Facultatea de Fizică şi Inginerie / Faculty of Physics and Engineering
Permanent URI for this communityhttps://msuir.usm.md/handle/123456789/7
Browse
21 results
Search Results
Item Particularităţi ale implementării standardelor de referinţă în evaluarea conformităţii calității apei [Articol](Editura USM, 2024) Dmitroglo, Liliana; Gurău, Virginia; Leca, LudmilaThe basic particularities of the reference standards implementation in conformity assessment bodies involved in the assessment of water quality are analyzed. The particularities related to both the type of conformity assessment bodies and the reference standards, as well as the need to implement European standards in the assessment of water quality conformity, are highlighted.Item Crystalline structure, surface morphology and optical properties of nanolamellar composites obtained by intercalation of InSe with Cd [Articol](2015) Untila, Dumitru; Caraman, Iuliana; Evtodiev, Igor; Canțer, Valeriu; Spalatu, Nicolae; Leontie, Liviu; Dmitroglo, Liliana; Luchian, EfimiaA material composed of InSe and CdSe crystallites was obtained by heat treatment at 753K of InSe single crystalline plates in Cd vapour for 3÷24 hours. The average diameters of CdSe and InSe crystallites determined from diffraction lines analysis are respectively equal to 20 nm and 22 nm. The photoluminescence spectra at 300K and 80K of composite decompose well into two Gaussian curves, one is in good correlation with the photoluminescence of CdSe crystals and the other is shifted to higher energies than the width of the band gap of CdSe crystals.Item Photoluminescence of Nanocomposites Obtained by Heat Treatment of GaS, GaSe, GaTe and InSe Single Crystals in Cd and Zn Vapor [Articol](2016) Evtodiev, Igor; Caraman, Iuliana; Kantser, Valeriu; Untila, Dumitru; Rotaru, Irina; Dmitroglo, Liliana; Evtodiev, Silvia; Caraman, MihailThe photoluminescence (PL) spectra of GaS, GaSe, GaTe and InSe semiconductors used as the basis materials to obtain nanocomposite by heat treatment in Zn and Cd vapor were studied. The PL spectra of ZnS–GaS, CdSe– GaSe, CdSe–InSe, ZnSe–InSe composites consist of wide bands covering a wide range of wavelengths in the antistokes region for CdSe, ZnSe and GaS crystallites from composites. The antistokes branches of spectra are interpreted as the shift of PL bands to high energies for nanosized crystallites.Item Photoluminescence properties of lamellar nano-composites obtained by Cd intercalation of GaSe and GaSe: Eu single crystals [Articol](2015) Untila, Dumitru; Cantser, Valeriu; Caraman, Mihail; Evtodiev, Igor; Leontie, Liviu; Dmitroglo, LilianaIn this work surface morphology, composition and photo- luminescence at 293 K and 78 K, of composite obtained by intercalation of GaSe and GaSe:Eu (0.49 at.% and 1.00 at.%) single crystal lamellas with Cd from vapor phase at 753 K and 830 K are investigated. As-obtained composite consists of CdSe and microstructured GaSe single crystallites. Photoluminescence spectrum of GaSe:Eu single crystal lamellas is composed of Eu3+ emission band 5 7 5 7 0 1 0 2( ,D F D FÆ Æ , and 5 7 1 3D FÆ transitions) and indirect exciton line in GaSe crystallites. Emission spectrum of single crystalline GaSe−CdSe composite, at 78 K and 293 K, consists of donor-acceptor band in GaSe microcrystallites and emission band of CdSe crystallites. Composite derived from the intercala- tion of GaSe:Eu (0.49 at.