Разработка и создание нового класса варизонных структур на основе кремния с участием атомов Zn и Se

Abstract

Возможность формирования структур типа соединений между халькогенидами и металлами переходной группы в кристаллической решетке кремния относится к актуальным задачам электроники. Показано, что в определенных технологических условиях формируется достаточная концентрация элементарных ячеек, которая приводит к изменению зонной структуры самого кремния, то есть получаются микро- и наноразмерные включения в кремнии с прямозонной структурой. Представлены возможности создания на основе таких материалов принципиально нового класса фотоэлементов с расширенной областью спектральной чувстви-тельности, а также светоизлучающих приборов, светодиодов и лазеров на их основе. A possibility of the formation of structures such as compounds of elements between chalcogenides and the transition group of metals in the crystal lattice of silicon is studied. This is an urgent problem in electronics. It is shown that, under certain technological conditions, a sufficient concentration of unit cells is formed, which leads to a change in the band structure of silicon itself, i.e. a micro- and nanoscale inclusion in silicon with a direct-gap structure is obtained. The possibilities of creating a fundamentally new class of photocells with an extended spectral sensitivity region, as well as light-emitting devices, light-emitting diodes and lasers based on them are shown.