Facultatea de Fizică şi Inginerie / Faculty of Physics and Engineering

Permanent URI for this communityhttps://msuir.usm.md/handle/123456789/7

Browse

Author: search.filters.author.Pocotilov, Evghenii

Search Results

Now showing 1 - 2 of 2
  • Thumbnail Image
    Item
    (As2S3)x-(As2Se3)1-x thin films for gas sensing applications [Articol]
    (CEP USM, 2007) Dmitrev, Serghei; Goglidze, Tatiana; Dementiev, Igor; Pocotilov, Evghenii; Lad, Robert; Vetelino, John
    În lucrare sunt prezentate rezultatele elaborării tehnologiei de obţinere şi cercetare a proprietăţilor electrofizice ale straturilor subţiri (As2S3)x-(As2Se3), destinate în calitate de elemente gazosensibile ale detectoarelor. Straturile subţiri au fost depuse prin metoda evaporării termice în vid ( P=10-5 Torr) pe suporturi dielectrice. Grosimea straturilor depuse varia între 0,5 şi 2 μm. Cercetarea influenţei componenţei materialului sursăşi a unui sir de parametri tehnologici ai depunerii asupra rezistivităţii, concentraţiei capcanelor şi a benzii interzise în straturile obţinute a demonstrat că în dependenţă de mărimea x rezistivitatea se schimbăde la 1010 până la Ohm·cm, concentraţa capcanelor în regiunea (2,1-7,9)х1016см-3şi a benzii interzise ΔEg – de la 1,75 până la 2,35 eV corespunzător. Pentru cercetarea sensibilităţii gazoase faţă de gazele CO şi NO2 prin metoda depunerii consecutive în vid au fost obţinute structurile săndvici de Al/As-S-Se/SnO2. Structurile obţinute au demonstrat o sensibilitate mai pronunţată la NO2, decât la monooxidul de carbon.
  • Thumbnail Image
    Item
    Roentgen image recording on sillenite-type electrooptical crystals by electrophotographic method [Articol]
    (2005) Dementiev, Igor; Pocotilov, Evghenii; Tarakanova, Larisa; Maximov, E.
    To record Roentgen image on sillenite-type crystals while charging in a corona discharge field, a device has been performed. The resolution not less than 10 pairs of lines per mm, the sensitivity of 25 reciprocal Roentgens, the contrast coefficient not less than 2 at the exposure length of 0.6 s were obtained using Bi12GeO20crystal. The device survives more than 104 of writing-erase cycles. From the sensitivity point of view, the considered registration is just as good as X-Ray films used for radiography and dosimetry.