Browsing by Author "Кушиев, Г.А."

Now showing 1 - 5 of 5

Влияние γ-облучения на электрофизические параметры кремния, легированного никелем при выращивании методом Чохральского [Articol]
(2025) Илиев, Х.М.; Исмайлов, К.А.; Косбергенов, Е.Ж.; Оджаев, В.Б.; Просолович, В.С.; Янковский, Ю.Н.; Кенжаев, З.Т.; Исаковa, Б.О.; Кушиев, Г.А.
Исследовано влияние γ-облучения на электрофизические параметры кремния, легированного никелем в процессе выращивания из расплава по методу Чохральского. Экспериментальные результаты, полученные методом растровой электронной микроскопии показали, что в кремнии, легированном никелем, при выращивании формируются скопления атомов Ni размером ~ 6÷8 мкм с поверхностной плотностью ~ (5÷8) 103 см-2. Установлено, что при облучении γ-квантами 60Со контрольных образцов, не легированных никелем, происходит компенсация материала вследствие генерации глубоких центров радиационного происхож-дения. Показано, что в процессе облучения атомы никеля диффундируют из скоплений в матрицу кремния, где при взаимодействии с радиационно-генерируемыми вакансиями междо-узельные атомы никеля Ni переходят в электрически активное положение в узле кристал-лической решетки Nis. Данные примесно-дефектные центры (Nis) термически устойчивы по крайней мере до температуры отжига 600 °C.
Исследование элементного состава кремния, легированного атомами галлия и сурьмы
(2024) Илиев, Х.М.; Ковешников, С.В.; Исаков, Б.О.; Косбергенов, Э.Ж.; Кушиев, Г.А.; Худойназаров, З.Б.
Разработана диффузионная технология получения комплексов типа GaSb в кристаллической решетке кремния, а также исследованы электрические свойства полученных слоев. На основании изучения результатов рентгеноспектрального анализа микрокристаллов, образовавшихся на поверхности образца кремния, одновременно легированного атомами галлия и сурьмы, показано, что в поверхностном слое образца формируются микрокристаллы, состоящие из атомов кремния, галлия и сурьмы, и сделан вывод о возможности ориентированного роста кристаллов состава (GaSb)0,8(Si)0,2 на поверхности кремния. Показано существенное влияние на профиль распределения носителей заряда процессов комплексообразования, происходящих при высоких концентрациях ионов диффундирующих примесей. В качестве технологии создания материалов, содержащих комплексы типа GaSb в объеме решетки кремния, можно предложить ионное легирование, одновременную диффузию или процессы эпитаксии.
Кремний с бинарными соединениями GexSi1-x
(2024) Зикриллаев, Н.Ф.; Аюпов, К.С.; Наркулов, Н.; Уракова, Ф.Э.; Кушиев, Г.А.; Неъматов, О.С.
Приводятся результаты исследований электрофизических, фотоэлектрических и магнитных свойств образцов кремния, диффузионно-легированного примесными атомами германия. Показано, что примесные атомы германия в кремнии образуют бинарные соединения типа GexSi1-x, концентрация которых меняется с глубиной исходного кремния. Разработанная диффузионная технология легирования кремния примесными атомами германия позволила получить материал с различными концентрациями примесных атомов германия с удельным сопротивлением и типом проводимости. Определены оптимальные электрофизические параметры и магнитные свойства полученных образцов, что позволило показать возможности создания новых видов датчиков и приборов в полупроводниковой электронике, Проведенные исследования позволяют развивать соответствующее направление в области материаловедения с магнитными свойствами и создавать эффективные фотоэлементы в фотоэнергетике.
Разработка и создание нового класса варизонных структур на основе кремния с участием атомов Zn и Se
(2023) Зикриллаев, Н.Ф.; Турсунов, О.Б.; Кушиев, Г.А.
Возможность формирования структур типа соединений между халькогенидами и металлами переходной группы в кристаллической решетке кремния относится к актуальным задачам электроники. Показано, что в определенных технологических условиях формируется достаточная концентрация элементарных ячеек, которая приводит к изменению зонной структуры самого кремния, то есть получаются микро- и наноразмерные включения в кремнии с прямозонной структурой. Представлены возможности создания на основе таких материалов принципиально нового класса фотоэлементов с расширенной областью спектральной чувстви-тельности, а также светоизлучающих приборов, светодиодов и лазеров на их основе.
Фотоэлементы на основе кремния с бинарными соединениями GexSi1-x
(2024) Зикриллаев, Н.Ф.; Зикриллаев, Х.Ф.; Уракова, Ф.Э.; Кушиев, Г.А.; Саитов, Э.Б.; Шукурова, Д.М.; Ибрагимова, Б.Х.
Приведены результаты исследования фотоэлектрических свойств кремния с бинарными соединениями GexSi1-x. Определены термодинамические условия (Т = 1100÷1250 °С и t = 5÷20 ч) и технологические режимы низкотемпературной двухэтапной диффузии примесных атомов германия, которые позволили получить материал с бинарными соединениями GexSi1-x на поверхности и в приповерхностном слое кремния с заданными электрофизическими параметрами. Из результатов исследования концентрационного распределения образованных бинарных соединений GexSi1-x в кремнии установлено, что на поверхности формируются соединения с максимальной концентрацией и с углублением в объем кремния их концентрация уменьшается. Установлено, что образованные соединения GexSi1-x в кремнии приводят к изменению ширины запрещенной зоны исходного материала. Показано, что изменение ширины запрещенной зоны исходного кремния за счет образования бинарных соединений GexSi1-x изменяет один из фундаментальных параметров материала, который, в свою очередь, приводит к расширению спектральной области чувствительности, что характерно при разработке эффективных фотоэлементов с широким диапазоном поглощения солнечного излучения.