STRATURI NANOMETRICE DE STANAT DE CADMIU PENTRU CELULE FOTOVOLTAICE

Abstract

Obiectivele acestei lucrări rezidă în stabilirea condiţiilor tehnologice optime de depunere a straturilor de stanat de cadmiu (Cd2SnO4) prin metoda pulverizării pe substraturi de sticlă şi de fosfură de indiu (InP) şi în studierea proprietăţilor elecrtofizice şi optice ale acestora. Straturile de stanat de cadmiu au fost depuse într-un flux de oxigen, din clorurăde cadmiu (CdCl2·2,5H2O)şi clorură de staniu (SnCl4·5H2O), dizolvate în alcool etilic cu molaritatea de (0,1-0,3)M, în intervalul de temperaturi (250...450)°C. Au fost cercetate proprietăţile electrofizice ale straturilor în dependentă de raportul componentelor CdCl2·2.5H2O şi SnCl 4·5H2O în soluţiile folosite la pulverizare şi de temperaturile de depunere. Studiul propriet ăţilor optice ale acestor materiale demonstrează că ele sunt transparente înintervalul 250....1300) nm. A fost demonstrată posibilitatea de creştere a oxizilor Cd2SnO4 prin etoda pulverizării şi de folosire a acestora ca straturi intermediare la structurile fotovoltaice pInP-nCdS.

The establishing of the optimum technological conditions for the eposition of cadmium stanate (Cd2SnO4) by pulverization method on a glass and indium phosphate (InP) substrates and studies of electrophysical and optical properties of the obtained layers were the objectives of the given paper. The cadmium stanate layers were grown in an oxygen flow from cadmium chloride (CdCl2·2,5H2O) and tin chloride (SnCl4·5H2O) dissolved in ethyl alcohol having a molarities of (0.1-0.3)M at a substrate temperature in the range of (250...450)°C. The electrophysical properties of the obtained layers in dependence on CdCl2·2.5H2O and SnCl4·5H2O components ratio in the solutions used at pulverization and on deposition temperature were studied. The investigation of the optical properties of the layers had shown that these layers are transparent in the wavelength region of (250....1300) nm. The possibility of Cd2SnO4 oxides growth by pulverization method and using of the obtained layers as an interlayer in pInP-nCdS photovoltaic structure was shown