%) single crystals with Cd ex- hibits strong visible luminescence. Its quasi-continuous photoluminescence spectrum is produced by superposi- tion of luminescent emissions of CdSe nano- and mi- croparticles, and microstructured GaSe.Item Absorbția optică și fotoluminescența compozitului Ga2S3-Ga2O3 [Articol](Universitatea Tehnică din Moldova, 2018-05-24) Сaraman, Iuliana; Evtodiev, Igor; Untilă, Dumitru; Dmitroglo, Liliana; Caraman, Mihail; Evtodiev, Silvia; Palachi, LeonidÎn această lucrare sunt studiate absorbția optică și fotoluminescența cristalelor de Ga2S3, obținute prin metoda CVT în atmosferă de I2, și a compozitului Ga2S3–Ga2O3, obținut prin tratament termic al monocristalelor de Ga2S3 în atmosferă normală, la temperatura 1073K. S-a determinat că în rezultatul tratamentului termic de lungă durată (12 ore) suprafața cristalelor de Ga2S3 se acoperă cu un strat granular de Ga2O3. Din măsurări ale reflexiei difuze, lățimea benzii interzise a stratului de Ga2O3 de pe suprafața monocristalului Ga2S3 a fost aproximată ca fiind egală cu 4,47 eV. La 300K, marginea benzii de absorbție a cristalelor de Ga2S3 este formată din trei sectoare în care au loc tranziții optice directe cu lățimea benzii interzise egală cu 3,020 eV, 3,178 eV și 3,312 eV, iar la 80K - cu 3,196 eV, 3,302 eV și 3,422 eV. Spectrul de FL a cristalelor de Ga2S3 conține doar o singură bandă în regiunea roșu a spectrului, ce se interpretează ca emisie radiativă a stratului de Ga2S3, iar spectrul de FL al compozitului Ga2S3–Ga2O3 pe lângă banda roșie conține și o bandă în regiunea violet–albastru a spectrului, ce se identifică ca emisie radiativă în cristalele de oxid din compozitul Ga2O3-Ga2S3.Item Fotorezistor pentru regiunea ultravioletă pe bază de strat din Nanofire de β-Ga2O3 [Articol](CEP USM, 2022-11-10) Vatavu, Elmira; Sprincean, Veaceslav; Dmitroglo, Liliana; Gurău, Virginia; Caraman, MihailItem Structura și morfologia straturilor nanometrice de ZnSnN2 preparate prin magnetron sputtering [Articol](CEP USM, 2022-11-10) Narolschi, Igor; Ghilețchii, Gheorghe; Cliucanov, Alexandr; Rotaru, Corneliu; Spoială, Dorin; Vatavu, Elmira; Şapoval, Oleg; Belenciuc, Alexandr; Dmitroglo, Liliana; Bercu, Elena; Rusu, Marin; Vatavu, SergiuItem Straturi subțiri Ga2S3 pentru aplicații în detectori de radiații electromagnetice [Articol](CEP USM, 2022-11-10) Spoială, Dorin; Ghilețchii, Gheorghe; Vatavu, Elmira; Dmitroglo, Liliana; Şapoval, Oleg; Belenciuc, Alexandr; Rotaru, Corneliu; Narolschi, Igor; Vatavu, SergiuItem Procese de generare-recombinare a purtătorilor de sarcină de neechilibru în compozitul Ga2O3/Ga2Se3 și în structurile microlamelare - Ga2O3/GaSe [Articol](CEP USM, 2020) Sprincean, Veaceslav; Dmitroglo, Liliana; Vatavu-Cuculescu, Elmira; Caraman, MihailItem The structure and chemical composition of Ga2O3 oxide prepared by annealing of Ga2Se3 crystals [Articol](Springer Nature, 2020) Sprincean, Veaceslav; Vatavu, Elmira; Dmitroglo, Liliana; Untila, Dumitru; Caraman, Iuliana; Caraman, MihailThe chemical composition and structure of Ga2O3 obtained by thermal treatment (TT) in air of β-Ga2Se3 crystals were studied using the X-ray diffraction (XRD) method, Raman spectroscopy, EDX, and SEM. The surface of the Ga2Se3 crystal air annealed at 770 K is covered by β-Ga2O3 layer of microcrystallites and as well as by β-Ga2Se3 crystallites. The oxygen is non-homogeniously distributed on the surface of the 770 K annealed sample. The sample obtained by TT at 1150 K consists of nanolamella, nanotowers, and nanobars of β-Ga2O3, their size being estimated to 10–200 nm.
- «
- 1 (current)
- 2
- 3
- »