Browsing by Author "Кирица, Аркадий"

Now showing 1 - 8 of 8

Интерференционное растрирование носителей для регистрации оптической информации на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников [Articol]
(CEP USM, 2009) Жидков, Юрий; Коршак, Олег; Припелов, Владимир; Нямцу, Севастьян; Кирица, Аркадий; ;
În prezenta lucrare este studiată posibilitatea înregistrării informaţiei optice pe purtători fototermoplastici în baza de semiconductori halogenici sticloşi prin metoda rastării interferenţiale. Este demonstrată posibilitatea înregistrării reţelelor interferenţiale şi a hologramelor la interferenţă în procesul înregistrării concomitente a acestora.
Исследование фототермопластических носителей на основе аморфных стеклообразных полупроводников системы As4Se3S3 и диэлектрика BaF2 в процессах регистрации импульсных голограмм [Articol]
(CEP USM, 2009) Кирица, Аркадий
În prezenta lucrare sunt studiate proprietăţile purtătorilor fototermoplastici cu strat halogenic în bază de semiconductori din sistemul As4Se3S3 la înregistrarea pe aceştia a hologramelor. Au fost studiate, de asemenea, caracteristicile holografi ce ale purtătorilor ce conţin suplimentar un strat de dielectric în baza substanţei BaF2.
К вопросу о стабильности полимерных термопластических слоёв и двухслойных фототермопластических носителей при записи в коронном разряде [Articol]
(CEP USM, 2013-09-26) Робу, Штефан; Наседкина, Надежда; Мешалкин, А.Ю.; Андриеш, Ион; Коршак, Олег; Кирица, Аркадий
Поляризационные свойства рельефно-фазовых голограмм, зарегистрированных на фототермопластическом носителе [Articol]
(CEP USM, 2007) Кирица, Аркадий; Коршак, Олег; Ротару, Василе
În lucrare sunt cercetate proprietăţile de polarizare ale purtătorului fototermoplastic în bază flexibilă tereflalat etilenic, cu un strat sensibil la lumină din semiconductor halcogenic sticlos As2Se3(0.5)-As2S3(0.5)şi termoplastic în bază de poliexopropilcarbazol. Sunt studiate proprietăţile de polarizare ale reţelelor interferometrice şi ale hologramelor de fază-relief înregistrate pe purtătorii fototermoplastici.
Применение фототермопластических носителей для регистрации голограмм микрообъектов [Articol]
(CEP USM, 2008) Кирица, Аркадий; Коршак, Олег; Прилепов, Владимир; Споялэ, Дорин; Жидков, Юрий; Наседкина, Надежда;
În lucrare sunt cercetate posibilităţile utilizării purtătorului fototermoplastic cu stratul fotosensibil din semiconductorhalcogenic sticlos în baza sistemului As-Se S-Sn şi termoplastic în bază de poliepoxipropilcarbazol pentru înregistrarea hologramelor vaporilor condensaţi ai lichidului. Sunt studiate procesele de înregistrare a hologramelor de fază-relief alemicroobiectelor transparente în formă de micropicături condensate ale vaporilor de apă.
Применение фототермопластических носителей на основе аморфных стеклообразных полупроводников в импульсной голографии [Articol]
(CEP USM, 2009) Кирица, Аркадий
În prezenta lucrare sunt studiate posibilităţile de aplicare a purtătorului fototermoplastic ce conţine un start fotosensibil din semiconductor halogenic sticlos în bază de As-Se-S şi termoplastic din poliepoxipropilcarbazol la înregistrarea prin impulsuri a hologramelor mobile ale obiectelor de dimensiuni microscopice. Sunt studiate procesele de înregistrare a hologramelor reliefo-fazice ale microobiectelor care difuzează lumina şi mărirea ulterioară a imaginilor holografi ce restabilite.
Увеличение кратности фотоответа в структурах аморфные пленки As4Se3S3 – мелкодисперсный слой на основе ванадия и его окислов [Articol]
(CEP USM, 2009) Прилепов, Владимир; Гашин, Петр; Кирица, Аркадий; Коршак, Олег; Споялэ, Дорин; Наседкина, Надежда
În lucrare sunt prezentate particularităţile tehnologice de obţinere a structurilor dispersate pe bază de vanadiu, inclusiv având suprafaţa ramificată (fractală). A fost stabilit că la depunerea peliculelor amorfe As4Se3S3 pe suprafeţe fractale, multiplicitatea fotocurentului pentru această strucutură se măreşte.
Численный анализ спектральной фотопроводимости варизонной структуры [Articol]
(CEP USM, 2008) Андриеш, Иван; Коршак, Олег; Кирица, Аркадий; Нямцу, Севастьян
A fost dezvoltat un model matematic semifenomenologic al fotoconductivităţii în straturile subţiri (As2Se3)с(As2S3)1- сcu structură varizonică. Pe baza modelului a fost realizată analiza numerică a dependenţei spectrale a fotoconductivităţii în funcţie de caracteristicile de absorbţie şi de grosimea straturilor.