинационных волн в кремнии(2024) Зикриллаев, Н.Ф.; Шоабдурахимова, М.М.; Курбанова, У.Х.; Наркулов Н.; Шакаров, Ф.К.Приводятся результаты экспериментальных исследований автоколебаний тока типа рекомбинационных волн (РВ) в кремнии, легированном примесными атомами селена. Определены зависимости параметров РВ (амплитуда и частота) в образцах Si от удельного сопротивления и концентрации образованных нанокластеров атомов селена, а также от влияния магнитного поля, которые дают возможность управлять амплитудой в интервале J = 10-5–5×10-3 A и частоте автоколебанийf = 104–5×106 Гц. Показана возможность использования автоколебаний тока, наблюдаемых в кремнии, диффузионно-легированномпримесными атомами селена, для создания твердотельных генераторов.Item Автоколебательные процессы в кремнии, проблемы и перспективы исследования и применение их в электронике(2023) Зикриллаевa, Н. Ф.; Шоабдурахимова, М. М.; Аюповa, К. С.; Уракова, Ф. Э.; Неъматов, О. С.Исследования автоколебательных процессов в полупроводниках и полупроводниковых структурах дают возможности формирования физического механизма этих уникальных явлений и создания твердотельных генераторов и датчиков физических величин с частотно-амплитудным выходом. Установлено, что условия возбуждения и параметры автоколебаний тока более подробно исследовались лишь только в кремнии, легированном атомами марганца и цинка, а также в полупроводниковых соединениях CdSe, CdS, InGa и в некоторых структурах, в других же материалах не очень точно были определены граничные области существования этих неустойчивостей тока в зависимости от внешних факторов. Это привело к отсутствию воспроизводимых результатов и несоответствию корреляции между электрофизическими параметрами материала и параметрами автоколебаний тока (амплитуда, частота). В связи с этим приводятся результаты комплексных исследований автоколебаний тока в кремнии, легированном примесными атомами марганца, цинка, серы и селена. Предложен физический механизм автоколебаний тока, который хорошо согласуется с известными полученными экспериментальными результатами.Item Разработка и создание нового класса варизонных структур на основе кремния с участием атомов Zn и Se(2023) Зикриллаев, Н.Ф.; Турсунов, О.Б.; Кушиев, Г.А.Возможность формирования структур типа соединений между халькогенидами и металлами переходной группы в кристаллической решетке кремния относится к актуальным задачам электроники. Показано, что в определенных технологических условиях формируется достаточная концентрация элементарных ячеек, которая приводит к изменению зонной структуры самого кремния, то есть получаются микро- и наноразмерные включения в кремнии с прямозонной структурой. Представлены возможности создания на основе таких материалов принципиально нового класса фотоэлементов с расширенной областью спектральной чувстви-тельности, а также светоизлучающих приборов, светодиодов и лазеров на их основе.