Institutul de Fizică Aplicată
Permanent URI for this communityhttps://msuir.usm.md/handle/123456789/13432
Browse
3 results
Search Results
Item Влияние γ-облучения на электрофизические параметры кремния, легированного никелем при выращивании методом Чохральского [Articol](2025) Илиев, Х.М.; Исмайлов, К.А.; Косбергенов, Е.Ж.; Оджаев, В.Б.; Просолович, В.С.; Янковский, Ю.Н.; Кенжаев, З.Т.; Исаковa, Б.О.; Кушиев, Г.А.Исследовано влияние γ-облучения на электрофизические параметры кремния, легированного никелем в процессе выращивания из расплава по методу Чохральского. Экспериментальные результаты, полученные методом растровой электронной микроскопии показали, что в кремнии, легированном никелем, при выращивании формируются скопления атомов Ni размером ~ 6÷8 мкм с поверхностной плотностью ~ (5÷8) 103 см-2. Установлено, что при облучении γ-квантами 60Со контрольных образцов, не легированных никелем, происходит компенсация материала вследствие генерации глубоких центров радиационного происхож-дения. Показано, что в процессе облучения атомы никеля диффундируют из скоплений в матрицу кремния, где при взаимодействии с радиационно-генерируемыми вакансиями междо-узельные атомы никеля Ni переходят в электрически активное положение в узле кристал-лической решетки Nis. Данные примесно-дефектные центры (Nis) термически устойчивы по крайней мере до температуры отжига 600 °C.Item Влияние гамма-облучения на электрофизические параметры кремниевых фотоэлементов, легированных никелем(2024) Кенжаев, З.Т.; Илиев, Х.М.; Оджаев, В.Б.; Мавлонов, Г.Х.; Просалович, В.С.; Косбергенов, Е.Ж.; Исмайлов, Б.К.; Исамов, С.Б; Олламбергенов, Ш.З.Представлены результаты исследований изменения электрофизических параметров (Uxx – напряжение холостого хода, Jкз – плотность тока короткого замыкания, и τ – время жизни неравновесных носителей заряда) фотоэлементов, изготовленных на пластинах монокристаллического кремния p-типа проводимости с удельным сопротивлением ρ 0,5 Ом см, легированных никелем, при облучении γ-квантами от источника 60Со. Показано, что у фотоэлементов, легированных никелем, эффективность преобразования солнечной энергии остается выше, чем у стандартных, вплоть до доз облучения 108 рад. Обнаружено, что c увеличением температуры диффузии атомов никеля радиационная устойчивость электрофизических параметров фотоэлементов увеличивается. Снижение концентрации рекомбинационно-активных радиационных дефектов обусловлено геттерированием атомами никеля технологических (фоновых) примесей и действием скоплений никеля как стоков для радиационно-индуцированных вакансий.Item Исследование элементного состава кремния, легированного атомами галлия и сурьмы(2024) Илиев, Х.М.; Ковешников, С.В.; Исаков, Б.О.; Косбергенов, Э.Ж.; Кушиев, Г.А.; Худойназаров, З.Б.Разработана диффузионная технология получения комплексов типа GaSb в кристаллической решетке кремния, а также исследованы электрические свойства полученных слоев. На основании изучения результатов рентгеноспектрального анализа микрокристаллов, образовавшихся на поверхности образца кремния, одновременно легированного атомами галлия и сурьмы, показано, что в поверхностном слое образца формируются микрокристаллы, состоящие из атомов кремния, галлия и сурьмы, и сделан вывод о возможности ориентированного роста кристаллов состава (GaSb)0,8(Si)0,2 на поверхности кремния. Показано существенное влияние на профиль распределения носителей заряда процессов комплексообразования, происходящих при высоких концентрациях ионов диффундирующих примесей. В качестве технологии создания материалов, содержащих комплексы типа GaSb в объеме решетки кремния, можно предложить ионное легирование, одновременную диффузию или процессы эпитаксии.