Browsing by Author "Споялэ, Дорин"
Now showing 1 - 8 of 8
- Results Per Page
- Sort Options
Item Испарение халькогенидных стеклообразных полупроводников при пузырьковом механизме разогрева материала в испарителе [Articol](CEP USM, 2007) Прилепов, Владимир; Нямцу, Севастьян; Коршак, Олег; Споялэ, ДоринSe descrie procesul formării vaporilor la evaporarea prin bule a materialelor semiconductoare. Micşorarea energiei libere a suprafeţei evaporatorului stabilizează centrele de formare a bulelor, ceea ce duce la stabilizarea vitezei de evaporare a semiconductoarelor vitrefice de pe toată suprafaţa evaporatorului.Item Исследование нанокомпозитных структур на основе ванадия и его оксидов [Articol](CEP USM, 2014) Прилепов, Владимир; Гашин, Петру; Прилепов, Игорь; Попеску, Михай; Споялэ, Дорин; Кирица, Аркади; Горячева, Нелли; Заломая, ВикторÎn lucrare sunt prezentate rezultatele cercetării interacţiunii structurilor nanocompozite pe bază de vanadium şi oxizii acestuia cu apa. S-a constatat că la interacţiunea fără contact a structurilor nanocompozite cu apa are loc activarea apei, ceea ce se manifestă în schimbarea semnului potenţialului de oxidare-restabilire a apei din pozitiv în negativ.Item Некоторые релаксационные характеристики воды, активированной при помощи нанокомпозитных структур на основе ванадия и его оксидов [Articol](CEP USM, 2017) Прилепов, Владимир; Черный, Алексей; Заламая, Виктор; Споялэ, Дорин; Кирица, АркадиПриводится описание устройства для бесконтактой активации жидкости–воды и водных растворов,при помощи нанокомпозитных структур на основе ванадия и его оксидов, а также некоторых релаксационных свойств активированной воды.Item Применение фототермопластических носителей для регистрации голограмм микрообъектов [Articol](CEP USM, 2008) Кирица, Аркадий; Коршак, Олег; Прилепов, Владимир; Споялэ, Дорин; Жидков, Юрий; Наседкина, Надежда;În lucrare sunt cercetate posibilităţile utilizării purtătorului fototermoplastic cu stratul fotosensibil din semiconductorhalcogenic sticlos în baza sistemului As-Se S-Sn şi termoplastic în bază de poliepoxipropilcarbazol pentru înregistrarea hologramelor vaporilor condensaţi ai lichidului. Sunt studiate procesele de înregistrare a hologramelor de fază-relief alemicroobiectelor transparente în formă de micropicături condensate ale vaporilor de apă.Item Увеличение кратности фотоответа в структурах аморфные пленки As4Se3S3 – мелкодисперсный слой на основе ванадия и его окислов [Articol](CEP USM, 2009) Прилепов, Владимир; Гашин, Петр; Кирица, Аркадий; Коршак, Олег; Споялэ, Дорин; Наседкина, НадеждаÎn lucrare sunt prezentate particularităţile tehnologice de obţinere a structurilor dispersate pe bază de vanadiu, inclusiv având suprafaţa ramificată (fractală). A fost stabilit că la depunerea peliculelor amorfe As4Se3S3 pe suprafeţe fractale, multiplicitatea fotocurentului pentru această strucutură se măreşte.Item Функциональные нанокомпозитные материалы для датчиков микроэлектроники [Articol](CEP USM, 2007) Гашин, Петр; Прилепов, Владимир; Споялэ, ДоринÎn prezenta lucrare sunt cercetate materialele nanocompozite pe baza metalelor greu fuzibile şi a oxizilor lor. Proprietăţile funcţionale determinate permit utilizarea acestor materiale la crearea senzorilor cu destinaţie specială.Item Электрическая нестабильность в нано - слоистых структурах GaSe, интеркалированных из раствора CdCl 2 [Articol](Universitatea de Stat „Alecu Russo“ din Bălţi, 2015) Споялэ, ДоринIn lucrarea de faţă sunt prezentate rezultatele cercetărilor a proprietăţilor electrice a le monocristalelor laminare GaSe intercalate din soluţia CdCl2. În procesul de intercalare au fost observate schimbări radicale ale rezistivităţii electrice şi a caracteristicilor curent-tensiune. În primul rând remarcăm faptul apariţiei în dependenţile curent-tensiune a domeniilor cu conductibilitate diferenţială negativă de tip N şi S, care se manifestă la ambele polarităţi ale tensiunii aplicate. În al doilea rând, se evidenţiază o histereză largă a curentului în prosesul de ridicare şi micşorare a tensiunii externe. În al treilea rând, la toate caracteristicile curent-tensiune ridicate se observă instabilitaţi ale curentului electric, care semanifestă printr-o schimbare bruscă şi haotică a curentului odată cu schimbări neesenţiale a tensiunii aplicate. In sfârşit, au fost detectate caracteristicile curent-tensiune cu efect de memristor. Dispozitivele în baza memristorului sunt componente de perspectivă cu aplicaţii în nanoelectronică, pentru crearea memoriei şi circuitelor logicenevolatile superdense, inclusiv pentru computerele neuromorphice.Item Электрические и фотоэлектрические свойства изотипных гетеропереходов N-SI/фуллерит С60 [Articol](CEP USM, 2008) Споялэ, ДоринÎn lucrare sunt prezentate rezultatele cercetărilor proprietăţilor electrice şi fotoelectrice ale heterostructurilor izotipice n-Si/fullerite C60. Analiza caracteristicilor curent-tensiune (CCT) ridicate experimental la întuneric este efectuată cu considerarea în circuitul echivalent al heterojoncţiunii a rezistenţelor serie şi şunt. S-a demonstrat că în regiunea tensiunilor aplicate mici U<0,5 V CCT sunt determinate de procesele de generare-recombinare a purtătorilor de sarcină în regiunea sarcinii spaţiale, iar în cazul U>0,5 V – de procesele de tunelare sau tunelare-recombinare prin mai multe trepte