COPPER-RELATED DEFECTS IN ZnTe THIN FILMS GROWN BY THE CLOSE SPACE SUBLIMATION METHOD

Abstract

Low-temperature photoluminescence (PL) is used to study defects evolution via immersion technique and annealing in vacuum of ZnTe thin films. In this paper we studied how copper doping from solutions of different molar concentrations affects PL of ZnTe thin films grown by close space sublimation (CSS) method. Undoped ZnTe thin films showed PL emission in the (520-680) nm wavelength region. The incorporation of copper in ZnTe produce a number of broad emission bands that correspond to an electron transition from the conduction band to spin-orbit states of the localized level of Cu2+ ions. All the studied samples had variable concentrations of oxygen and the possibility of the formation of auxiliary oxides is discussed.

Fotoluminiscența (FL) la temperaturi joase este utilizată pentru a studia evoluția defectelor prin tehnica de imersie și tratare în vid a straturilor subțiri de ZnTe. În această lucrare am studiat modul în care doparea din soluții de diferite concentrații molare ale cuprului afectează FL straturilor subțiri de ZnTe crescute prin metoda sublimării în spațiu inchis (CSS). Staturile subțiri de ZnTe nedopate au prezentat emisie de FL în regiunea lungimilor de undă (520-680) nm. Încorporarea cuprului în ZnTe produce un număr de benzi largi de emisie care corespund unei tranziții de electroni de la banda de conducție la stările de spin-orbita a nivelului localizat al ionilor Cu2+. Toate probele studiate au avut concentrații variabile de oxigen și se discută posibilitatea formării de oxizi auxiliari.