2. Articole
Permanent URI for this collectionhttps://msuir.usm.md/handle/123456789/13434
Browse
2 results
Search Results
Item Исследование элементного состава кремния, легированного атомами галлия и сурьмы(2024) Илиев, Х.М.; Ковешников, С.В.; Исаков, Б.О.; Косбергенов, Э.Ж.; Кушиев, Г.А.; Худойназаров, З.Б.Разработана диффузионная технология получения комплексов типа GaSb в кристаллической решетке кремния, а также исследованы электрические свойства полученных слоев. На основании изучения результатов рентгеноспектрального анализа микрокристаллов, образовавшихся на поверхности образца кремния, одновременно легированного атомами галлия и сурьмы, показано, что в поверхностном слое образца формируются микрокристаллы, состоящие из атомов кремния, галлия и сурьмы, и сделан вывод о возможности ориентированного роста кристаллов состава (GaSb)0,8(Si)0,2 на поверхности кремния. Показано существенное влияние на профиль распределения носителей заряда процессов комплексообразования, происходящих при высоких концентрациях ионов диффундирующих примесей. В качестве технологии создания материалов, содержащих комплексы типа GaSb в объеме решетки кремния, можно предложить ионное легирование, одновременную диффузию или процессы эпитаксии.Item Повышение эффективности кремниевых солнечных элементов легированием никелем(2023) Кенжаев, З.Т.; Зикриллаев, Н.Ф.; Аюпов, К.С.; Исмайлов, К.А.; Ковешников, С.М.; Исмаилов, Т.Б.Показано, что в приповерхностной области солнечных элементов (СЭ) концентрация атомов никеля выше, чем в объеме, на 2–3 порядка, поэтому скорость геттерирования в данной области больше. Экспериментально определены оптимальные режимы геттерирования класте-рами никеля (то есть диффузии никеля – Т = 800–850 °С, дополнительного термического отжига – Т = 750–800 °С) и структура кремниевого СЭ, позволяющая повысить его эффектив-ность на 25–30% относительно контрольной. Выявлены физические механизмы влияния процессов диффузии примесных атомов никеля и дополнительного термического отжига на состояние атомов никеля в приповерхностной области и базе СЭ и соответственно на параметры СЭ. Созданы физические модели структуры кластера атомов никеля в кремнии и процесса геттерирования быстродиффундирующих примесей кластерами атомов никеля. Оценена энергия связи ~ 1,39 эВ атомов быстродиффундирующих примесей с кластером никеля. Расчет показывает, что легирование никелем может увеличить время жизни неосновных носителей заряда в 2–4 раза, а коэффициент собирания – в 1,4–2 раза. Эксперимен-тально продемонстрировано увеличение времени жизни неосновных носителей заряда до 2 раз и рост эффективности СЭ на 25–30%.