ЭКСИТОННЫЕ СОСТОЯНИЯ В КВАНТОВЫХ ТОЧКАХ Si/SiO2

Abstract

În lucrare este dezvoltată teoria stărilor electronice, de gol şi excitonice pentru punctul cuantic din Si, plasat în mediuldielectric. A fost cercetată dependenţa pătrunderii în mediul dielectric de înălţimea barierei potenţiale şi a fost demonstratcă nanostructurile de acest tip pot fi utilizate cu succes în optoelectronică şi biomedicină. De asemenea, a fost studiatădependenţa energiei de legătură a excitonului de înălţimea barierei potenţiale.

In this paper we report on the development of the theory of electron, hole and exciton states in silicon quantum dots imbedded into the dielectric medium. The dependence of the charge carrier penetration into the external dielectric media on the height of the potential barrier has been investigated and it has been demonstrated the high potential of such nanostructures for their applicability in optoelectronics and biomedicine. The dependence of the exciton binding energy on the barrier height has been also investigated.