Электрофизические, фотоэлектрические свойства и элементный состав кремния, легированного примесными атомами селена [Articol]

Abstract

Описываются термодинамические условия получения кремния с нанокластерами примесных атомов селена без эрозии его поверхности с заданными электрофизическими параметрами. Показаны возможности получения образцов кремния с нанокластерами атомов селена при управлении давлением паров диффузанта. Установлено, что концентрация и размеры образованных нанокластеров примесных атомов в кремнии зависят от термодинамических условий и технологических режимов диффузии. Доказано, что примесные атомы селена в кремнии образуют нанокластеры, состоящие из четырех или шести атомов, которые значительно влияют на электрофизические и фотоэлектрические свойства кремния. Показаны возможности применения полученных образцов кремния, легированных примесными атомами селена, при создании полупроводниковых приборов с термостабильными и радиационно-стойкими параметрами.

The thermodynamic conditions for obtaining silicon with nanoclusters of selenium impurity atoms, without surface erosion and with the specified electrophysical parameters, are described. The possibilities of producing silicon samples containing selenium nanoclusters by controlling the vapor pressure of the diffusant are demonstrated. It has been established that the concentration and size of the formed nanoclusters of impurity atoms in silicon depend on the thermodynamic conditions and the diffusion process parameters. It is shown that selenium impurity atoms in silicon form nanoclusters consisting of four or six atoms, which significantly affects the electrophysical and photoelectric properties of silicon. The potential application of silicon samples doped with selenium impurity atoms for the development of semiconductor devices with thermally stable and radiationresistant characteristics is demonstrated.