ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ ITO/SiOх/n-Si ПОВЫШЕННОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ

Abstract

Изготовлены структуры ITO/SiOх/n-Si пульверизацией растворов хлоридов индия и олова на поверхность (100) пластин кремния с удельным сопротивлением 4,5 Ом·см. Изучено влияние состояния поверхности Si на эффективность структур как фотоэлектрических преобразовате- лей. Показано, что наиболее эффективными являются структуры с непротравленной поверхно- стью пластин кремния. Солнечные элементы на основе исследованных структур ITO/SiOх/n-Si c инверсным слоем демонстрируют в условиях АМ 1,5 эффективность, близкую к 16%.

The ITO/SiOх/n-Si structures were fabricated by spraying of indium and tin chloride solutions on the sur- face of (100) silicon wafers with a resistivity of 4.5 Ωcm. The influence of the Si surface condition on the effective- ness of structures such as photovoltaic cells was investi- gated. It is shown that structures with an untreated surface of silicon wafers are most efficient. Solar cells on the base of the studied ITO/SiOх/n-Si structures with an inversion layer demonstrate a conversion efficiency close to 16% in the conditions of AM 1.5.