Диэлектрические свойства слоистых монокристаллов MnGaInSe4 в переменном электрическом поле

Abstract

Приводятся результаты исследований частотных и температурных зависимостей тангенса угла диэлектрических потерь, действительной и мнимой частей диэлектрической проницаемости в монокристаллах MnGaInSe4 в переменном электрическом поле. Установлено, что основным видом диэлектрических потерь в монокристаллах MnGaInSe4 в области частот 8×103 – 3×105 Гц являются потери на электропроводность, а проводимость характеризуется зонно-прыжковым механизмом. Определены энергии активации носителей тока монокристаллов. Установлено, что действительная и мнимая части диэлектрической проницаемости претерпевали значительную дисперсию, носящую релаксационный характер.

The results of the studies of the frequency and temperature dependences of the dielectric loss tangent, the real and imaginary parts of the permittivity in MnGaInSe4 single crystals in an alternating electric field are presented. It was found that the main type of dielectric losses in MnGaInSe4 single crystals in the frequency range 8×103 – 3×105 Hz are electrical conductivity losses and the conductivity is characterized by the band-hopping mechanism. The activation energies of current carriers of single crystals are determined. It was found that the real and imaginary parts of the permittivity underwent significant dispersion, which was of a relaxation nature.