În ultimii câţiva ani o atenţie sporită se acordă studiului proprietăţilor fizice ale structurilor semiconductoare cu dimensiuni reduse datorită perspectivelor de utilizare a lor în diverse domenii. În prezenta lucrare se cercetează proprietăţile excitonice ale punctelor cuantice din siliciu, amplasate într-un mediu dielectric. În cadrul aproximaţiei masei efective au fost calculate nivelele energetice electronice şi de gol utilizând teoria nevariaţională. Rezultatele obţinute se află întrun acord bun ce datele experimentale.
