Facultatea de Fizică şi Inginerie / Faculty of Physics and Engineering
Permanent URI for this communityhttps://msuir.usm.md/handle/123456789/7
Browse
11 results
Search Results
Item Synthesis and properties of Al-doped ZnO thin films for photovoltaics [Articol](Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 2018-11-27) Potlog, Tamara; Lungu, Ion; Botnariuc, Vasile; Gorceac, Leonid; Raevschi, Simion; Taku, Miyake; Worasawat, Suchada; Mimura, HidenoriPolycrystalline undoped and Al-doped ZnO thin films were deposited by spray pyrolysis using oxygen and argon atmospheres. The influence of postdeposition vacuum annealing on the structure, morphology and optical properties was studied by X-ray diffraction, atomic force microscopy and UV–VIS spectroscopy. The thermal vacuum annealing induces structural and morphological changes, especially in Al-doped ZnO thin films synthetized in oxygen atmosphere. Further on, the electrical conductivity in dependence of the nature of gas atmosphere and Al concentration is discussed.Item Effect of carrier gas and vacuum annealing on the physical properties of ZnO thin films doped with gallium by chemical spray pyrolysis [Articol](Editura "Tehnica-UTM", 2018-05-24) Potlog, Tamara; Lungu, Ion; Botnariuc, Vasile; Raevschi, Simion; Worasawat, Suchada; Mimura, Hidenori; Gorceac, LeonidStructural, optical and electrical properties of zinc oxide thin films doped with 2% Ga, annealed in the vacuum at the same temperature and obtained onto glass substrates by the chemical spray pyrolysis method in the different gas atmospheres were investigated by X-ray Diffraction (XRD), UV-VIS spectrophotometry and Hall measurements, respectively. XRD studies revealed that all films were polycrystalline in nature, with a hexagonal wurtzite crystal structure and a predominant (002) c-axis orientation. All ZnO:Ga thin films had higher than 80 % transmittances in the visible region. Doping with 2% Ga led to a decrease in the optical band gap indifferent of the nature of the carrier gas. The synthesis of ZnO thin films with 2% Ga doping and annealing in the same conditions in Ar and O2 atmospheres led to the lower conductivity with electron concentration of 1016 cm−3.Item Fotodetector pe heterojoncțiune din fosfură de indiu [Articol](CEP USM, 2020) Gorceac, Leonid; Botnariuc, Vasile; Coval, Andrei; Vatavu, Sergiu; Cinic, Boris; Raevschi, Simion; Rotaru, CorneliuItem ZnO nanometric layers used in photovoltaic cells [Articol](Springer Nature, 2020) Botnariuc, Vasile; Gorceac, Leonid; Coval, Andrei; Cinic, Boris; Gaugas, Petru; Chetrus, Petru; Lungu, Ion; Raevschi, SimionThe ZnO thin layers were grown on glass, InP and pInP-nCdS substrates from zinc acetate dissolved in water-acetic acid-methanol solution having a molarity of 0.2 M by using the spray method in the argon flow in the temperature range of (250–450) °C. The dependence of optical properties of ZnO layers on growth temperature have been investigated. The optical transmittance has values of 80–85% in the wavelength range of (200–1000) nm. The using of ZnO of the thickness of (60–80) nm as antireflective layers in nCdS-pInP structures allowed to increase the photovoltaic cell efficiency by 3%. The photosensitivity of the fabricated nZnO-pInP structures covers the wavelength region from 450 nm up to 1100 nm and allows the more efficient utilization of the incident light.Item Electrical properties of thermal annealed in vacuum spray deposited al-doped zno thin films [Articol](Springer Nature, 2020) Potlog, Tamara; Lungu, Ion; Raevschi, Simion; Botnariuc, Vasile; Robu, Stephan; Worasawat, Suchada; Mimura, HidenoriAl-doped ZnO thin films have been prepared by spray pyrolysis, which facilitates the incorporation of a higher percentage of dopant atoms. The vacuum thermally annealed at 420 °C temperature thin films have been characterized by X-ray diffraction (XRD), optical spectroscopy. Electrical conductivity and the Hall effect are investigated in the temperature interval (77–300) K. X-ray analysis results reveal that all the films are polycrystalline with a hexagonal wurtzite structure with a preferential orientation according to the direction (002) plane. Different characters of the temperature dependence of conductibility are observed in the Al-doped ZnO films vacuum thermally annealed at 420 °C temperature. In all cases, the conductivity, mobility carriers and carriers’ concentration of ZnO thin films obtained under Ar are higher than under O2 atmosphere, unless they are not doped. of your paper no longer than 300 words.Item Growth of p-gan on silicon substrates with ZnO buffer layers [Articol](Springer Nature, 2020) Raevschi, Simion; Gorceac, Leonid; Botnariuc, Vasile; Branişte, TudorGaN layers on Silicon with ZnO intermediate layer were synthesized