Radiaţii X în aplicaţii avansate de cercetare a materialelor şi structurilor de diferită dimensionalitate [Articol]

Abstract

În lucrare au fost aplicate metodele de măsurare (XRD, GI-XRD, XRR etc.) bazate pe interacțiunea razelor X cu materialele cristaline cu diferită dimensionalitate și structură: pulbere (CdSe(c)), nanopulbere (CdSe), straturi subțiri semiconductoare policristaline (ZnSnN2/glass și Ga2S3/pSi), strat epitaxial (CaF2), suprarețea (PbTe/SnTe/Si(111)). A fost realizat studiul proprietăților fizice în funcție de parametrii tehnologici pentru: filmele ZnSnN 2 – ținte cu diferită concentrație atomară de Zn și Sn, diferite temperaturi ale suportului de sticlă; nanopulberi de CdSe – diferit timp de sintentizare; straturile subțiri semiconductoare policristaline Ga2S3/pSi – diferite temperaturi ale suportului și cicluri de depunere. Pentru măsurarea probelor s-a utilizat difractometrul Panalytical Empyrean cu geometria Bragg-Brentano cu tubul de raze X cu anod de Cu(λKα1=1,540598Å, λKα2=1,5444260Å).