Изготовлены структуры ITO/SiOх/n-Si пульверизацией растворов хлоридов индия и олова на
поверхность (100) пластин кремния с удельным сопротивлением 4,5 Ом·см. Изучено влияние
состояния поверхности Si на эффективность структур как фотоэлектрических преобразовате-
лей. Показано, что наиболее эффективными являются структуры с непротравленной поверхно-
стью пластин кремния. Солнечные элементы на основе исследованных структур ITO/SiOх/n-Si
c инверсным слоем демонстрируют в условиях АМ 1,5 эффективность, близкую к 16%.