by using the HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy) method. ZnO layers were deposited from solutions of zinc compounds in ethanol or water in two steps. At the first step a ZnO nucleation layer was deposited from a solution of zinc acetate in ethanol, at the second step a ZnO precipitate was deposited from a solution of zinc nitrate and KOH in water by boiling. On the obtained structures the GaN nucleation layers were deposited at 500 ℃ for 15 min, then GaN layers were grown at 850–970 ℃ for 30 ± 5 min. Structures were studied by using the optical and SEM microscope and XRD method. The type of conductivity of the layers was determined by using the method of thermal electromotive force measurement (TEFM). The possibility of the electrical conductivity (EC) type changing from n- to p-type for the GaN layers deposited on silicon substrates with the use of intermediate ZnO layer deposited from solutions is demonstrated for the first time.Item Dispozitive din fosfură de indiu bazate pe efectul fotovoltaic [Articol](CEP USM, 2021) Botnariuc, Vasile; Gorceac, Leonid; Coval, Andrei; Vatavu, Sergiu; Cinic, Boris; Rotaru, Corneliu; Raevschi, SimionHomo- și heterojoncțiunile din p - InP și n - CdS au fost confecționate aplicând metoda epitaxiei din faza gazoasă în volum deschis, în sistem de cloruri, metoda HVPE (Hydride Vapour Phase Epitaxy) și tehnologia în volum cvasiînchis, în hidrogen. S-a stabilit că eficiența celulelor fotovoltaice pe bază de heterojoncțiuni n+CdS-p-p+InP cu suprafața fotoactivă de 3 cm2 și pe homojoncțiuni n+- p- p+InP (1 cm2) constituie 12% și,respectiv, 7,3% în condiții de iluminare standard, AM1 (1000 Wm-2). Eficiența cuantică externă maximală constituie 75-80% pentru heterojoncțiunea n+CdS - p- p+ InP și 70% pentru homojoncțiunea n+-p-p+InP în intervalul (600-900) nm al spectrului electromagnetic. Fotosensibilitatea absolută maximă de 0,51 A/W este caracteristică pentru heterojoncțiunea n+CdS - p- p+InP cu strat epitaxial intermediar(p = 6,51016 cm-3). Astfel de heterojoncțiuni pot fi utilizate pentru elaborarea fotodetectorilor în intervalul VIS.Item Proprietățile fizice ale straturilor de ZnO preparate pe Si prin metoda hidrotermală [Articol](CEP USM, 2020) Raevschi, Simion; Gorceac, Leonid; Botnariuc, Vasile; Braniște, Tudor; Vatavu, SergiuStraturi subțiri, de nucleație și proprii, de ZnO au fost sintetizate pe Si prin metoda hidrotermală din soluțiile compușilor zincului folosindu-se solvenții: apă, apă + etanol, apă + metanol, apă + propanol, apă + acetonă, etanol, propanol, metanol.La prepararea straturilor de nucleație s-a folosit acetatul de zinc dihidrat, Zn(CH3COO)2·2H2O. Depunerea straturilor proprii de ZnO pe structurile nucleatea avut loc prin fierberea lor în soluție apoasă de Zn(NO 3)2+ KOH. În lucrare sunt date caracterizări structurale și morfologice ale straturilor buffer obținute,fiind demonstrată eficiența stratului buffer în prepararea straturilor de GaN.Item Straturi subţiri de oxid de zinc crescute prin metoda pulverizării în flux de argon [Articol](CEP USM, 2018) Botnariuc, Vasile; Gorceac, Leonid; Coval, Andrei; Cinic, Boris; Gaugaș, Petru; Chetruș, Petru M.; Moldovanu, Sergiu; Raevschi, SimionStraturile subţiri de ZnO au fost crescute din acetat de zinc dizolvat în apă-acid acetic-metanol cu o molaritate de 0,2 M folosind metoda pulverizării în intervalul de temperaturi (250-450)°C în flux de argon. Au fost cercetate proprietăţile optice şi electrice ale acestor straturi în dependenţă de temperatura de creștere. Transmitanţa în diapazonul de lungimi de undă (300-1000) nm are valori de 80-85%. Rezistenţa specifică a straturilor subțiri de ZnO crescute la 450°C după tratarea termică în vid şi hidrogen la 450°C timp de o oră se micșorează de la 33 •cm până la 0,028 •cm. Recombinarea radiantă în straturile de ZnO este însoțită de tranziții pe niveluri adânci și de tranziții bandă-bandă la interacțiunea purtătorilor de sarcină cu fononii de tip LO.Item Celule fotovoltaice cu heterojoncțiunea n+CdS-p o -p + InP: aplicări tehnologice, metode şi rezultate ale cercetărilor [Articol](CEP USM, 2018) Botnariuc, Vasile; Gagara, Ludmila; Gorceac, Leonid; Cinic, Boris; Covali, Andrei; Raevschi, Simion; Rotaru, CornelAu fost obținute celule fotovoltaice (CF) cu heterojoncțiunea nCdS-pInP și strat intermediar epitaxial po InP, fiind cercetate proprietățile lor electrice și fotoelectrice. Grosimile straturilor pInP și al celui frontal nCdS au variat respectiv în intervalul 2,7...6,2 – 0,9...3,6 µm în dependență de durata de depunere. S-a constatat că parametrii fotoelectrici au valorile maximale pentru grosimile de 4,5...5 µm pentru stratul po InP și de 0,9 µm pentru stratul nCdS, eficiența maximală a CF cu structura n+CdS-p o -p + InP fiind de 14,6% (100 mWcm-2).