Browsing by Author "Зикриллаев, Н.Ф."

Now showing 1 - 6 of 6

Влияние магнитного поля, электрического поля и интенсивности освещения на параметры рекомбинационных волн в кремнии
(2024) Зикриллаев, Н.Ф.; Шоабдурахимова, М.М.; Курбанова, У.Х.; Наркулов Н.; Шакаров, Ф.К.
Приводятся результаты экспериментальных исследований автоколебаний тока типа рекомбинационных волн (РВ) в кремнии, легированном примесными атомами селена. Определены зависимости параметров РВ (амплитуда и частота) в образцах Si от удельного сопротивления и концентрации образованных нанокластеров атомов селена, а также от влияния магнитного поля, которые дают возможность управлять амплитудой в интервале J = 10-5–5×10-3 A и частоте автоколебанийf = 104–5×106 Гц. Показана возможность использования автоколебаний тока, наблюдаемых в кремнии, диффузионно-легированномпримесными атомами селена, для создания твердотельных генераторов.
Кремний с бинарными соединениями GexSi1-x
(2024) Зикриллаев, Н.Ф.; Аюпов, К.С.; Наркулов, Н.; Уракова, Ф.Э.; Кушиев, Г.А.; Неъматов, О.С.
Приводятся результаты исследований электрофизических, фотоэлектрических и магнитных свойств образцов кремния, диффузионно-легированного примесными атомами германия. Показано, что примесные атомы германия в кремнии образуют бинарные соединения типа GexSi1-x, концентрация которых меняется с глубиной исходного кремния. Разработанная диффузионная технология легирования кремния примесными атомами германия позволила получить материал с различными концентрациями примесных атомов германия с удельным сопротивлением и типом проводимости. Определены оптимальные электрофизические параметры и магнитные свойства полученных образцов, что позволило показать возможности создания новых видов датчиков и приборов в полупроводниковой электронике, Проведенные исследования позволяют развивать соответствующее направление в области материаловедения с магнитными свойствами и создавать эффективные фотоэлементы в фотоэнергетике.
Повышение эффективности кремниевых солнечных элементов легированием никелем
(2023) Кенжаев, З.Т.; Зикриллаев, Н.Ф.; Аюпов, К.С.; Исмайлов, К.А.; Ковешников, С.М.; Исмаилов, Т.Б.
Показано, что в приповерхностной области солнечных элементов (СЭ) концентрация атомов никеля выше, чем в объеме, на 2–3 порядка, поэтому скорость геттерирования в данной области больше. Экспериментально определены оптимальные режимы геттерирования класте-рами никеля (то есть диффузии никеля – Т = 800–850 °С, дополнительного термического отжига – Т = 750–800 °С) и структура кремниевого СЭ, позволяющая повысить его эффектив-ность на 25–30% относительно контрольной. Выявлены физические механизмы влияния процессов диффузии примесных атомов никеля и дополнительного термического отжига на состояние атомов никеля в приповерхностной области и базе СЭ и соответственно на параметры СЭ. Созданы физические модели структуры кластера атомов никеля в кремнии и процесса геттерирования быстродиффундирующих примесей кластерами атомов никеля. Оценена энергия связи ~ 1,39 эВ атомов быстродиффундирующих примесей с кластером никеля. Расчет показывает, что легирование никелем может увеличить время жизни неосновных носителей заряда в 2–4 раза, а коэффициент собирания – в 1,4–2 раза. Эксперимен-тально продемонстрировано увеличение времени жизни неосновных носителей заряда до 2 раз и рост эффективности СЭ на 25–30%.
Разработка и создание нового класса варизонных структур на основе кремния с участием атомов Zn и Se
(2023) Зикриллаев, Н.Ф.; Турсунов, О.Б.; Кушиев, Г.А.
Возможность формирования структур типа соединений между халькогенидами и металлами переходной группы в кристаллической решетке кремния относится к актуальным задачам электроники. Показано, что в определенных технологических условиях формируется достаточная концентрация элементарных ячеек, которая приводит к изменению зонной структуры самого кремния, то есть получаются микро- и наноразмерные включения в кремнии с прямозонной структурой. Представлены возможности создания на основе таких материалов принципиально нового класса фотоэлементов с расширенной областью спектральной чувстви-тельности, а также светоизлучающих приборов, светодиодов и лазеров на их основе.
Ферромагнитные свойства кремния, легированного атомами марганца
(2024) Зикриллаев, Н.Ф.; Ковешников, С.В.; Трабзон, Левент; Мавлонов, Г.Х.; Исмайлов, Б.К.; Исмаилов, Т.Б.; Уракова, Ф.Э.
Исследование ферромагнитных свойства кремния, диффузионно-легированного примесными атомами марганца, дает возможность определения магнитных свойств этого материала. В зависимости от технологии получения таких образцов марганец может находиться преимущественно в узлах или междоузлиях кристаллической решетки кремния. Установлено, что наблюдaeмые ферромагнитные свойства кремния в основном связаны с концентрацией дырок и обменным взаимодействием дырок в кремнии. Показано, что d-оболочка атомов марганца заполняется электронами, которые приводят к появлению магнитного свойства кремния, легированного атомами марганца. Из анализа результатов исследования установлено, что можно получить магнитный материал с ферромагнитными свойствами на основе кремния, легированного примесными атомами марганца, который можно широко применять при создании спинтронных устройств в магнитоэлектронике.
Фотоэлементы на основе кремния с бинарными соединениями GexSi1-x
(2024) Зикриллаев, Н.Ф.; Зикриллаев, Х.Ф.; Уракова, Ф.Э.; Кушиев, Г.А.; Саитов, Э.Б.; Шукурова, Д.М.; Ибрагимова, Б.Х.
Приведены результаты исследования фотоэлектрических свойств кремния с бинарными соединениями GexSi1-x. Определены термодинамические условия (Т = 1100÷1250 °С и t = 5÷20 ч) и технологические режимы низкотемпературной двухэтапной диффузии примесных атомов германия, которые позволили получить материал с бинарными соединениями GexSi1-x на поверхности и в приповерхностном слое кремния с заданными электрофизическими параметрами. Из результатов исследования концентрационного распределения образованных бинарных соединений GexSi1-x в кремнии установлено, что на поверхности формируются соединения с максимальной концентрацией и с углублением в объем кремния их концентрация уменьшается. Установлено, что образованные соединения GexSi1-x в кремнии приводят к изменению ширины запрещенной зоны исходного материала. Показано, что изменение ширины запрещенной зоны исходного кремния за счет образования бинарных соединений GexSi1-x изменяет один из фундаментальных параметров материала, который, в свою очередь, приводит к расширению спектральной области чувствительности, что характерно при разработке эффективных фотоэлементов с широким диапазоном поглощения солнечного излучения.