STRATURI SUBŢIRI DE OXID DE ZINC CRESCUTE PRIN METODA PULVERIZĂRII ÎN FLUX DE ARGON

Abstract

Straturile subţiri de ZnO au fost crescute din acetat de zinc dizolvat în apă-acid acetic-metanol cu o molaritate de 0,2 M folosind metoda pulverizării în intervalul de temperaturi (250-450)°C în flux de argon. Au fost cercetate proprietăţile optice şi electrice ale acestor straturi în dependenţă de temperatura de creștere. Transmitanţa în diapazonul de lungimi de undă (300-1000) nm are valori de 80-85%. Rezistenţa specifică a straturilor subțiri de ZnO crescute la 450°C după tratarea termică în vid şi hidrogen la 450°C timp de o oră se micșorează de la 33 •cm până la 0,028 •cm. Recombinarea radiantă în straturile de ZnO este însoțită de tranziții pe niveluri adânci și de tranziții bandă-bandă la interacțiunea purtătorilor de sarcină cu fononii de tip LO.

ZnO thin layers were grown from zinc acetate dissolved in methanol-acetic acid-water solution with the molarity of 0.2M by using the pulverization method in an argon flow at the temperatures of 250-450°C. The temperature dependence of electrical and optical properties of the obtained layers were studied. The optical transmittance at the wavelengths of (300 -1000) nm has the values of 80-85%. The resistivity of ZnO thin layers grown at 450°C decreases from 33•cm to 0,028 •cm after annealing in hydrogen at 450°C during an hour. The radiative recombination is related to the electron transitions to the deep levels and band to band transitions at the charge carriers transitions with the LO type phonons