Получение образцов кремния, дифузионно-легированного примесными атомами марганца, с различными кристаллографическими направлениями [Articol]

Abstract

Рассматривается процесс получения образцов кремния, диффузионно-легированного примесными атомами марганца, с различными кристаллографическими направлениями. Цель исследования заключается в изучении влияния диффузионного легирования примесными атомами марганца на физико-химические и тензосвойства кремния, а также получении образцов кремния с кристаллографическими направлениями {111}, {110} и {100}. Определены основные технологические режимы диффузии атомов марганца в кремнии при различных температурах и кристаллографических направлениях, которые влияют на распределение примесных атомов марганца в кристаллической решетке. Экспериментальные данные подтверждают, что направление кристаллической решетки оказывает значительное влияние на эффективность легирования и характеристики получаемых материалов. Результаты работы могут быть полезны для разработки новых полупроводниковых материалов, в которых электрофизические параметры сильно зависят от кристаллографического направления.

This paper deals with the process of obtaining silicon samples diffusion-doped with impurity manganese atoms with different crystallographic directions. The aim of the research is to investigate the influence of diffusion doping of impurity manganese atoms on physicochemical and tenso-properties of silicon, as well as to obtain silicon samples with crystallographic directions {111}, {110} and {100}. The main technological modes of diffusion of manganese atoms in silicon at different temperatures and from the crystallographic direction, which affect the distribution of impurity manganese atoms in the crystal lattice, have been determined. Experimental data confirm that the direction of the crystal lattice has a significant influence on the doping efficiency and characteristics of the obtained materials. The results of the work can be useful for the development of new semiconductor materials, in which the electrophysical parameters strongly depend on the crystal direction of the orientation axis.